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公开(公告)号:CN115810595A
公开(公告)日:2023-03-17
申请号:CN202211602217.0
申请日:2022-12-13
申请人: 电子科技大学 , 珠海方正科技高密电子有限公司
IPC分类号: H01L23/427 , H01L23/473 , H01L23/373 , H01L21/48
摘要: 本发明属于电子制造技术领域,具体提供一种埋嵌高效散热部件的封装基板结构及其制造方法,用于解决芯片或高功率器件散热问题。本发明可在芯片封装的正/背面同时设计微流道,通过膨胀石墨/石蜡/结晶水组成的复合相变材料的相态变化吸收芯片在高强度工作时所积累的热量来延长芯片的寿命,有效降低封装风险,减低制造成本;复合相变材料外接金属基散热基板通过“吸收热”到“传递热”、再到“热散发”步骤实现芯片降温,进而攻克电子行业芯片散热的痛点;并且,复合相变材料制备工艺成熟且简捷,原料成本低廉。由此可见,本发明相比于现行微流道散热技术工艺流程更简单,应用环境更全面,能够弥补现有的传统制冷技术的缺陷。