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公开(公告)号：CN112041993A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201980026190.5
申请日：2019-01-31
申请人： 硅存储技术股份有限公司
IPC分类号： H01L29/788
摘要： 一种半导体衬底，该半导体衬底具有上表面，该上表面具有多个向上延伸的鳍。一种存储器单元，其形成在鳍中的第一鳍上，并包括：在第一鳍中间隔开的源极区和漏极区，其中沟道区沿第一鳍的顶表面和侧表面在源极区和漏极区之间延伸；沿沟道区的第一部分延伸的浮栅；沿沟道区的第二部分延伸的选择栅；沿浮栅延伸并且与浮栅绝缘的控制栅；以及沿源极区延伸并且与源极区绝缘的擦除栅。一种逻辑器件，其形成在鳍中的第二鳍上并且包括：在第二鳍中间隔开的逻辑源极区和逻辑漏极区，其中第二鳍的逻辑沟道区在逻辑源极区和逻辑漏极区间延伸；以及沿逻辑沟道区延伸的逻辑栅。
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公开(公告)号：CN115039224B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202080095449.4
申请日：2020-08-04
申请人： 硅存储技术股份有限公司
IPC分类号： H10B41/44 , H10B41/30 , H01L21/28 , H01L29/423
摘要： 一种形成存储器器件的方法包括在半导体衬底的存储器单元区上形成浮动栅极，该浮动栅极具有终止于边缘中的上表面。形成氧化物层，该氧化物层具有分别沿着衬底表面的逻辑区域和存储器单元区域延伸的第一部分和第二部分，以及沿着该浮动栅极边缘延伸的第三部分。形成非共形层，该非共形层具有分别覆盖该氧化物层第一部分、第二部分和第三部分的第一部分、第二部分和第三部分。蚀刻去除该非共形层第三部分，并且减薄但不完全移除非共形层第一部分和第二部分。蚀刻减小氧化物层第三部分的厚度。在移除非共形层第一部分和第二部分之后，在氧化物层第二部分上形成控制栅极，并且在氧化物层第一部分上形成逻辑栅极。
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公开(公告)号：CN116058093B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202080102214.3
申请日：2020-12-21
申请人： 硅存储技术股份有限公司
摘要： 一种存储器设备，该存储器设备包括具有存储器单元和逻辑区域的半导体衬底。浮动栅极设置在存储器单元区域之上，并且具有终止于相对的前边缘和后边缘中以及相对的第一和第二侧边缘中的上表面。氧化物层具有沿着逻辑区域延伸并且具有第一厚度的第一部分、沿着存储器单元区域延伸并且具有第一厚度的第二部分、以及沿着前边缘延伸具有第一厚度并且沿着第一侧边缘的隧道区域部分延伸具有小于第一厚度的第二厚度的第三部分。控制栅极具有设置在氧化物层第二部分上的第一部分和竖直地设置在前边缘以及第一侧边缘的隧道区域部分之上的第二部分。逻辑栅极设置在氧化物层第一部分上。
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公开(公告)号：CN113169175A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980079190.1
申请日：2019-08-13
申请人： 硅存储技术股份有限公司
IPC分类号： H01L27/11529 , H01L27/11546 , H01L27/11531 , H01L29/423
摘要： 本发明公开了一种存储器设备，该存储器设备具有多个向上延伸的半导体衬底鳍、形成在第一鳍上的存储器单元以及形成在第二鳍上的逻辑器件。存储器单元包括：位于第一鳍中的源极区和漏极区，其间具有沟道区；多晶硅浮栅，该多晶硅浮栅沿包括第一鳍的侧表面和顶表面的沟道区的第一部分延伸；金属选择栅，该金属选择栅沿包括第一鳍的侧表面和顶表面的沟道区的第二部分延伸；多晶硅控制栅，该多晶硅控制栅沿浮栅延伸；和多晶硅擦除栅，该多晶硅擦除栅沿源极区延伸。逻辑器件包括：位于第二鳍中的源极区和漏极区，其间具有第二沟道区；和金属逻辑栅，该金属逻辑栅沿包括第二鳍的侧表面和顶表面的第二沟道区延伸。
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公开(公告)号：CN115039224A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202080095449.4
申请日：2020-08-04
申请人： 硅存储技术股份有限公司
IPC分类号： H01L27/11536 , H01L21/28 , H01L29/423
摘要： 一种形成存储器器件的方法包括在半导体衬底的存储器单元区上形成浮动栅极，该浮动栅极具有终止于边缘中的上表面。形成氧化物层，该氧化物层具有分别沿着衬底表面的逻辑区域和存储器单元区域延伸的第一部分和第二部分，以及沿着该浮动栅极边缘延伸的第三部分。形成非共形层，该非共形层具有分别覆盖该氧化物层第一部分、第二部分和第三部分的第一部分、第二部分和第三部分。蚀刻去除该非共形层第三部分，并且减薄但不完全移除非共形层第一部分和第二部分。蚀刻减小氧化物层第三部分的厚度。在移除非共形层第一部分和第二部分之后，在氧化物层第二部分上形成控制栅极，并且在氧化物层第一部分上形成逻辑栅极。
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公开(公告)号：CN113169174A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980079700.5
申请日：2019-08-13
申请人： 硅存储技术股份有限公司
IPC分类号： H01L27/11524 , H01L29/66
摘要： 存储器单元形成在半导体衬底上，该半导体衬底具有上表面，该上表面具有多个向上延伸的鳍。第一鳍和第二鳍在一个方向上延伸，并且第三鳍在正交方向上延伸。间隔开的源极区和漏极区形成在该第一鳍和该第二鳍中的每者中，从而在该第一鳍和该第二鳍中的每者中限定在其间延伸的沟道区。该源极区设置在该第三鳍与该第一鳍和该第二鳍之间的相交部处。浮动栅极侧向设置在该第一鳍和该第二鳍之间，并且侧向设置成与该第三鳍相邻，并且沿着该沟道区的第一部分延伸。字线栅极沿着该沟道区的第二部分延伸。控制栅极设置在该浮动栅极上方。擦除栅极设置在该源极区和该浮动栅极上方。
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公开(公告)号：CN112119496A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201980032025.0
申请日：2019-04-15
申请人： 硅存储技术股份有限公司
IPC分类号： H01L27/11524
摘要： 本发明公开了一种形成半导体设备的方法，其中存储器单元和一些逻辑设备形成在体硅上，而其他逻辑设备形成在同一衬底的该体硅上方的绝缘物上方的薄硅层上。在该逻辑区域中形成该逻辑设备之前，在该存储器区域中形成该存储器设备的存储器单元堆叠、选择栅多晶硅和源极区。用于在该存储器区域中形成栅堆叠的各种氧化物层、氮化物层和多晶硅层也形成在该逻辑区域中。只有在该存储器单元堆叠和选择栅多晶硅已形成并且该存储器区域被一个或多个保护层保护之后，才将用于形成该存储器单元堆叠的该氧化物层、氮化物层和多晶硅层从该逻辑区域移除，并且之后形成该逻辑设备。
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公开(公告)号：CN118872043A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202280092493.9
申请日：2022-06-07
申请人： 硅存储技术股份有限公司
IPC分类号： H01L21/8238 , H10B41/49 , H01L29/423 , H01L29/78
摘要： 一种在具有第一区域、第二区域和第三区域的硅衬底上形成器件的方法包括：使该第一区域和该第三区域中的上衬底表面凹陷；在该第二区域中形成向上延伸的硅鳍片；在该第一区域中形成第一源极区、第一漏极区和第一沟道区；在该鳍片中形成第二源极区、第二漏极区和第二沟道区；在该第三区域中形成第三源极区、第三漏极区和第三沟道区；使用第一多晶硅沉积在该第一沟道区的第一部分上方形成浮置栅极；使用第二多晶硅沉积形成在该第一源极区上方的擦除栅极和在该第三沟道区上方的器件栅极；以及使用金属沉积形成在该第一沟道区的第二部分上方的字线栅极、在该浮置栅极上方的控制栅极、和在该第二沟道区上方的逻辑栅极。
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公开(公告)号：CN112119496B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201980032025.0
申请日：2019-04-15
申请人： 硅存储技术股份有限公司
IPC分类号： H10B41/35
摘要： 本发明公开了一种形成半导体设备的方法，其中存储器单元和一些逻辑设备形成在体硅上，而其他逻辑设备形成在同一衬底的该体硅上方的绝缘物上方的薄硅层上。在该逻辑区域中形成该逻辑设备之前，在该存储器区域中形成该存储器设备的存储器单元堆叠、选择栅多晶硅和源极区。用于在该存储器区域中形成栅堆叠的各种氧化物层、氮化物层和多晶硅层也形成在该逻辑区域中。只有在该存储器单元堆叠和选择栅多晶硅已形成并且该存储器区域被一个或多个保护层保护之后，才将用于形成该存储器单元堆叠的该氧化物层、氮化物层和多晶硅层从该逻辑区域移除，并且之后形成该逻辑设备。
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公开(公告)号：CN118103912A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202280063336.5
申请日：2022-01-18
申请人： 硅存储技术股份有限公司
发明人： Y·卡其夫 , 金珍浩 , C·冯 , G·费斯特斯 , B·贝尔泰洛 , P·加扎维 , B·维拉德 , J·F·蒂耶里 , C·德科贝尔特 , S·乔尔巴 , F·罗 , L·蒂 , N·多
摘要： 一种测试在管芯上形成的非易失性存储单元的方法包括对存储单元进行擦除并且执行第一读取操作以确定存储单元的最低读取电流RC1和具有最低读取电流RC1的存储单元的第一数目N1。执行第二读取操作以确定具有不超过目标读取电流RC2的读取电流的存储单元的第二数目N2。目标读取电流RC2等于最低读取电流RC1加上预定电流值。如果确定第二数目N2超过第一数目N1加上预定数目，那么确定管芯为可接受的。如果确定第二数目N2不超过第一数目N1加上预定数目，那么确定管芯为有缺陷的。
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