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公开(公告)号：CN114792640A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210303065.8
申请日：2022-03-24
申请人： 盛吉盛半导体科技(北京)有限公司 , 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/223
摘要： 本发明涉及一种晶圆掺氮装置，包括衬板、腔体以及抽气部，衬板设置于腔体的内部并与腔体的底部之间形成空间，抽气部与该空间连通，衬板上开设有多个通孔，多个通孔被构造成随着与抽气部的距离的增加，多个通孔的孔径增大。本发明能够提高晶圆掺氮装置的腔体内的气压均衡性。
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公开(公告)号：CN114602401A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210216131.8
申请日：2022-03-07
申请人： 盛吉盛半导体科技(北京)有限公司 , 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种硅反应装置，包括腔体以及抽气部，抽气部设置于腔体的底部的中央并与腔体连通，抽气部包括阀板、连杆、抽气管道以及驱动组件，连杆的第一端与阀板固定连接，驱动组件与连杆的第二端连接以驱动连杆做升降运动，阀板用于在连杆的作用下开启或关闭抽气管道。本发明能够提高腔体内硅晶圆表面的气体的均匀性，同时能够调控腔体内的压力，使得压力趋于平稳。
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公开(公告)号：CN114914145A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210226246.5
申请日：2022-03-09
申请人： 盛吉盛半导体科技(北京)有限公司 , 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种用于半导体加工装置的腔室内衬和半导体加工装置，该腔室内衬包括一个或多个内衬体，至少一个所述内衬体包括多个内衬部件，所述多个内衬部件相互连接以形成为所述内衬体；其中，在两个或多个所述内衬部件的相互连接的位置，至少一个内衬部件的连接结构的至少一部分伸入另一内衬部件的对应连接结构，以使得所述多个内衬部件的相互连接的位置不裸露腔室。利用本发明的用于半导体加工装置的腔室内衬和半导体加工装置，安装方便快速，可覆盖腔室内部暴露的所有腔室表面，能够提高颗粒度和金属污染水平。
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公开(公告)号：CN114783851A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210287875.9
申请日：2022-03-22
申请人： 盛吉盛半导体科技(北京)有限公司 , 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种等离子体源以及半导体反应设备，该等离子体源包括中央衬套以及多个线圈，多个线圈从中央衬套螺旋地延伸以围绕中央衬套，多个线圈上的相邻线圈曲线之间的间距被设置为由中央衬套向外部逐渐增大。本发明能够产生均匀的磁场强度。
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公开(公告)号：CN114664707A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210289245.5
申请日：2022-03-22
申请人： 盛吉盛半导体科技(北京)有限公司 , 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明涉及一种硅反应装置，包括腔体以及多个进气部，进气部设置在腔体的顶部，进气部具有主体，主体上设置有凹部，在凹部上开设有多个进气孔，进气孔与腔体连通。本发明能够提高硅反应装置内硅片表面温度的均匀性。
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公开(公告)号：CN114599142A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210214097.0
申请日：2022-03-07
申请人： 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司 , 盛吉盛半导体科技(北京)有限公司
摘要： 本发明涉及一种等离子体调节装置、等离子体调节方法、等离子体生成装置和半导体加工装置，该等离子体调节装置包括第一支撑件、第二支撑件和锁定件；其中，第一支撑件与线圈固接；第二支撑件与腔室固接；线圈设置于腔室的外部，用于在线圈通电后，在腔室的内部产生等离子体；第二支撑件与第一支撑件相配合，且第二支撑件与第一支撑件的至少一部分的配合位置的形状为曲面，以使得第一支撑件与第二支撑件之间能够进行沿所述曲面的相对转动；锁定件用于锁定第一支撑件与第二支撑件之间的相对转动。利用本发明的等离子体调节装置、调节方法、生成装置和半导体加工装置，能够对等离子生成设备中的线圈的水平度进行快速调节。
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公开(公告)号：CN217009138U
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202220471242.9
申请日：2022-03-07
申请人： 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司 , 盛吉盛半导体科技(北京)有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本实用新型涉及一种半导体反应装置，包括腔体以及抽气部，抽气部设置于腔体的底部的中央并与腔体连通，抽气部包括阀板、连杆、抽气管道以及驱动组件，连杆的第一端与阀板固定连接，驱动组件与连杆的第二端连接以驱动连杆做升降运动，阀板设置于抽气管道的顶部，阀板用于在连杆的作用下开启或关闭抽气管道。本实用新型能够提高腔体内硅晶圆表面的气体的均匀性，同时能够调控腔体内的压力，使得压力趋于平稳。
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公开(公告)号：CN216902796U
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202220637654.5
申请日：2022-03-22
申请人： 盛吉盛半导体科技(北京)有限公司 , 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本实用新型涉及一种用于半导体反应设备的线圈以及半导体反应设备，该用于半导体反应设备的线圈包括中央衬套以及多个单元线圈，中央衬套位于多个单元线圈的中央，多个单元线圈从中央衬套螺旋地延伸以围绕中央衬套，多个单元线圈上的相邻线圈曲线之间的间距被设置为由中央衬套向外部逐渐增大。本实用新型能够产生均匀的磁场强度。
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公开(公告)号：CN216905414U
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202220479573.7
申请日：2022-03-07
申请人： 盛吉盛半导体科技(北京)有限公司 , 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司
IPC分类号： H05H1/24
摘要： 本实用新型涉及一种等离子体发生设备和半导体加工设备，该等离子体发生设备包括第一框架、第二框架和锁定件；其中，第一框架与线圈固接；第二框架与腔室固接；线圈设置于腔室的外部，用于在线圈通电后，在腔室的内部产生等离子体；第二框架与第一框架相配合，且第二框架与第一框架的至少一部分的配合位置的形状为曲面，以使得第一框架与第二框架之间能够进行沿所述曲面的相对转动；锁定件用于锁定第一框架与第二框架之间的相对转动。利用本实用新型的等离子体发生设备和半导体加工设备，能够对等离子发生设备中的线圈的水平度进行快速调节。
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公开(公告)号：CN217485406U
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202220637661.5
申请日：2022-03-22
申请人： 盛吉盛半导体科技(北京)有限公司 , 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本实用新型涉及一种半导体反应设备，包括腔体以及多个进气部，进气部设置在腔体的顶部，进气部具有主体，主体上设置有凹部，在凹部上开设有多个进气孔，进气孔与腔体连通，半导体反应设备还包括进气管道，进气管道通过进气孔连通至腔体的内部。本实用新型能够提高半导体反应设备内硅片表面温度的均匀性。
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