公开(公告)号：CN102630337A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201080045397.6

申请日：2010-08-12

Applicant: 真实仪器公司

Inventor： 司德文·丹尼尔 ,  珊妮·格莱恩 ,  费利普·索本 ,  鲍尔·马格尔

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32944 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32972 ,  H01L21/3065 ,  H01L22/14

Abstract: 一种监测等离子体处理的至少一个工艺参数的方法，该方法在半导体晶圆、表面或基底上进行，且确定等离子体工具室内发生的电弧事件。该方法包括以下步骤：检测等离子体处理期间从等离子体鞘层产生的调制光、从RF传输线采样RF电压信号和RF电流信号、处理检测到的调制光信号和RF信号以产生等离子体处理的至少一个监测统计值、以及处理监测信号以确定晶圆处理期间发生的电弧作用事件。

公开(公告)号：CN102630337B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201080045397.6

申请日：2010-08-12

Applicant: 真实仪器公司

Inventor： 司德文·丹尼尔 ,  珊妮·格莱恩 ,  费利普·索本 ,  鲍尔·马格尔

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32944 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32972 ,  H01L21/3065 ,  H01L22/14

Abstract: 一种监测等离子体处理的至少一个工艺参数的方法，该方法在半导体晶圆、表面或基底上进行，且确定等离子体工具室内发生的电弧事件。该方法包括以下步骤：检测等离子体处理期间从等离子体鞘层产生的调制光、从RF传输线采样RF电压信号和RF电流信号、处理检测到的调制光信号和RF信号以产生等离子体处理的至少一个监测统计值、以及处理监测信号以确定晶圆处理期间发生的电弧作用事件。