公开(公告)号：CN116102018A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211413444.9

申请日：2022-11-11

申请人： 石河子大学

发明人： 张建树 ,  赵文龙 ,  张金利 ,  郭瑞丽 ,  彭文才

IPC分类号： C01B33/107

摘要： 本发明提供一种多晶硅副产低聚氯硅烷中六氯二硅烷的分离方法，包括以下步骤：(1)将多晶硅副产低聚氯硅烷进行裂解反应，所述裂解反应是通入HCl气体与多晶硅副产低聚氯硅烷进行反应，反应温度为90℃‑120℃，将产生的气体冷凝，并收集裂解反应的剩余液体；所述多晶硅副产低聚氯硅烷包括六氯乙硅烷、六氯乙硅氧烷、五氯乙硅烷、四氯硅烷和三氯氢硅；(2)将裂解反应的剩余液体进行低温结晶，过滤分离出晶体。本发明所提供的裂解反应与结晶分离结合的方法，对设备要求低，制备过程简单，耗能低，对多晶硅二聚体中分离Si2Cl6效果促进明显。

公开(公告)号：CN116102018B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202211413444.9

申请日：2022-11-11

申请人： 石河子大学

发明人： 张建树 ,  赵文龙 ,  张金利 ,  郭瑞丽 ,  彭文才

IPC分类号： C01B33/107

摘要： 本发明提供一种多晶硅副产低聚氯硅烷中六氯二硅烷的分离方法，包括以下步骤：(1)将多晶硅副产低聚氯硅烷进行裂解反应，所述裂解反应是通入HCl气体与多晶硅副产低聚氯硅烷进行反应，反应温度为90℃‑120℃，将产生的气体冷凝，并收集裂解反应的剩余液体；所述多晶硅副产低聚氯硅烷包括六氯乙硅烷、六氯乙硅氧烷、五氯乙硅烷、四氯硅烷和三氯氢硅；(2)将裂解反应的剩余液体进行低温结晶，过滤分离出晶体。本发明所提供的裂解反应与结晶分离结合的方法，对设备要求低，制备过程简单，耗能低，对多晶硅二聚体中分离Si2Cl6效果促进明显。