公开(公告)号：CN108722409A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810390194.9

申请日：2018-04-27

申请人： 石河子大学

发明人： 代斌 ,  柳赛锋 ,  彭文才

IPC分类号： B01J23/72 ,  B01J23/843 ,  C07C33/046 ,  C07C29/42

CPC分类号： B01J23/72 ,  B01J23/002 ,  B01J23/8437 ,  B01J35/0013 ,  B01J2523/00 ,  C07C29/42 ,  B01J2523/17 ,  B01J2523/31 ,  B01J2523/54 ,  C07C33/046

摘要： 本发明是关于一种介孔铜基氧化铝催化剂、制备方法及应用，其制备方法包括：将铜源和模板剂溶于有机溶剂中，得到前驱体溶液；将铝源和酸溶于有机溶剂中，得到载体溶液；将所述的前驱体溶液和载体溶液混合，搅拌，老化，煅烧，得到介孔铜基氧化铝催化剂。本发明的介孔铜基氧化铝催化剂具有活性好、选择性高、强度高、易分离、催化剂颗粒均匀、易活化等优点，催化剂的制备方法简单易行、重复性好，经济和技术性能十分显著。

公开(公告)号：CN116102018A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211413444.9

申请日：2022-11-11

申请人： 石河子大学

发明人： 张建树 ,  赵文龙 ,  张金利 ,  郭瑞丽 ,  彭文才

IPC分类号： C01B33/107

摘要： 本发明提供一种多晶硅副产低聚氯硅烷中六氯二硅烷的分离方法，包括以下步骤：(1)将多晶硅副产低聚氯硅烷进行裂解反应，所述裂解反应是通入HCl气体与多晶硅副产低聚氯硅烷进行反应，反应温度为90℃‑120℃，将产生的气体冷凝，并收集裂解反应的剩余液体；所述多晶硅副产低聚氯硅烷包括六氯乙硅烷、六氯乙硅氧烷、五氯乙硅烷、四氯硅烷和三氯氢硅；(2)将裂解反应的剩余液体进行低温结晶，过滤分离出晶体。本发明所提供的裂解反应与结晶分离结合的方法，对设备要求低，制备过程简单，耗能低，对多晶硅二聚体中分离Si2Cl6效果促进明显。

公开(公告)号：CN104447297A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410644964.X

申请日：2014-11-14

申请人： 复旦大学 ,  石河子大学

发明人： 郭浩 ,  朱明远 ,  徐彩霞 ,  马晓伟 ,  彭文才 ,  代斌

IPC分类号： C07C63/06 ,  C07C51/265

CPC分类号： C07C51/255 ,  C07C45/36 ,  C07C51/265 ,  C07C47/54 ,  C07C63/06

摘要： 本发明属于化工技术领域，具体为一种以光照为条件有机胺催化合成苯甲酸的方法。本发明方法包括以下步骤：将原料甲苯、有机胺催化剂及溶剂加入反应器中；空气氛中磁力搅拌反应；反应温度25-100℃；在300-1000 W Xe lamp光照条件下反应1-30 h。本发明方法避免了传统合成方法中使用高腐蚀性，高毒，易制毒试剂，提高了工业合成反应的清洁性，降低了环境污染，降低了能耗。本发明方法采用三乙胺作为反应的催化剂，降低了成本。本发明方法一步完成，使用的原料种类单一，提高了工艺的经济性。

公开(公告)号：CN116102018B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202211413444.9

申请日：2022-11-11

申请人： 石河子大学

发明人： 张建树 ,  赵文龙 ,  张金利 ,  郭瑞丽 ,  彭文才

IPC分类号： C01B33/107

摘要： 本发明提供一种多晶硅副产低聚氯硅烷中六氯二硅烷的分离方法，包括以下步骤：(1)将多晶硅副产低聚氯硅烷进行裂解反应，所述裂解反应是通入HCl气体与多晶硅副产低聚氯硅烷进行反应，反应温度为90℃‑120℃，将产生的气体冷凝，并收集裂解反应的剩余液体；所述多晶硅副产低聚氯硅烷包括六氯乙硅烷、六氯乙硅氧烷、五氯乙硅烷、四氯硅烷和三氯氢硅；(2)将裂解反应的剩余液体进行低温结晶，过滤分离出晶体。本发明所提供的裂解反应与结晶分离结合的方法，对设备要求低，制备过程简单，耗能低，对多晶硅二聚体中分离Si2Cl6效果促进明显。

公开(公告)号：CN116282039A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211634863.5

申请日：2022-12-19

申请人： 石河子大学

发明人： 张建树 ,  袁威 ,  郭瑞丽 ,  彭文才 ,  张金利

IPC分类号： C01B33/107

摘要： 本发明涉及三氯氢硅的提纯技术领域，具体涉及一种三氯氢硅中硼杂质的清除方法。本发明提供了一种三氯氢硅中硼杂质的清除方法。相比活性炭及商品树脂等常规吸附剂，本发明所用的氮掺杂碳材料不仅具有比表面积大，孔隙结构发达等特点，并且其在高温改性后具有较好的热稳定性，所引入的氮能增强碳材料对硼杂质的选择性，显著提高对硼杂质的吸附效果。发明人首次发现并验证当氮形态为吡啶氮时，其具有较好的硼杂质吸附效果。本发明所提供的三氯氢硅中硼杂质的清除方法操作简单，成本较低，适合工业化推广。

公开(公告)号：CN104447297B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201410644964.X

申请日：2014-11-14

申请人： 复旦大学 ,  石河子大学

发明人： 郭浩 ,  朱明远 ,  徐彩霞 ,  马晓伟 ,  彭文才 ,  代斌

IPC分类号： C07C63/06 ,  C07C51/265

摘要： 本发明属于化工技术领域，具体为一种以光照为条件有机胺催化合成苯甲酸的方法。本发明方法包括以下步骤：将原料甲苯、有机胺催化剂及溶剂加入反应器中；空气氛中磁力搅拌反应；反应温度25-100℃；在300-1000 W Xe lamp光照条件下反应1-30h。本发明方法避免了传统合成方法中使用高腐蚀性，高毒，易制毒试剂，提高了工业合成反应的清洁性，降低了环境污染，降低了能耗。本发明方法采用三乙胺作为反应的催化剂，降低了成本。本发明方法一步完成，使用的原料种类单一，提高了工艺的经济性。