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公开(公告)号：CN118231514A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202211635207.7
申请日：2022-12-19
申请人： 盐城阿特斯阳光能源科技有限公司 , 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0352
摘要： 本发明提供一种太阳能电池制备方法，包括如下步骤：选用N型硅片，在其正面制绒；在制绒后的硅片正面形成选择性发射极，所述选择性发射极包括重掺杂区、轻掺杂区，所述重掺杂区与所述轻掺杂区在硅片的厚度方向上具有高度差；在所述重掺杂区的正面形成正面金属电极。该方法中，所述重掺杂区与所述轻掺杂区在硅片的厚度方向上具有高度差，扩大了正面的受光面积；且与传统的二次硼扩技术兼容性高，SE提效效果好。
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公开(公告)号：CN219696463U
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202223422454.7
申请日：2022-12-19
申请人： 盐城阿特斯阳光能源科技有限公司 , 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0288 , H01L31/042 , H01L31/0224
摘要： 本实用新型提供一种太阳能电池，包括硅片、位于硅片正面的选择性发射极、正面金属电极，其特征在于，所述选择性发射极包括重掺杂区、轻掺杂区，所述重掺杂区与所述轻掺杂区在硅片的厚度方向上具有高度差，所述正面金属电极位于所述重掺杂区的正面并与其接触。所述重掺杂区与所述轻掺杂区在硅片的厚度方向上具有高度差，扩大了正面的受光面积；且与传统的二次硼扩技术兼容性高，SE技术提效高。
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公开(公告)号：CN114695593A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011611034.6
申请日：2020-12-30
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本申请提供了一种背接触电池的制备方法与背接触电池，所述制备方法包括对硅基底进行表面处理后，在硅基底的背面进行扩散，形成第一掺杂层及位于所述第一掺杂层背离硅基底一侧表面上的氧化层，然后，去除第一区域背面的氧化层与第一掺杂层；在硅基底背面依次制备隧穿层与掺杂多晶硅层，然后，去除第二区域背面的掺杂多晶硅层；再依次进行清洗、镀膜与金属化，得到背接触电池。上述制备方法在第一掺杂层及掺杂多晶硅层的去除过程中，通过氧化层对第二区域进行保护，避免第二区域背面的第一掺杂层出现损伤，无需另行制备保护层，后续清洗亦较为方便，简化工艺，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN112825340A
公开(公告)日：2021-05-21
申请号：CN201911120917.4
申请日：2019-11-15
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042 , H01L31/0224
摘要： 本发明提供了一种钝化接触电池及其制备方法和应用，所述钝化接触电池的制备方法包括氧化层的形成方法，所述氧化层的形成方法包括：先进行化学氧化，而后进行热氧化，形成所述氧化层；钝化接触的制备方法中氧化层采用化学氧化和热氧化叠加处理生长氧化层，便于快速均匀的形成氧化层；该钝化接触电池的制备方法得到的钝化接触电池具有较好的光转化效率和良率。
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公开(公告)号：CN112542519A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910897581.6
申请日：2019-09-23
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/054 , H01L31/18 , B82Y40/00
摘要： 本申请提供一种太阳能电池及其制备方法，所述太阳能电池包括硅片、分别设置在所述硅片两侧的正面电极与背面电极，所述硅片的正面形成有扩散层，且所述硅片具有第一区域与第二区域；所述太阳能电池还包括依次设置在所述第一区域正面的隧穿层与掺杂碳化硅层、设置在所述掺杂碳化硅层及所述第二区域的扩散层上的减反射层，所述正面电极穿透所述减反射层并与所述掺杂碳化硅层相接触。本申请太阳能电池降低了正面电极位置的复合损失与接触电阻，保证太阳能电池表面对光线的吸收，提高转换效率。
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公开(公告)号：CN112825302A
公开(公告)日：2021-05-21
申请号：CN201911147740.7
申请日：2019-11-21
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , G01R31/389
摘要： 本申请提供一种太阳能电池的测试方法，包括制备测试样品，所述测试样品包括硅衬底、位于硅衬底一侧表面的隧穿层、设置在所述隧穿层背离硅衬底一侧的掺杂多晶硅层、设置在所述掺杂多晶硅层上的若干金属电极；根据测试样品的结构，确定相邻金属电极之间的电阻R的算式，测试获取N组不同相邻金属电极之间的电阻R；再建立方程组，计算得到所述隧穿层的隧穿电阻R2与隧穿电阻率ρ1、所述掺杂多晶硅层的薄层电阻R3与方阻R□、所述金属电极的接触电阻R4与接触电阻率ρ2。所述测试方法能够测试得到掺杂多晶硅层的方阻、隧穿层的隧穿电阻率与金属电极的接触电阻率，更有效的评估太阳能电池的各膜层与金属电极的性能，利于调整优化相应的工艺制程。
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公开(公告)号：CN114695593B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202011611034.6
申请日：2020-12-30
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本申请提供了一种背接触电池的制备方法与背接触电池，所述制备方法包括对硅基底进行表面处理后，在硅基底的背面进行扩散，形成第一掺杂层及位于所述第一掺杂层背离硅基底一侧表面上的氧化层，然后，去除第一区域背面的氧化层与第一掺杂层；在硅基底背面依次制备隧穿层与掺杂多晶硅层，然后，去除第二区域背面的掺杂多晶硅层；再依次进行清洗、镀膜与金属化，得到背接触电池。上述制备方法在第一掺杂层及掺杂多晶硅层的去除过程中，通过氧化层对第二区域进行保护，避免第二区域背面的第一掺杂层出现损伤，无需另行制备保护层，后续清洗亦较为方便，简化工艺，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN112951927A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201911253664.8
申请日：2019-12-09
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本申请提供一种太阳能电池的制备方法，包括在硅片的一侧表面制备隧穿层，再于所述隧穿层表面依次制备第一掺杂多晶硅层、第二掺杂多晶硅层，所述第一掺杂多晶硅层的掺杂浓度小于第二掺杂多晶硅层的掺杂浓度，并经后续退火得到掺杂多晶硅层。本申请通过对掺杂多晶硅层的制备过程进行优化，先在靠近隧穿层的位置制备掺杂浓度较低的第一掺杂多晶硅层，再层叠制备掺杂浓度较高的第二掺杂多晶硅层，后续高温退火形成掺杂多晶硅层的过程中，能够减小对隧穿层钝化效果的影响，提高电池性能。
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公开(公告)号：CN112909120A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201911144238.0
申请日：2019-11-20
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216
摘要： 本发明公开了一种提高Al2O3镀膜钝化效果的方法，涉及太阳能电池片生产技术领域，所述方法包括：在硅片表面沉积Al2O3之后，进行红外加热的步骤。本发明通过使用红外加热的瞬间加热功能，可以诱导出大量的Al3+空穴与间隙O2‑，从而Al2O3所带负电荷量增多，同样在Al2O3与硅接触的界面也因为IR的处理，界面态密度变小，提升了钝化效果。
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公开(公告)号：CN118472062A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410917310.3
申请日：2024-07-10
申请人： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 扬州阿特斯太阳能电池有限公司 , 扬州阿特斯光电材料有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 一种太阳能电池及其制备方法，太阳能电池包括位于背面的P区和N区，所述P区包括重掺杂区和轻掺杂区，所述N区的背面设有隧穿层、N型掺杂多晶硅层；太阳能电池还包括位于所述重掺杂区背面的第一电极、位于所述N型掺杂多晶硅层背面的第二电极。所述太阳能电池通过将第一电极和第二电极均设置于背面，正面无金属电极遮挡，受光面积大，光转化效率高，提高了电池效率。并通过在P区设置SE结构，提高了电池的开路电压和短路电流；在N区设置钝化接触结构，对其表面进行钝化，提高了短路电流，整体上提高了电池效率。
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