公开(公告)号：CN101611477B

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200880005163.1

申请日：2008-01-23

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 米里埃尔·马蒂内 ,  科琳娜·塞金 ,  莫尔加纳·洛吉奥

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/02024 ,  H01L21/76254

摘要： 一种用于抛光异质结构(12)的抛光方法，所述异质结构包括至少一个位于基底(120)上的松散表面异质外延层(121)，该基底由与所述异质外延层不同的材料制成。该方法包括通过具有第一压缩比的抛光织物(14)和具有第一硅石颗粒浓度的抛光溶液对所述异质外延层(12)的表面进行的第一化学机械抛光步骤。在所述第一化学机械抛光步骤之后进行所述异质外延层(121)的表面的第二化学机械抛光步骤，通过具有比所述第一压缩比高的第二压缩比的抛光织物和具有比所述第一浓度低的第二硅石颗粒浓度进行所述第二步骤。

公开(公告)号：CN101611477A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200880005163.1

申请日：2008-01-23

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 米里埃尔·马蒂内 ,  科琳娜·塞金 ,  莫尔加纳·洛吉奥

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/02024 ,  H01L21/76254

摘要： 一种用于抛光异质结构(12)的抛光方法，所述异质结构包括至少一个位于基底(120)上的松散表面异质外延层(121)，该基底由与所述异质外延层不同的材料制成。该方法包括通过具有第一压缩比的抛光织物(14)和具有第一硅石颗粒浓度的抛光溶液对所述异质外延层(12)的表面进行的第一化学机械抛光步骤。在所述第一化学机械抛光步骤之后进行所述异质外延层(121)的表面的第二化学机械抛光步骤，通过具有比所述第一压缩比高的第二压缩比的抛光织物和具有比所述第一浓度低的第二硅石颗粒浓度进行所述第二步骤。