公开(公告)号：CN118103912A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280063336.5

申请日：2022-01-18

申请人： 硅存储技术股份有限公司

发明人： Y·卡其夫 ,  金珍浩 ,  C·冯 ,  G·费斯特斯 ,  B·贝尔泰洛 ,  P·加扎维 ,  B·维拉德 ,  J·F·蒂耶里 ,  C·德科贝尔特 ,  S·乔尔巴 ,  F·罗 ,  L·蒂 ,  N·多

IPC分类号： G11C29/44 ,  G11C29/50 ,  G11C29/04 ,  G11C29/06

摘要： 一种测试在管芯上形成的非易失性存储单元的方法包括对存储单元进行擦除并且执行第一读取操作以确定存储单元的最低读取电流RC1和具有最低读取电流RC1的存储单元的第一数目N1。执行第二读取操作以确定具有不超过目标读取电流RC2的读取电流的存储单元的第二数目N2。目标读取电流RC2等于最低读取电流RC1加上预定电流值。如果确定第二数目N2超过第一数目N1加上预定数目，那么确定管芯为可接受的。如果确定第二数目N2不超过第一数目N1加上预定数目，那么确定管芯为有缺陷的。