一种聚偏氟乙烯微孔过滤器及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116922640A

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202311069492.5

    申请日:2023-08-24

    摘要: 本发明属于微孔过滤技术领域,具体涉及一种聚偏氟乙烯微孔过滤器及其制备方法和应用。本发明将聚偏氟乙烯、丙酮、N,N‑二甲基甲酰胺和氯化钠混合,得到的混合浆料在含有水蒸汽的环境中静置成型,然后在空气环境中蒸发除溶剂,最后用水洗涤,得到所述聚偏氟乙烯微孔过滤器。本发明利用丙酮和N,N‑二甲基甲酰胺将聚偏氟乙烯溶解,同时以氯化钠作为造孔剂,得到的聚偏氟乙烯微孔过滤器对污水的净化作用显著,且机械稳定性强,成本低,适宜工业化应用。

    一种提高ITO薄膜晶体管电学性能的方法

    公开(公告)号:CN116313816A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310274790.1

    申请日:2023-03-21

    摘要: 本发明公开了一种提高ITO薄膜晶体管电学性能的方法,该方法首先在室温、高度真空环境下,磁控溅射仪以射频磁控溅射的方式溅射N型薄膜晶圆来形成ITO薄膜,然后金属银加热蒸发后形成ITO薄膜晶体管的源漏电极,最终金属铝加热蒸发后形成ITO薄膜晶体管的氧化铝钝化层。ITO薄膜晶体管经过两步退火工艺以及氧化铝钝化工艺处理,两步退火工艺包括对ITO薄膜采用的预退火工艺和对ITO薄膜晶体管采用的后退火工艺。与现有技术相比,氧化铝钝化工艺可以大幅度提高ITO薄膜晶体管的迁移率,并且兼顾高电流开关比,工艺简单易操作,并进一步提升ITO晶体管的性能和稳定性。

    一种反卷积滤波的高精度光纤质量检测方法及系统

    公开(公告)号:CN114486179B

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202210157600.3

    申请日:2022-02-21

    IPC分类号: G01M11/00

    摘要: 本发明提供了一种反卷积滤波的高精度光纤质量检测方法及系统。该方法包括:激光发射器发射的光脉冲信号经过环形器分别进入被测光缆和反射器,分别得到被测光缆时域回波信号和反射器时域回波信号;计算反射器时域回波信号对应的反射器频域回波信号,根据反射器频域回波信号结合系统频域传递函数,得到被测光缆时域回波信号对应的被测光缆频域回波信号;根据被测光缆频域回波信号,确定解卷积后的被测光缆频域回波信号;根据解卷积后的被测光缆频域回波信号,得到与被测光缆质量相关的高分辨率回波信号。

    一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜

    公开(公告)号:CN115058700A

    公开(公告)日:2022-09-16

    申请号:CN202210728587.2

    申请日:2022-06-24

    IPC分类号: C23C16/30 C23C16/44

    摘要: 本申请适用半导体材料技术领域,提供了二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜,包括:将硫源和钼源置于加热装置内,于常压条件下保持10‑50sccm的惰性气体流量,分别对硫源和钼源进行加热处理2‑20min以进行化学气相沉积反应,得二硫化钼薄膜;其中,硫源放置于刚玉舟内;钼源放置于石英舟上且在石英舟内放置惰性耐高温垫片,并在垫片上方放置玻璃基底。本申请采用惰性耐高温材质作为垫片辅助玻璃衬底生长单晶体二硫化钼或者大尺寸二硫化钼连续膜,能够杜绝多余钼源供给及其他的杂质引入,能极大减小干扰因素,其良好的亲水性亦能极大地铺展熔融玻璃,提高化学气相沉积反应,能够实现高质量大单晶低成本二硫化钼半导体薄膜制备。

    一种微波加热设备
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112203373A

    公开(公告)日:2021-01-08

    申请号:CN202011193937.7

    申请日:2020-10-30

    IPC分类号: H05B6/64 H05B6/68 D06F58/26

    摘要: 本发明公开了一种微波加热设备,包括一箱体,箱体内设置有独立的保温腔和干衣腔,箱体内还设置有控制器、微波源模组、第一和第二波导系统;微波源模组与控制器电连接;保温腔和干衣腔的顶部分别设置有第一和第二密封板,第一和第二波导系统的上端与微波源模组连接,第一和第二波导系统的下端分别与第一和第二密封板连接,并在第二波导系统内设置有电磁波搅拌片,本发明通过在箱体内设置微波源模组、独立的保温腔和干衣腔分别实现保温功能和烘干衣物功能,控制器和温度传感器便于控制保温腔内的温度,干衣腔上方设置有电磁波搅拌片,增强加热均匀性,另外烘干衣物过程中产生的热能可以通过通水管传送到保温腔内,使微波能得到了高效利用。

    一种反射式Pancharatnam-Berry相位调制的矢量光解复用装置

    公开(公告)号:CN117806050B

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410165680.6

    申请日:2024-02-05

    IPC分类号: G02B27/28 G02B17/02

    摘要: 本发明涉及激光技术与光通信领域,具体涉及一种反射式Pancharatnam‑Berry相位调制的矢量光解复用装置,包括基片、反射镜和接收板,反射镜平行地设置在基片的一侧,基片包括依次排布的分束区域、几何变换区域、合束区域,入射光倾斜照射到分束区域上,经分束区域反射后照射到反射镜上,经反射镜反射后照射到几何变换区域,经几何变换区域反射后再次照射到反射镜上,经反射镜反射后照射到合束区域,经合束区域反射后照射到接收板上。本发明在基片中设置分束区域、几何变换区域、合束区域,利用反射镜将入射光依次经过上述区域,即光在基片和反射镜之间多次反射实现光的解复用,器件具有简单、所占空间体积小、紧凑的优点。

    一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜

    公开(公告)号:CN115058700B

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202210728587.2

    申请日:2022-06-24

    IPC分类号: C23C16/30 C23C16/44

    摘要: 本申请适用半导体材料技术领域,提供了二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜,包括:将硫源和钼源置于加热装置内,于常压条件下保持10‑50sccm的惰性气体流量,分别对硫源和钼源进行加热处理2‑20min以进行化学气相沉积反应,得二硫化钼薄膜;其中,硫源放置于刚玉舟内;钼源放置于石英舟上且在石英舟内放置惰性耐高温垫片,并在垫片上方放置玻璃基底。本申请采用惰性耐高温材质作为垫片辅助玻璃衬底生长单晶体二硫化钼或者大尺寸二硫化钼连续膜,能够杜绝多余钼源供给及其他的杂质引入,能极大减小干扰因素,其良好的亲水性亦能极大地铺展熔融玻璃,提高化学气相沉积反应,能够实现高质量大单晶低成本二硫化钼半导体薄膜制备。