融合式共面波导介质集成缺陷地结构及差分功率分配器

    公开(公告)号:CN116780141A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202310901670.X

    申请日:2023-07-21

    IPC分类号: H01P3/00 H01P3/18 H01P5/12

    摘要: 本申请实施例公开了一种融合式共面波导介质集成缺陷地结构及差分功率分配器,涉及无源器件技术领域,包括:共面波导层和介质集成缺陷地结构及中间一层介质层,所述介质集成缺陷地结构为多层结构,所述介质集成缺陷地结构的顶层为去除部分金属形成的缺陷结构金属层,底层为一层完整金属层,作为介质集成缺陷地结构的参考地,中间填充介质层;从顶层至底层通过多个金属过孔相连接。采用融合式共面波导介质集成缺陷地结构,使泄露到空气中的电磁辐射减少,进而提升器件、电路的自身性能,减小对其他器件、电路的干扰,利于信号传输系统的集成。

    一种无分频器锁相环及其参考双延时锁频方法

    公开(公告)号:CN116094516A

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN202310152821.6

    申请日:2023-02-08

    发明人: 陈文 舒一洋 罗讯

    摘要: 本申请实施例公开了一种无分频器锁相环及其参考双延时锁频方法,亚采样锁相环架构接收参考信号后将振荡器的输出反馈给参考双延时的锁频环,基于参考双延时的锁频环中的参考双延时产生器的输出端与采样保持电路的输入端电连接,采样保持电路的输出端与自动相位误差状态检测器的输入端电连接,采样保持电路同时接收亚采样锁相环架构的振荡器输出反馈信号;自动相位误差状态检测器的输出端与自适应输出频率校正器的输入端电连接,自适应输出频率校正器的输出端与亚采样锁相环架构电连接。引入不均等的双参考时钟延时,结合采样保持电路实现输出频率的检测,用工作在参考频率的新型锁频环代替了传统的锁频环,解决了高频分频器引入的高功耗问题。

    适用于毫米波段无源滤波器的谐振器结构及集成结构

    公开(公告)号:CN115173018B

    公开(公告)日:2024-01-12

    申请号:CN202210677498.X

    申请日:2022-06-15

    IPC分类号: H01P7/08 H01P1/203

    摘要: 优点。本发明公开了一种适用于毫米波段无源滤波器的谐振器结构及集成结构,包括馈线层,包括第一馈线和第二馈线;谐振层,设置在馈线层下,且所述谐振层包括与所述第一馈线耦合的第一谐振器、与所述第二馈线耦合的第二谐振器;所述第一谐振器和所述第二谐振器之间设置有第三谐振器,且所述第三谐振器分别与所述第一谐振器和所述第二谐振器耦合;其中,所述第三谐振器具有与所述第一谐振器和第二谐振器不同的高次谐波;衬底层,设置在所述谐振层下,包

    一种输入端无反射电路、芯片及设备

    公开(公告)号:CN116938182A

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202310901712.X

    申请日:2023-07-21

    IPC分类号: H03H7/42

    摘要: 本申请实施例公开了一种输入端无反射电路、芯片及设备,包括:主电路和无反射电路,所述无反射电路位于主电路前端,所述无反射电路顶层金属和中间层金属为微带线,形成垂直耦合结构;底层为一块完整的金属,是该结构的参考地,相邻两层金属之间填充介质层。采用主电路和无反射电路设计结构,实现电路输入端口无反射功能。通过级联上述无反射电路和主电路,实现小型化的输入端无反射电路的设计。输入端无反射电路,可广泛应用于无源/有源电路以及系统设计中,也可集成到芯片中,更加符合多功能无线通信系统的发展需求。

    一种高数据率功率放大器
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116155209A

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202310171378.7

    申请日:2023-02-20

    发明人: 杨秉正 罗讯

    IPC分类号: H03F1/02 H03F3/20

    摘要: 本发明公开了一种高数据率功率放大器,由一对差分放大管和单元阵列构成;所述单元阵列包含多个双沿触发单元,所述双沿触发单元包含两个相同的D触发器、两个相同电路尺寸的传输门、一个与门以及一个开关管N1;两个D触发器的输出端分别对应连接两个传输门的输入端,两个传输门的输出端连接后共同接入与门的一个输入端,与门的输出端与开关管N1的栅极相连,开关管N1的源极接地,每个双沿触发单元中的开关管N1的漏极相接后与所述差分放大管相连。本发明在保持采样频率CLK不变的情况下,假定传统数字化功率放大器的基带信号符号率为BW,采用了双沿触发技术后,等效的基带信号符号率提升为2BW,使得传输数据率在理论上能提升一倍。因此,适宜推广应用。

    一种宽频多相耦合行波振荡器
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115225035A

    公开(公告)日:2022-10-21

    申请号:CN202210677480.X

    申请日:2022-06-15

    IPC分类号: H03B5/12

    摘要: 本发明公开了一种宽频多相耦合行波振荡器,通过第一开关单元和第二开关单元实现两个行波振荡器单元耦合模式的切换,从而实现两个不同的振荡频率,极大提升了传统多相振荡器的输出频率范围;此外,两个行波振荡器单元耦合时的版图由于重叠部分较大,整体面积几乎没有增加;并且用于模式切换的开关在设计时没有位于传输路径上,其寄生效应对振荡器的整体性能影响很小,可以适用于高频设计。

    一种相位调制移相阵列接收机及方法

    公开(公告)号:CN116781126A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202310479211.7

    申请日:2023-04-28

    发明人: 罗讯 邓至贤

    IPC分类号: H04B7/08

    摘要: 本申请实施例公开了一种相位调制移相阵列接收机及方法,包括N个接收机基本单元,所述接收机基本单元的接收端与低躁放大器输出端电连接,所述接收机基本单元的输出端与数字波束赋形模块电连接,所述接收机基本单元接收所述低躁放大器低躁放大后的信号,将所述信号进行幅度和相位拆分获得幅度信息和相位信息。将阵列接收机中各个通道接收到信号的调幅、调相信息分别采样运算,实现波束赋形,字波束赋形时可以很容易提取出来自不同方向的接收信息。并且模数采样频率只需要满足基带信号的奈奎斯特采样定律,可以大幅度降低对模数转换器采样速率的要求,且时数转换器只需要获得信号的幅度信息,可以大幅降低其精度要求,从而降低整个系统的功耗。

    一种深度噪声抵消的低噪声放大器

    公开(公告)号:CN116260399A

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202310183313.4

    申请日:2023-02-20

    IPC分类号: H03F1/26 H03F3/45

    摘要: 本发明公开了一种深度噪声抵消的低噪声放大器,主要解决现有低噪声放大器高频下单级增益低,后级电路的噪声占比高的问题。该低噪声放大器包括非对称补偿共栅‑共源噪声抵消级:信号从射频输入端输入共栅‑共源噪声抵消级,对信号进行放大后降噪输出。全差分电阻反馈噪声抵消级:接收共栅‑共源噪声抵消级的差分输出信号作为低噪声放大器的第二级,并抵消第二级晶体管噪声;增益级:对电阻反馈噪声抵消级输出的信号进行放大。本发明与传统的无噪声抵消架构,单级噪声抵消架构的低噪声放大器相比,深度噪声抵消架构低噪声放大器可以有效抵消放大器的第一级与第二级噪声,从而降低电路在输出端产生的噪声占比,降低噪声系数。因此,适宜推广应用。

    适用于毫米波段无源滤波器的谐振器结构及集成结构

    公开(公告)号:CN115173018A

    公开(公告)日:2022-10-11

    申请号:CN202210677498.X

    申请日:2022-06-15

    IPC分类号: H01P7/08 H01P1/203

    摘要: 本发明公开了一种适用于毫米波段无源滤波器的谐振器结构及集成结构,包括馈线层,包括第一馈线和第二馈线;谐振层,设置在馈线层下,且所述谐振层包括与所述第一馈线耦合的第一谐振器、与所述第二馈线耦合的第二谐振器;所述第一谐振器和所述第二谐振器之间设置有第三谐振器,且所述第三谐振器分别与所述第一谐振器和所述第二谐振器耦合;其中,所述第三谐振器具有与所述第一谐振器和第二谐振器不同的高次谐波;衬底层,设置在所述谐振层下,包括金属屏蔽层,且所述金属屏蔽层通过金属过孔与谐振层相连;采用所述结构的滤波器具有宽阻带、宽通带、占用版图面积小、对外电磁辐射低的优点。

    一种低相位噪声多核振荡器、芯片及设备

    公开(公告)号:CN116111955A

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN202310082128.6

    申请日:2023-02-08

    发明人: 舒一洋 罗讯

    IPC分类号: H03B5/12 H03B1/04

    摘要: 本申请实施例公开了一种低相位噪声多核振荡器、芯片及设备,n对P型交叉晶体管对和N型交叉晶体管对,第一电容CD、第二电容CC、互相耦合的电感均为2n个、电阻网络,第一电容CD连接在交叉晶体管的两端,第二电容CC连接在N型交叉晶体管对和P型交叉晶体管对之间,第一组n个电感与另一组n个电感交叉耦合在一起,每个电感两端连接一个N型晶体管与一个P型晶体管,每个电感中心抽头通过电阻网络相连接。采用差分电容控制共模以及差模谐振频率,避免单端电容对共模以及差模品质因数的恶化。电感之间的磁性耦合对共模状态不起作用,从而不会恶化共模电感品质因数。在相同的电容比值的情况下,电感的共模以及差模的品质因数都有所提升。