公开(公告)号：CN113614198A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202080023899.2

申请日：2020-01-30

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  浅田真希 ,  百田怜史

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供：包含具有硅‑硅键的材料的研磨对象物的研磨方法中，能以高水平兼顾研磨后的该研磨对象物中的缺陷数和雾度的减少的方案。本发明涉及一种研磨方法，其为包含具有硅‑硅键的材料的研磨对象物的研磨方法，所述方法具备精加工研磨工序Pf，前述精加工研磨工序Pf具有多个研磨段，前述多个研磨段在同一研磨台上连续地进行，前述多个研磨段中的最后的研磨段为使用研磨用组合物Sff进行研磨的研磨段Pff，前述多个研磨段中的设置在前述研磨段Pff之前的研磨段为使用研磨用组合物Sfp进行研磨的研磨段Pfp，前述研磨用组合物Sff满足下述条件(A)和下述条件(B)的至少一个条件，条件(A)：前述研磨用组合物Sff的标准试验1中得到的雾度参数的值小于前述研磨用组合物Sfp的标准试验1中得到的雾度参数的值，条件(B)：前述研磨用组合物Sff包含磨粒Aff、碱性化合物Bff和羟乙基纤维素。

公开(公告)号：CN110177853A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201880006314.9

申请日：2018-02-06

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 土屋公亮 ,  浅田真希 ,  百田怜史

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304 ,  B24B37/00

Abstract: 本发明提供一种研磨用组合物，其为使用于在比硅基板的精研磨工序还上游的工序，且在精研磨工序后能有效实现高品位的表面。根据本发明，提供一种在包含中间研磨工序与精研磨工序的硅基板的研磨工艺中用于上述中间研磨工序的中间研磨用组合物。上述中间研磨用组合物包含磨粒A1、碱性化合物B1和表面保护剂S1。上述表面保护剂S1包含重均分子量高于30×104的水溶性高分子P1，并且包含分散剂D1，且分散性参数α1不足80％。

公开(公告)号：CN119301741A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202380043492.X

申请日：2023-03-20

Applicant: 福吉米株式会社

Inventor： 百田怜史 ,  古本有加里 ,  市坪大辉 ,  土屋公亮

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C08K3/36 ,  C08L29/04 ,  C08L101/14 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/306

Abstract: 提供能够实现高品质的表面的研磨用组合物。上述研磨用组合物包含：二氧化硅颗粒(A)、碱性化合物(B)、第1水溶性高分子(C1)、第2水溶性高分子(C2)和水(D)，上述第1水溶性高分子(C1)为聚乙烯醇系聚合物。上述研磨用组合物的蚀刻速率ER[μm/h]与上述研磨用组合物的Zeta电位ζ[mV]的积(ER×ζ)为‑900nmV/h以上且‑90nmV/h以下。