-
公开(公告)号：CN115996586B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202211580440.X
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于球型核壳CdS/Cu2S/CdS量子阱发光层的QLED制备方法，其是由硫化镉为核、硫化亚铜为中间层、再以硫化镉为壳的量子阱材料为发光层，通过热注入法、一锅法、旋涂镀膜、退火结晶、热蒸镀等工艺，制备出含有机空穴传输层、无机电子传输层、量子阱发光层的LED器件。本发明所得核壳量子阱结构新颖，具有连续的PN异质结构、高量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，且所得器件结构稳定高效，具备优异的电致发光效率和外量子效率，在高亮度、长寿命和高分辨率显示技术等领域有巨大的应用潜力。
-
公开(公告)号：CN115996586A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211580440.X
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于球型核壳CdS/Cu2S/CdS量子阱发光层的QLED制备方法，其是由硫化镉为核、硫化亚铜为中间层、再以硫化镉为壳的量子阱材料为发光层，通过热注入法、一锅法、旋涂镀膜、退火结晶、热蒸镀等工艺，制备出含有机空穴传输层、无机电子传输层、量子阱发光层的LED器件。本发明所得核壳量子阱结构新颖，具有连续的PN异质结构、高量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，且所得器件结构稳定高效，具备优异的电致发光效率和外量子效率，在高亮度、长寿命和高分辨率显示技术等领域有巨大的应用潜力。
-
公开(公告)号：CN115725297B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202211580457.5
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米板异质结构的CdS/CdTe/CdS量子阱材料及其制备方法，其是以硫化镉为种子，采用核‑种子侧向壳生长的方法获得碲化镉冠区，然后再用相同的方法在碲化镉上生长硫化镉平面，从而制备出纳米板异质结构的CdS/CdTe/CdS量子阱材料。本发明运用热注入法和核‑种子侧向壳生长法制备具有纳米板异质结构CdS/CdTe/CdS量子阱材料，其方便可行，所制备的材料具有连续的PN异质结构、匹配的能带结构、良好的光学特性、结构稳定性，在量子点的照明、显示和光电探测等材料领域有巨大的应用潜力。
-
公开(公告)号：CN115725297A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211580457.5
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米板异质结构的CdS/CdTe/CdS量子阱材料及其制备方法，其是以硫化镉为种子，采用核‑种子侧向壳生长的方法获得碲化镉冠区，然后再用相同的方法在碲化镉上生长硫化镉平面，从而制备出纳米板异质结构的CdS/CdTe/CdS量子阱材料。本发明运用热注入法和核‑种子侧向壳生长法制备具有纳米板异质结构CdS/CdTe/CdS量子阱材料，其方便可行，所制备的材料具有连续的PN异质结构、匹配的能带结构、良好的光学特性、结构稳定性，在量子点的照明、显示和光电探测等材料领域有巨大的应用潜力。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.012 seconds)
