公开(公告)号：CN105785506B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201510262501.1

申请日：2015-05-21

申请人： 硅光电科技股份有限公司

发明人： 石拓 ,  陈昌华 ,  邵永波 ,  潘栋

IPC分类号： G02B6/10 ,  G02B6/126 ,  G02B6/136 ,  G02B6/138

摘要： 本发明公开了各种集成的偏振旋转器‑分离器/合成器装置的实施例。集成的偏振旋转器‑分离器装置可包括输入波导部分，偏振旋转器部分，偏振分离器部分和输出波导部分，也可反向连接，作为偏振旋转器‑合成器。

公开(公告)号：CN105785506A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201510262501.1

申请日：2015-05-21

申请人： 硅光电科技股份有限公司

发明人： 石拓 ,  陈昌华 ,  邵永波 ,  潘栋

IPC分类号： G02B6/10 ,  G02B6/126 ,  G02B6/136 ,  G02B6/138

摘要： 本发明公开了各种集成的偏振旋转器?分离器/合成器装置的实施例。集成的偏振旋转器?分离器装置可包括输入波导部分，偏振旋转器部分，偏振分离器部分和输出波导部分，也可反向连接，作为偏振旋转器?合成器。

公开(公告)号：CN107065082A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710056360.7

申请日：2017-01-25

申请人： 硅光电科技股份有限公司

发明人： 张宁 ,  石拓 ,  邵永波 ,  苏宗一 ,  潘栋

IPC分类号： G02B6/42

CPC分类号： G02B6/4206 ,  G02B6/2746 ,  G02B6/30 ,  G02B6/4208 ,  G02B6/4209 ,  G02B6/4212 ,  G02B6/425 ,  G02B6/4257 ,  G02B6/4262 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0064 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/0228 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/12 ,  G02B6/4204 ,  G02B6/4251 ,  G02B6/4296

摘要： 本发明提供了一种在分布式反馈激光二极管(DFB‑LD)和硅光子集成电路芯片(Si PIC)边缘耦合器之间耦合的具有低回波损耗的新颖、紧凑且高效的封装结构，包括：DFB‑LD；Si PIC，其包括至少一个输入边缘耦合器和至少一个输出边缘耦合器；硅石罩盖，其设置在所述硅光子集成电路芯片的顶部并且与所述硅光子集成电路芯片边对边对齐；单模光纤，其对齐所述至少一个输出边缘耦合器；透镜，其设置在所述分布式反馈激光器和所述硅光子集成电路芯片的所述至少一个输入边缘耦合器之间；和隔离器，其采用折射率匹配流体结合到所述至少一个输入边缘耦合器的刻面。所述透镜配置成最小化所述分布式反馈激光二极管的输出光斑尺寸和所述硅光子集成电路芯片的至少一个输入边缘耦合器的光斑尺寸之间的不匹配。

公开(公告)号：CN105487263A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201510387070.1

申请日：2015-06-30

申请人： 硅光电科技股份有限公司

发明人： 石拓 ,  邵永波 ,  陈昌华 ,  苏宗一 ,  潘栋

IPC分类号： G02F1/01

CPC分类号： G02F1/025 ,  G02F1/2257 ,  G02F2001/0152 ,  G02F2001/212 ,  G02F1/011 ,  G02F2001/0113

摘要： 本发明公开了光电器件的各种结构及其制造方法。光电器件可包括硅基脊型波导调制器，所述硅基脊型波导调制器可包括第一顶部硅层，第二顶部硅层和薄栅介质层。所述第一顶部硅层包括第一掺杂区，所述第一掺杂区至少部分地用第一导电型掺杂剂进行掺杂；所述第二顶部硅层包括第二掺杂区，所述第二掺杂区至少部分地用第二导电型掺杂剂进行掺杂；所述薄栅介质层设于所述第一顶部硅层和第二顶部硅层之间。所述第二掺杂区至少部分在所述第一掺杂区的正上方。所述调制器也可包括形成于所述第二顶部硅层上的脊型波导、形成于所述第一顶部硅层上的第一电触头、和形成于所述第二顶部硅层上的第二电触头。

公开(公告)号：CN107065082B

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201710056360.7

申请日：2017-01-25

申请人： 硅光电科技股份有限公司

发明人： 张宁 ,  石拓 ,  邵永波 ,  苏宗一 ,  潘栋

IPC分类号： G02B6/42

摘要： 本发明提供了一种在分布式反馈激光二极管(DFB‑LD)和硅光子集成电路芯片(Si PIC)边缘耦合器之间耦合的具有低回波损耗的新颖、紧凑且高效的封装结构，包括：DFB‑LD；Si PIC，其包括至少一个输入边缘耦合器和至少一个输出边缘耦合器；硅石罩盖，其设置在所述硅光子集成电路芯片的顶部并且与所述硅光子集成电路芯片边对边对齐；单模光纤，其对齐所述至少一个输出边缘耦合器；透镜，其设置在所述分布式反馈激光器和所述硅光子集成电路芯片的所述至少一个输入边缘耦合器之间；和隔离器，其采用折射率匹配流体结合到所述至少一个输入边缘耦合器的刻面。所述透镜配置成最小化所述分布式反馈激光二极管的输出光斑尺寸和所述硅光子集成电路芯片的至少一个输入边缘耦合器的光斑尺寸之间的不匹配。

公开(公告)号：CN105487263B

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201510387070.1

申请日：2015-06-30

申请人： 硅光电科技股份有限公司

发明人： 石拓 ,  邵永波 ,  陈昌华 ,  苏宗一 ,  潘栋

IPC分类号： G02F1/01

CPC分类号： G02F1/025 ,  G02F1/2257 ,  G02F2001/0152 ,  G02F2001/212

摘要： 本发明公开了光电器件的各种结构及其制造方法。光电器件可包括硅基脊型波导调制器，所述硅基脊型波导调制器可包括第一顶部硅层，第二顶部硅层和薄栅介质层。所述第一顶部硅层包括第一掺杂区，所述第一掺杂区至少部分地用第一导电型掺杂剂进行掺杂；所述第二顶部硅层包括第二掺杂区，所述第二掺杂区至少部分地用第二导电型掺杂剂进行掺杂；所述薄栅介质层设于所述第一顶部硅层和第二顶部硅层之间。所述第二掺杂区至少部分在所述第一掺杂区的正上方。所述调制器也可包括形成于所述第二顶部硅层上的脊型波导、形成于所述第一顶部硅层上的第一电触头、和形成于所述第二顶部硅层上的第二电触头。