公开(公告)号：CN115058700A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202210728587.2

申请日：2022-06-24

申请人： 电子科技大学中山学院

发明人： 高庆国 ,  陈思敏 ,  陈滤成 ,  许哲铨 ,  张崇富 ,  潘新建 ,  于淼 ,  陈又鲜

IPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/44

摘要： 本申请适用半导体材料技术领域，提供了二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜，包括：将硫源和钼源置于加热装置内，于常压条件下保持10‑50sccm的惰性气体流量，分别对硫源和钼源进行加热处理2‑20min以进行化学气相沉积反应，得二硫化钼薄膜；其中，硫源放置于刚玉舟内；钼源放置于石英舟上且在石英舟内放置惰性耐高温垫片，并在垫片上方放置玻璃基底。本申请采用惰性耐高温材质作为垫片辅助玻璃衬底生长单晶体二硫化钼或者大尺寸二硫化钼连续膜，能够杜绝多余钼源供给及其他的杂质引入，能极大减小干扰因素，其良好的亲水性亦能极大地铺展熔融玻璃，提高化学气相沉积反应，能够实现高质量大单晶低成本二硫化钼半导体薄膜制备。

公开(公告)号：CN115763369A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211440766.2

申请日：2022-11-17

申请人： 电子科技大学中山学院

发明人： 高庆国 ,  曹天凡 ,  区港彬 ,  陈思敏 ,  黄婉莹 ,  于淼 ,  潘新建 ,  刘黎明 ,  张崇富

IPC分类号： H01L21/77

摘要： 本发明公开了一种提高ITO薄膜晶体管本征电学性能的方法，该方法在室温、高度真空环境下，使用磁控溅射仪以射频磁控溅射的方式溅射N型ITO薄膜，后用导电金属加热蒸发以形成ITO薄膜晶体管的源漏电极，ITO薄膜经过第一预退火工艺处理、ITO薄膜晶体管经过第一后退火工艺处理或者ITO薄膜晶体管经过两步退火工艺处理，两步退火工艺包括对ITO薄膜采用的第二预退火工艺和对ITO薄膜晶体管采用的第二后退火工艺，与现有技术相比，第一预退火工艺可大幅度提升迁移率，第一后退火工艺可得到较小亚阈值摆幅以及较大开关比，两步退火工艺可以提升ITO薄膜晶体管的迁移率，并且兼顾其他本征电学性能，工艺简单易操作，并进一步提升ITO TFT的性能和稳定性。

公开(公告)号：CN115058700B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202210728587.2

申请日：2022-06-24

申请人： 电子科技大学中山学院

发明人： 高庆国 ,  陈思敏 ,  陈滤成 ,  许哲铨 ,  张崇富 ,  潘新建 ,  于淼 ,  陈又鲜

IPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/44

摘要： 本申请适用半导体材料技术领域，提供了二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜，包括：将硫源和钼源置于加热装置内，于常压条件下保持10‑50sccm的惰性气体流量，分别对硫源和钼源进行加热处理2‑20min以进行化学气相沉积反应，得二硫化钼薄膜；其中，硫源放置于刚玉舟内；钼源放置于石英舟上且在石英舟内放置惰性耐高温垫片，并在垫片上方放置玻璃基底。本申请采用惰性耐高温材质作为垫片辅助玻璃衬底生长单晶体二硫化钼或者大尺寸二硫化钼连续膜，能够杜绝多余钼源供给及其他的杂质引入，能极大减小干扰因素，其良好的亲水性亦能极大地铺展熔融玻璃，提高化学气相沉积反应，能够实现高质量大单晶低成本二硫化钼半导体薄膜制备。