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公开(公告)号：CN114310038B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202210177520.4
申请日：2022-02-24
申请人： 电子科技大学 , 珠海方正科技高密电子有限公司
摘要： 本发明提供一种银盐纳米银复合焊膏及制备方法烧结方法和应用，原料包括表面均匀包裹一层聚乙烯吡咯烷酮的纳米银颗粒、银盐与乙二醇，制备方法包括：S1：使用表面均匀包裹PVP的纳米银颗粒，与乙二醇配制纳米银溶液；S2：研磨银盐，将银盐颗粒加入纳米银溶液，获得银盐及纳米银混合溶液；S3：将银盐及纳米银混合溶液采用机械振荡做均匀混合处理，获得均匀的银盐纳米银复合焊膏；本发明利用乙二醇的还原性，形成还原银盐及纳米银焊膏烧结的协同作用，提高烧结体致密度，减少整个烧结过程中纳米银颗粒的氧化程度，提高了烧结体与基板之间的界面结合力，提高了烧结体的致密度，并降低整体烧结温度，达到烧结体高剪切强度和低孔隙率的要求。
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公开(公告)号：CN114310038A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210177520.4
申请日：2022-02-24
申请人： 电子科技大学 , 珠海方正科技高密电子有限公司
摘要： 本发明提供一种银盐纳米银复合焊膏及制备方法烧结方法和应用，原料包括表面均匀包裹一层聚乙烯吡咯烷酮的纳米银颗粒、银盐与乙二醇，制备方法包括：S1：使用表面均匀包裹PVP的纳米银颗粒，与乙二醇配制纳米银溶液；S2：研磨银盐，将银盐颗粒加入纳米银溶液，获得银盐及纳米银混合溶液；S3：将银盐及纳米银混合溶液采用机械振荡做均匀混合处理，获得均匀的银盐纳米银复合焊膏；本发明利用乙二醇的还原性，形成还原银盐及纳米银焊膏烧结的协同作用，提高烧结体致密度，减少整个烧结过程中纳米银颗粒的氧化程度，提高了烧结体与基板之间的界面结合力，提高了烧结体的致密度，并降低整体烧结温度，达到烧结体高剪切强度和低孔隙率的要求。
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公开(公告)号：CN113579563A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110860085.0
申请日：2021-07-28
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种纳米立方银焊膏、互连结构及其焊接方法，纳米立方银焊膏由尺寸均一的纳米立方银颗粒与有机溶剂混合而成，具有连接层孔隙率低、剪切强度高等优势。所述纳米立方银颗粒为立方体形状、粒径为20nm～200nm，纳米立方银焊膏可用于制备覆铜陶瓷基板和IGBT模块功率芯片的互连结构；本发明利用纳米立方银颗粒的自组装性能，形成超晶格结构，实现纳米立方银颗粒的紧密排列，经焊接后形成的连接层的连接接头界面层结合良好，连接层的孔隙率约为5％，剪切强度达到30Mpa以上，具有较高的剪切强度，能够很好地应用于电子器件的封装互连；其制备工艺简单，便于工业化生产。
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公开(公告)号：CN113579563B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202110860085.0
申请日：2021-07-28
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种纳米立方银焊膏、互连结构及其焊接方法，纳米立方银焊膏由尺寸均一的纳米立方银颗粒与有机溶剂混合而成，具有连接层孔隙率低、剪切强度高等优势。所述纳米立方银颗粒为立方体形状、粒径为20nm～200nm，纳米立方银焊膏可用于制备覆铜陶瓷基板和IGBT模块功率芯片的互连结构；本发明利用纳米立方银颗粒的自组装性能，形成超晶格结构，实现纳米立方银颗粒的紧密排列，经焊接后形成的连接层的连接接头界面层结合良好，连接层的孔隙率约为5％，剪切强度达到30Mpa以上，具有较高的剪切强度，能够很好地应用于电子器件的封装互连；其制备工艺简单，便于工业化生产。
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