公开(公告)号：CN116961632A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310765355.9

申请日：2023-06-27

Applicant: 国网上海市电力公司 ,  电子科技大学长三角研究院(湖州) ,  电子科技大学

Inventor： 曾平 ,  鲍伟 ,  李凡 ,  周德生 ,  杜炤鑫 ,  陆健 ,  冯倩 ,  毕闯 ,  唐爱欢

IPC: H03K17/04 ,  H03K17/08 ,  H03K17/16 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅MOSFET多电平驱动电路及其控制方法，电路包括碳化硅MOS管，第一MOS管的源极和第二MOS管的漏极连接，第一MOS管的源极和第二MOS管的漏极的连接处通过栅极电阻连接碳化硅MOS管的栅极；第一MOS管的漏极连接电源，第二MOS管的源极接地；第二MOS管两端并联有电阻和电容；电阻和电容的连接处连接正向输入端，正向电源端和反向输入端连接齐纳二极管的阳极，齐纳二极管的阴极连接电源，比较器的输出端连接第三MOS管的栅极；第三MOS管的漏极连接电源，第三MOS管的源极连接电阻的一端电阻和比较器的反向电源端之间连接有电容，电容两端并有电阻。与现有技术相比，本发明具有克服串扰效应等优点。

公开(公告)号：CN116663466A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202211442685.6

申请日：2022-11-17

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 毕闯 ,  罗嗣勇 ,  唐爱欢

IPC: G06F30/3323 ,  H02M3/335 ,  H02M1/44

Abstract: 本发明属于电力电子技术领域，公开了一种用于分析LLC谐振变换器的宽频阻抗模型及建模方法，包括全桥LLC谐振变换器共模宽频模型，由传输导线、焊盘、接线柱、PCB板铜走线、谐振腔、变压器、PCB走线对地寄生电容和半导体开关管MOSFET对地寄生电容高频模型组成；全桥LLC谐振变换器差模宽频模型由传输导线、焊盘、接线柱、PCB板铜走线、谐振腔、变压器、PCB走线对地寄生电容、半导体开关管MOSFET和输入电容高频模型组成。本发明具有通用性和普适性，不同的开关电源电路结构有一定的差异，但是可以本发明提出的建模方法，结合实际开关电源电路的物理结构，可以对实际开关电源进行精准建模。

公开(公告)号：CN117556768A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202311569578.4

申请日：2023-11-23

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 毕闯 ,  唐爱欢 ,  白金平 ,  陈华伟 ,  赖俊宇 ,  李学生 ,  钟其水 ,  魏明珠

IPC: G06F30/367 ,  G06F30/23 ,  G06F115/12

Abstract: 本发明属于电力电子技术领域，尤其涉及一种碳化硅电机驱动系统辐射EMI建模方法及预测辐射方法。根据电路拓扑、印刷电路板寄生效应、开关波形和传递函数开发和量化电机驱动系统的辐射EMI模型；基于天线阻抗和天线传递函数，为逆变器电缆开发了天线模型；基于逆变器的EMI模型和电缆的天线模型开发了完整的辐射EMI模型。本发明基于SiCMOSFET的电机驱动系统开发并量化了具有明确物理意义的辐射EMI模型，本发明的模型可以预测辐射EMI并揭示PCB布局寄生对辐射EMI的影响；可以帮助电力电子工程师在转换器设计阶段预测辐射EMI。