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公开(公告)号：CN111180582B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202010088592.2
申请日：2020-02-12
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于驻极体的突触晶体管及其制备方法，所述的晶体管自下而上由带有绝缘层的基底、驻极体介电层、有机半导体层以及顶部电极组成；所述的驻极体介电层在绝缘层与半导体之间形成一个界面捕获层，用于捕获电子与空穴，形成额外的电场，对半导体层起到额外的栅极调控作用。该晶体管具有高的开关比，较大的电导调控范围，并且电导增加与调控的脉冲数呈现很好的线性关系，适用于神经形态计算，有效地提高对模式识别的精度，为未来的人工突触提供了一个应用前景。
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公开(公告)号：CN111180582A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010088592.2
申请日：2020-02-12
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于驻极体的突触晶体管及其制备方法，所述的晶体管自下而上由带有绝缘层的基底、驻极体介电层、有机半导体层以及顶部电极组成；所述的驻极体介电层在绝缘层与半导体之间形成一个界面捕获层，用于捕获电子与空穴，形成额外的电场，对半导体层起到额外的栅极调控作用。该晶体管具有高的开关比，较大的电导调控范围，并且电导增加与调控的脉冲数呈现很好的线性关系，适用于神经形态计算，有效地提高对模式识别的精度，为未来的人工突触提供了一个应用前景。
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公开(公告)号：CN111048665A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911375393.3
申请日：2019-12-27
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出纤维状垂直沟道晶体管，所述晶体管从内至外依次设有栅极衬底、聚合物绝缘层、氧化物绝缘层、网状源极、半导体层和电极；所述电极包括半导体层上的漏极接触电极，还包括位于半导体层旁的设于网状源极上的源极接触电极；所述栅极衬底以直径为100μm至200μm的金属丝成型；所述金属丝为银丝或铝丝；本发明突破了传统工艺对沟道长度的限制，可以获得高的光电性能和出色的机械鲁棒性，而且有利于将器件编织集成在衣物上。
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