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公开(公告)号：CN103290433B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310259402.9
申请日：2013-06-26
申请人： 石嘴山市天和铁合金有限公司 , 北京科技大学
CPC分类号： C25C7/005 , C22B34/129 , C25C3/28 , Y02P10/212
摘要： 一种双电解槽熔盐电解制备纯钛的装置及其工艺，该工艺包括TiO2氯化、钙热还原制备TiClx (x=2,3)及电解还原TiClx制备Ti三个部分。在第一电解槽中阳极产生Cl2将电解槽底部的TiO2氯化得到TiCl4，阴极还原出质Ca又步将TiCl4还原成TiClx(x=2,3)，TiClx通过第一电解槽一侧的连通管进入第二电解槽，在阴极上被还原得到纯钛，同时阳极产生的Cl2又循环到1号槽底部，继续参与TiO2的氯化反应。本发明的优点在于：在电解槽中直接将TiO2氯化并利用阴极产物Ca进行钙热还原制备TiClx，并通过电解液的循环实现电解过程连续进行，双电解槽的应用，将TiO2氯化和TiClx制备与TiClx电解还原分开，既有利于产物钛的提取，保证钛的纯度，又将两个阳极产生的Cl2实现循环利用，进一步降低了能耗和污染。
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公开(公告)号：CN103243385B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310174224.X
申请日：2013-05-13
申请人： 北京科技大学
摘要： 本发明涉及电解精炼-液态阴极原位定向凝固制备高纯单晶硅的方法。本发明以熔融含硅合金作为电解槽的阳极，氟化物电解质置于中间层，熔融高纯硅置于最上层作为阴极，电解槽自下而上构成“熔融硅合金——熔融电解质——熔融高纯硅”三层液态电解池，随后采用恒电流电解精炼，在电解精炼过程中将阴极液态高纯硅原位提拉定向凝固进一步纯化，并直接将其制备为高纯单晶硅。多晶硅以液态形式沉出，解决了熔盐电解法制备太阳能级多晶硅的过程中，硅以固态形式沉积出来时，产物易枝晶化，导电性差，阴极固-液界面不稳定，沉积速度慢，且电流效率较低的问题；缩短了单晶硅的制备流程，又可以降低太阳能多晶硅及单晶硅电池的制造成本。
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公开(公告)号：CN103290433A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310259402.9
申请日：2013-06-26
申请人： 石嘴山市天合铁合金有限公司 , 北京科技大学
CPC分类号： C25C7/005 , C22B34/129 , C25C3/28 , Y02P10/212
摘要： 一种双电解槽熔盐电解制备纯钛的装置及其工艺，该工艺包括TiO2氯化、钙热还原制备TiClx(x=2,3)及电解还原TiClx制备Ti三个部分。在第一电解槽中阳极产生Cl2将电解槽底部的TiO2氯化得到TiCl4，阴极还原出质Ca又步将TiCl4还原成TiClx(x=2,3)，TiClx通过第一电解槽一侧的连通管进入第二电解槽，在阴极上被还原得到纯钛，同时阳极产生的Cl2又循环到1号槽底部，继续参与TiO2的氯化反应。本发明的优点在于：在电解槽中直接将TiO2氯化并利用阴极产物Ca进行钙热还原制备TiClx，并通过电解液的循环实现电解过程连续进行，双电解槽的应用，将TiO2氯化和TiClx制备与TiClx电解还原分开，既有利于产物钛的提取，保证钛的纯度，又将两个阳极产生的Cl2实现循环利用，进一步降低了能耗和污染。
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公开(公告)号：CN103243385A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310174224.X
申请日：2013-05-13
申请人： 北京科技大学
摘要： 本发明涉及电解精炼-液态阴极原位定向凝固制备高纯单晶硅的方法。本发明以熔融含硅合金作为电解槽的阳极，氟化物电解质置于中间层，熔融高纯硅置于最上层作为阴极，电解槽自下而上构成“熔融硅合金--熔融电解质--熔融高纯硅”三层液态电解池，随后采用恒电流电解精炼，在电解精炼过程中将阴极液态高纯硅原位提拉定向凝固进一步纯化，并直接将其制备为高纯单晶硅。多晶硅以液态形式沉出，解决了熔盐电解法制备太阳能级多晶硅的过程中，硅以固态形式沉积出来时，产物易枝晶化，导电性差，阴极固-液界面不稳定，沉积速度慢，且电流效率较低的问题；缩短了单晶硅的制备流程，又可以降低太阳能多晶硅及单晶硅电池的制造成本。
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