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公开(公告)号：CN114564907B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202210195724.0
申请日：2022-03-01
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： G06F30/367 , H01L29/778
摘要： 本发明公开一种GaN HEMT器件阈值电压及漏极电流模型的建立方法。本发明以薛定谔泊松方程、费米狄拉克统计为基础，考虑氮化镓HEMT器件高频、高漏源电压开关条件下阈值电压漂移，基于陷阱中心对沟道载流子的捕获与释放效应，将器件阈值电压漂移模型构建为与器件漏源电压和器件开关频率相关，并基于此构建出可适用于不同漏源电压和开关频率下氮化镓高电子迁移率晶体管阈值电压及漏极电流的解析模型。本发明的GaN HEMT器件阈值电压及漏极电流模型建立方法，解决了目前主流模型在电路仿真平台中无法预测GaN HEMT器件在不同频率不同漏源电压下的阈值电压漂移与电流崩塌现象的缺陷，提升了GaN HEMT器件模型对阈值电压及漏极电流的预测精度。
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公开(公告)号：CN114551573A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210174673.3
申请日：2022-02-24
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/78
摘要： 本发明属于半导体技术领域，涉及一种氮化镓P沟道器件(P‑MOSFET)。本发明中氮化镓P‑MOSFET的AlGaN势垒层具有渐变Al组分，利用渐变Al组分AlGaN势垒层和P‑GaN沟道层之间的极化效应，在P‑GaN/AlGaN异质结界面产生二维空穴气(2DHG)，形成导电空穴沟道，从而形成氮化镓P‑MOSFET。本发明的有益效果：利用渐变Al组分AlGaN势垒层，可以通过调节渐变Al组分AlGaN势垒层中各层的Al组分调节AlGaN与P‑GaN沟道层之间的极化强度，从而调节极化产生的2DHG浓度、氮化镓P‑MOSFET的阈值电压和电流能力；同时，也可以通过调节AlGaN势垒层中各层的Al组分，调节AlGaN/GaN异质结界面二维电子气(2DEG)浓度，从而实现氮化镓P‑MOSFET和氮化镓N‑MOSFET的单片集成。
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公开(公告)号：CN114564907A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210195724.0
申请日：2022-03-01
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： G06F30/367 , H01L29/778
摘要： 本发明公开一种GaN HEMT器件阈值电压及漏极电流模型的建立方法。本发明以薛定谔泊松方程、费米狄拉克统计为基础，考虑氮化镓HEMT器件高频、高漏源电压开关条件下阈值电压漂移，基于陷阱中心对沟道载流子的捕获与释放效应，将器件阈值电压漂移模型构建为与器件漏源电压和器件开关频率相关，并基于此构建出可适用于不同漏源电压和开关频率下氮化镓高电子迁移率晶体管阈值电压及漏极电流的解析模型。本发明的GaN HEMT器件阈值电压及漏极电流模型建立方法，解决了目前主流模型在电路仿真平台中无法预测GaN HEMT器件在不同频率不同漏源电压下的阈值电压漂移与电流崩塌现象的缺陷，提升了GaN HEMT器件模型对阈值电压及漏极电流的预测精度。
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