公开(公告)号：CN108831904B

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN201810652591.9

申请日：2018-06-22

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈惠鹏 ,  郭太良 ,  方圆 ,  钟建峰

IPC: H01L27/28

Abstract: 本发明涉及一种垂直结构有机薄膜晶体管阵列及其制备方法，垂直结构有机薄膜晶体管中的有机半导体层、源极接触电极和漏极均采用喷墨打印技术制备，有机半导体层为有机半导体薄膜点阵列，源极接触电极和漏极采用PEDOT：PSS纳米导电墨水，通过喷墨打印制备成点阵。源极接触电极和漏极为同步沉积，其中源极点阵沉积在距离有机半导体薄膜点阵列每个点旁，漏极沉积在有机半导体薄膜点阵列每个点的正上方，二者点阵列的中心重合。本发明制备的薄膜晶体管阵列工艺简单、快速、准确，可制备任意图案，且得到器件均一性好，有利于节约成本及大规模生产，该垂直结构的薄膜晶体管阵列有望广泛用于传感器阵列、有源主动显示、大规模集成电路及物联网等领域。

公开(公告)号：CN109830598A

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201910119736.3

申请日：2019-02-18

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈惠鹏 ,  刘亚倩 ,  郭太良 ,  钟建峰 ,  李恩龙 ,  杨辉煌 ,  汪秀梅 ,  赖登晓

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H02N1/04

Abstract: 本发明提出自供电多栅极人工突触晶体管的制备方法和触觉学习，自供电多栅极人工突触晶体管包括摩擦纳米发电机和人工突触晶体管装置；摩擦纳米发电机上电极、下电极处均引出供电导线；人工突触晶体管装置的漏电极为输出端；源电极和栅极为信号输入端；源电极、栅极分别与摩擦纳米发电机引出的供电导线相连；信号输入端接受的输入信号为摩擦纳米发电机产生的电压，该突触晶体管的输出信号为经漏电极读取的沟道电流；本发明自带供电模块，能实现基本的逻辑运算功能，并且每个自供电输入栅极都具有数字滤波功能。

公开(公告)号：CN108831904A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201810652591.9

申请日：2018-06-22

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈惠鹏 ,  郭太良 ,  方圆 ,  钟建峰

IPC: H01L27/28

Abstract: 本发明涉及一种垂直结构有机薄膜晶体管阵列及其制备方法，垂直结构有机薄膜晶体管中的有机半导体层、源极接触电极和漏极均采用喷墨打印技术制备，有机半导体层为有机半导体薄膜点阵列，源极接触电极和漏极采用PEDOT：PSS纳米导电墨水，通过喷墨打印制备成点阵。源极接触电极和漏极为同步沉积，其中源极点阵沉积在距离有机半导体薄膜点阵列每个点旁，漏极沉积在有机半导体薄膜点阵列每个点的正上方，二者点阵列的中心重合。本发明制备的薄膜晶体管阵列工艺简单、快速、准确，可制备任意图案，且得到器件均一性好，有利于节约成本及大规模生产，该垂直结构的薄膜晶体管阵列有望广泛用于传感器阵列、有源主动显示、大规模集成电路及物联网等领域。