具有视差补偿的伽马辐射探测器

    公开(公告)号:CN109891268B

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN201780066692.1

    申请日:2017-10-24

    Abstract: 本发明涉及一种伽马辐射探测器,其提供视差效应的补偿。所述伽马辐射探测器(100)包括多个闪烁体元件(101)、平面光学探测器阵列(102)和包括针孔孔口(104)的针孔准直器(103)。每个闪烁体元件具有伽马辐射接收面(101’)和相对的闪烁光输出面(101”)。每个闪烁体元件的伽马辐射接收面面向针孔孔口,以用于响应于从针孔孔口接收的伽马辐射而生成闪烁光。闪烁体元件被布置到组(105)中。每个组具有组轴(106),其与针孔孔口(104)对齐并且垂直于该组中的每个闪烁体的辐射接收面。所述闪烁体元件中的每个的所述闪烁光输出面与所述平面光学探测器阵列(102)光学连通。

    直接转换辐射探测器
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106716178A

    公开(公告)日:2017-05-24

    申请号:CN201680002587.7

    申请日:2016-06-28

    CPC classification number: G01T1/241 G01T1/24 G01T1/202 G01T1/2985

    Abstract: 本发明涉及一种直接转换辐射探测器,其中,直接转换材料包括石榴石,其具有Z3(AlxGay)5O12:Ce的组成,其中,Z为Lu、Gd、Y、Tb或者其组合,并且其中,y等于或大于x;并且优选Z包括Gd。合适的石榴石将诸如X射线或伽马射线的辐射直接转换成电子信号。优选地,所述石榴石的光致发光为低或不存在的。所述探测器尤其适合用于在诸如计算机断层摄影的X射线成像设备中使用。在一些实施例中,石榴石的光致发光可以用于构建混合直接‑间接转换探测器,其可能尤其适合用于与飞行时间PET一起使用。

    组合x射线和核成像
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108697398B

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN201780015893.9

    申请日:2017-02-28

    Abstract: 本发明涉及一种用于探测x射线量子和伽马量子的组合成像探测器(110)。所述组合成像探测器(110)适于同时探测伽马量子和x射线量子。所述组合成像探测器(110)包括沿辐射接收方向(116)以堆叠配置布置的x射线防散射栅格(111)、x射线闪烁体元件层(112)、第一光电探测器阵列(113)、伽马闪烁体元件层(114)以及第二光电探测器阵列(115)。所述x射线防散射栅格(111)包括多个隔板(117A、B、C),所述多个隔板限定多个孔径(118),所述多个孔径被配置为对从所述辐射接收方向(116)接收到的x射线量子和伽马量子两者进行准直,使得接收到的伽马量子仅被所述x射线防散射栅格(111)准直。使用所述x射线防散射栅格作为针对接收到的伽马量子的准直器得到明显更轻的组合成像探测器。

    多模态成像装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105592795B

    公开(公告)日:2019-08-06

    申请号:CN201480052994.X

    申请日:2014-09-18

    CPC classification number: G01T1/1603 A61B6/037 A61B6/4417 G01T1/2985

    Abstract: 本发明涉及一种用于对对象中的过程进行成像的多模态成像装置,包括:闪烁体,其包括闪烁体元件,以用于捕获由放射性示踪剂生成的入射伽马量子并响应于捕获的伽马量子发射闪烁光子;光电探测器,其包括光敏元件,以用于捕获所发射的闪烁光子并确定闪烁光子的空间分布;以及读取电子器件,其用于基于闪烁光子的空间分布来确定入射伽马量子在闪烁体中的撞击位置和/或指示伽马量子在对象中的发射点的参数。成像装置被配置为在用于探测低能伽马量子的第一操作模式与用于探测高能伽马量子的第二操作模式之间切换。高能伽马量子具有比低能伽马量子更高的能量。闪烁体被布置为在第一操作模式中和在第二操作模式中捕获来自相同的感兴趣区的入射伽马量子。

    用于表征闪烁体材料的表征装置

    公开(公告)号:CN107209275A

    公开(公告)日:2017-09-26

    申请号:CN201580040855.X

    申请日:2015-07-10

    Abstract: 本发明涉及一种用于表征特别是用于PET探测器的闪烁体材料(3)的表征装置(1)。第一辐射源(2)利用具有小于450nm的波长的第一辐射(4)来辐照所述闪烁体材料。然后,第二辐射源(5)利用具有大于600nm的波长并且具有等于或小于50s的脉冲持续时间的脉冲第二辐射(6)来辐照所述闪烁体材料,其中,在由所述第二辐射进行的所述辐照期间和/或之后,探测设备(9)探测来自所述闪烁体材料(3)的第三辐射(12)。所述第三辐射取决于在所述闪烁体材料的电子缺陷处捕获的电荷载体的量,使得其能够被用作针对电子缺陷的量的指示物,并且因此能够被用于表征所述闪烁体材料。所述表征能够以相对快速且相对简单的方式被执行。

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