公开(公告)号：CN103958520A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201280052522.5

申请日：2012-09-10

申请人： 破立纪元有限公司

发明人： H·乌斯塔 ,  达米恩·布迪涅 ,  J·奎因 ,  A·菲奇提

IPC分类号： C07D493/04 ,  C07D495/04 ,  H01L29/786 ,  H01L51/30 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05

CPC分类号： H01L51/0074 ,  C07D493/04 ,  C07D495/04 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0525 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/0562 ,  H01L51/5296 ,  H01L51/0073

摘要： 披露了具有半导体特性的新化合物。这类化合物可以在低于约50℃的一个温度下以溶液相加工成薄膜半导体，这些薄膜半导体展现出高载流子迁移率和/或良好的电流调制特征。