公开(公告)号：CN118812265A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410838974.0

申请日：2024-06-26

申请人： 福建理工大学 ,  中国科学院兰州化学物理研究所

发明人： 陈洪祥 ,  赵恩慧 ,  张婧 ,  温小椿 ,  樊恒中 ,  张永胜

IPC分类号： C04B35/547 ,  C04B35/622 ,  H10N10/852

摘要： 本发明公开了一系列Misfit高熵层状结构化合物及其制备方法，属于无机非金属材料技术领域。本发明提供的Misfit高熵层状结构化合物的化学式如式(I)、式(II)或式(III)所示：[MX]1+δ[(HEMT)X2]n式(I)；[(HEMM)X]1+δ[TX2]n式(II)；[(HEMM)X]1+δ[(HEMT)X2]n式(III)；其中，HEMM选自Sn、Pb、Bi、Sb、In、Ge或稀土元素中的四种或四种以上；HEMT选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Re、Os、Rh、Ir、Au、Pd或Pt中的四种或四种以上；X选自S、Se或Te中的一种或多种；δ＝0.08～0.28；n＝1、2或3。本发明上述化合物具有层状错配结构以及高熵结构的特性，所得到的化合物烧结成块体后展现出一定的热电性能，在低热导、热电材料等应用领域具有较大潜力。同时，制备方法简易，反应周期短，成本低，可以获得高纯度的产物。

公开(公告)号：CN118479883A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410842269.8

申请日：2024-06-27

申请人： 中国科学院兰州化学物理研究所

发明人： 樊恒中 ,  郑先德 ,  陈洪祥 ,  张永胜 ,  苏云峰 ,  宋俊杰 ,  胡丽天

IPC分类号： C04B35/56

摘要： 本发明涉及一种非等比高熵碳化物陶瓷材料及其制备方法，该材料特点在于其分子式为Mo1‑x(Ti1/4Zr1/4Nb1/4Ta1/4)xC（x≠0.8，0

公开(公告)号：CN118479884A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410842488.6

申请日：2024-06-27

申请人： 中国科学院兰州化学物理研究所

发明人： 樊恒中 ,  郑先德 ,  陈洪祥 ,  张永胜 ,  闫伟 ,  武靖伟 ,  苏云峰 ,  宋俊杰 ,  胡丽天

IPC分类号： C04B35/56

摘要： 本发明涉及一种Mo、W共掺非等比高熵碳化物陶瓷材料及其制备方法。该材料特点在于其分子式为(Mo1/2W1/2)1‑x(Ti1/3V1/3Nb1/3)xC（x≠0.6,0

公开(公告)号：CN118530028A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410842566.2

申请日：2024-06-27

申请人： 中国科学院兰州化学物理研究所

发明人： 樊恒中 ,  郑先德 ,  苏云峰 ,  张永胜 ,  陈洪祥 ,  宋俊杰 ,  胡丽天

IPC分类号： C04B35/58

摘要： 本发明涉及一种中熵氮化物陶瓷材料及其制备方法，是以TiN粉、TaN粉和NbN粉为原料，混合后加入无水乙醇，在惰性气氛中研磨得到混合粉末；再将混合粉末压制成型后进行放电等离子烧结，自然冷却至室温，得到中熵氮化物陶瓷Ti1‑x(Ta1/2Nb1/2)xN(0

公开(公告)号：CN117038143A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202311009121.8

申请日：2023-08-11

申请人： 福建理工大学

发明人： 林智杰 ,  李松郁 ,  戴品强 ,  常发 ,  洪春福 ,  邹林池 ,  田君 ,  陈洪祥

IPC分类号： H01B1/02 ,  H01B1/16 ,  H01B13/00 ,  D01D5/00 ,  D01D5/34 ,  C22C49/02 ,  C22C49/14 ,  C22C47/14 ,  B22F1/142 ,  B22F3/105 ,  B22F3/14 ,  D01F8/08 ,  D01F1/10 ,  C22C101/02

摘要： 本发明涉及纤维复合材料技术领域，尤其为一种碳包覆高熵陶瓷纤维增强银基电接触材料及其制备方法，采用同轴结构喷头，将壳层前驱体纺丝溶液作为外管壳层纺丝液，将核层前驱体纺丝溶液作为内管核层纺丝液，同时在纺丝针头外部设置放置有银粉的离心装置，在纺丝过程中同时离心，实现纤维与银粉的均匀混合，得到纤维增强银基材料；将其放入马弗炉中退火，然后将其置于热压烧结或者放电等离子烧结炉中烧结成块体。本发明，将前驱体纤维的制备与前驱体纤维和银的混合结合起来，节约了时间与成本，在碳纤维外壳的保护下，防止陶瓷纤维的碎裂，同时增加灭弧相，提升材料性能，有较好的应用前景。

公开(公告)号：CN118581561A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410872627.X

申请日：2024-07-01

申请人： 福建理工大学 ,  厦门钨业股份有限公司

发明人： 陈洪祥 ,  王栋 ,  戴品强 ,  张明荣 ,  孔舒燕 ,  沈仁奇 ,  赵衡煜

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B28/06

摘要： 本发明公开了一种坩埚托装置，坩埚托装置包括：保护管、底座、热电偶等，保护管由多个异形单体管依次套接或由多个规则单体管与多个双联单体管进行套接而成，该类保护管中相邻的彼此套接的两节管之间存在竖直方向上的交叠或嵌套，相邻的管之间嵌套部分的配合缝隙较长，接缝纵截面是曲折的，缝隙的内外端存在一定的高度差，从而使得保护管能较好地稳固为一体，能够避免粉体填充物漏出且不易破裂，从而克服现有技术保护管发生倾斜时会出现的技术问题，以使坩埚装出炉更安全，使坩埚下降法生长晶体更顺畅地进行，有助于提高晶体生长的成功率。