公开(公告)号：CN113926480B

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202111108440.5

申请日：2021-09-22

申请人： 福州大学 ,  中国人民解放军军事科学院防化研究院

发明人： 龙金林 ,  黄亦佳 ,  韩世同 ,  胡慧杰 ,  丁正新 ,  林华香

IPC分类号： B01J27/24 ,  C07C29/50 ,  C07C31/04 ,  C01B32/40

摘要： 本发明涉及一种金属合金修饰的层状钙钛矿结构光催化剂的制备方法，首先通过水热法制备半导体基体，再通过碳量子点插层剥离，然后通过沉积法制备金属合金修饰的层状钙钛矿结构光催化剂。该制备方法操作简易，生产成本低，且制备的光催化剂稳定性好。

公开(公告)号：CN113926480A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202111108440.5

申请日：2021-09-22

申请人： 福州大学 ,  中国人民解放军军事科学院防化研究院

发明人： 龙金林 ,  黄亦佳 ,  韩世同 ,  胡慧杰 ,  丁正新 ,  林华香

IPC分类号： B01J27/24 ,  C07C29/50 ,  C07C31/04 ,  C01B32/40

摘要： 本发明涉及一种金属合金修饰的层状钙钛矿结构光催化剂的制备方法，首先通过水热法制备半导体基体，再通过碳量子点插层剥离，然后通过沉积法制备金属合金修饰的层状钙钛矿结构光催化剂。该制备方法操作简易，生产成本低，且制备的光催化剂稳定性好。