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公开(公告)号：CN111933622B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202010651339.3
申请日：2020-07-08
申请人： 电子科技大学 , 成都迈科科技有限公司
摘要： 一种三维MIM电容器的制备方法，属于电容器技术领域。该三维MIM电容器包括三维多孔金属底电极，以及形成于三维多孔金属底电极的孔隙和表面的全致密绝缘介层，形成于全致密绝缘介层之上的金属顶电极；其中，金属底电极中三维多孔的孔径范围为1μm～5μm。首先通过阳极氧化制备出多孔金属基底，然后通过高温氧化在金属基底表面制备得到绝缘介质层，最后通过磁控溅射在绝缘介质层表面制备顶电极。本发明方法简单，成本低廉，得到的多孔金属基底比表面积增大，有效的提升了MIM电容器的性能。
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公开(公告)号：CN111718120A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010654262.5
申请日：2020-07-09
申请人： 电子科技大学 , 成都迈科科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种Li-Al-Si光敏玻璃的制备方法，采用以下重量份数的原料制备：SiO2 75～80份；Li2O 8～12份；Al2O3 2～5份；Na2O 1～4份；K2O 3～6份；ZnO 1～2份；Sb2O 30.05～0.2份；碱土金属0～2份；CeO2 0.02～0.15份；Ag2O 0.05～0.15份。本发明通过改进原料的配比，同时改良生产工艺，有效地提高光敏玻璃的介电性能和机械性能，与肖特公司的Foturan光敏玻璃相比，介电性能和机械性能均有提高，能够在高频环境下的应用。此外，由于机械性能的提升，能够适应集成电路封装体积小型化的发展潮流。同时有利于改善了国内的转接板材料依赖国外厂商的局面，降低国内三维集成封装的成本，更好地推动国内集成电路的发展。
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公开(公告)号：CN111739870A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010659553.3
申请日：2020-07-10
申请人： 电子科技大学 , 成都迈科科技有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48
摘要： 本发明提供了一种高聚物缓冲层铜同轴TGV，包括依次设置的铜柱、环形的内缓冲层、环形的铜层以及环形的外缓冲层，所述铜柱、内缓冲层、铜层以及外缓冲层从内至外依次设置，所述外缓冲层以及所述内缓冲层为高聚物苯并环丁烯层。还提供了具有该同轴TGV的转接板和转接板制造方法。高聚物缓冲层尺寸灵活可变，便于根据匹配原则设计出不同尺寸的同轴TGV结构。详细给出了高聚物缓冲层铜同轴TGV结构制备方案，该方案采用高聚物填充环形槽的方式实现缓冲层制备。工艺实现方案保证阻抗匹配设计的同时使整体结构尺寸小，并提高了封装的热稳定性，有利于未来高密度三维集成。
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公开(公告)号：CN111575684A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010654068.7
申请日：2020-07-09
申请人： 电子科技大学 , 成都迈科科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种金属化填充玻璃转接板通孔的方法，包括以下步骤：将转接板放入浓度在的除油液中，温度控制在80℃以上，并施加超声波场，持续5-10min后，将转接板放入去离子水中，并施加超声波场，持续5-10min；将转接板取出并放入浓度为3.5-4.5ml/L硅烷偶联剂溶液中，静置30min以上；利用转盘实现转接板均匀覆盖；将转接板加热至110℃维持30-55min；将转接板放入钯胶体溶液，静置5min；将转接板放入硝酸银溶液，静置5min；在高转速环境下化学镀；特定电流和化学镀液下电镀。通过对玻璃转接板进行表面处理、活化处理后，在玻璃转接板表面吸附自催化核，为化学镀提供基本条件，从而顺利完成化学镀。与现有技术相比，本发明的成本大幅度降低，且保证了通孔内壁的金属种子层的质量。
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公开(公告)号：CN111933622A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010651339.3
申请日：2020-07-08
申请人： 电子科技大学 , 成都迈科科技有限公司
摘要： 一种三维MIM电容器的制备方法，属于电容器技术领域。该三维MIM电容器包括三维多孔金属底电极，以及形成于三维多孔金属底电极的孔隙和表面的全致密绝缘介层，形成于全致密绝缘介层之上的金属顶电极；其中，金属底电极中三维多孔的孔径范围为1μm～5μm。首先通过阳极氧化制备出多孔金属基底，然后通过高温氧化在金属基底表面制备得到绝缘介质层，最后通过磁控溅射在绝缘介质层表面制备顶电极。本发明方法简单，成本低廉，得到的多孔金属基底比表面积增大，有效的提升了MIM电容器的性能。
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公开(公告)号：CN111744732A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010654983.6
申请日：2020-07-09
申请人： 电子科技大学 , 成都迈科科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种玻璃转接板深孔侧壁附着层真空旋涂装置，包括供料传输机构、真空旋涂罐、滴液机构及出料传输机构，真空旋涂罐包括机架、固定罐体、活动筒体、旋涂电机和转盘，活动筒体套在固定罐体的上部，活动筒体连接有第一升降机构；旋涂电机连接有转轴，转轴伸入活动筒体内，转盘固定设置在转轴上；转盘上设置有n个上料槽；活动筒体上方设置有密封端盖，密封端盖连接有第二升降机构；密封端盖的下表面设置有n个压料机构，每个压料机构位于一上料槽的上方；固定罐体连接有抽真空泵；滴液机构包括储液罐、出液管、滴液头，滴液头安装在第一水平移动机构。本装置能够实现全自动化地真空旋涂过程，生产效率高，有利于实现规模化、批量化生产。
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公开(公告)号：CN111816608B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202010654067.2
申请日：2020-07-09
申请人： 电子科技大学 , 成都迈科科技有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532
摘要： 本发明提供了一种玻璃盲孔加工方法，包括a、深孔刻蚀；b、深孔侧壁沉积附着层：b1、将高聚物溶液滴涂在玻璃基板表面，确保高聚物溶液覆盖玻璃基板表面；b2、将玻璃基板转移至压上强低于大气压的环境中，静置，使高聚物溶液填充深孔；b3、将玻璃基板固定在转盘，玻璃基板的中心偏离转盘的回转中心，驱动转盘转动，将玻璃基板表面和深孔内的高聚物溶液甩掉；b4、烘干使玻璃基板表面和深孔侧壁残存的高聚物溶液固化，形成高聚物附着膜；c、侧壁沉积种子层；d、深孔内铜填充；e、表面CMP以及RDL布线制作。本发明制得的TSV具有高热‑机械可靠性，优异电学性能，可以对孔径3μm，深度45μm的深孔进行加工，符合TSV小型化的发展趋势。
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公开(公告)号：CN111744732B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202010654983.6
申请日：2020-07-09
申请人： 电子科技大学 , 成都迈科科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种玻璃转接板深孔侧壁附着层真空旋涂装置，包括供料传输机构、真空旋涂罐、滴液机构及出料传输机构，真空旋涂罐包括机架、固定罐体、活动筒体、旋涂电机和转盘，活动筒体套在固定罐体的上部，活动筒体连接有第一升降机构；旋涂电机连接有转轴，转轴伸入活动筒体内，转盘固定设置在转轴上；转盘上设置有n个上料槽；活动筒体上方设置有密封端盖，密封端盖连接有第二升降机构；密封端盖的下表面设置有n个压料机构，每个压料机构位于一上料槽的上方；固定罐体连接有抽真空泵；滴液机构包括储液罐、出液管、滴液头，滴液头安装在第一水平移动机构。本装置能够实现全自动化地真空旋涂过程，生产效率高，有利于实现规模化、批量化生产。
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公开(公告)号：CN111816608A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010654067.2
申请日：2020-07-09
申请人： 电子科技大学 , 成都迈科科技有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532
摘要： 本发明提供了一种玻璃盲孔加工方法，包括a、深孔刻蚀；b、深孔侧壁沉积附着层：b1、将高聚物溶液滴涂在玻璃基板表面，确保高聚物溶液覆盖玻璃基板表面；b2、将玻璃基板转移至压上强低于大气压的环境中，静置，使高聚物溶液填充深孔；b3、将玻璃基板固定在转盘，玻璃基板的中心偏离转盘的回转中心，驱动转盘转动，将玻璃基板表面和深孔内的高聚物溶液甩掉；b4、烘干使玻璃基板表面和深孔侧壁残存的高聚物溶液固化，形成高聚物附着膜；c、侧壁沉积种子层；d、深孔内铜填充；e、表面CMP以及RDL布线制作。本发明制得的TSV具有高热-机械可靠性，优异电学性能，可以对孔径3μm，深度45μm的深孔进行加工，符合TSV小型化的发展趋势。
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