-
公开(公告)号：CN115621370A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202110805357.7
申请日：2021-07-16
Applicant: 福建钜能电力有限公司
Abstract: 本发明提供一种HJT非晶硅镀膜不良片的返工工艺，其特征在于：所述HJT非晶硅镀膜不良片的返工工艺包含步骤：P1.1水洗、P1.2CP酸洗、P1.3预清洗、P1.4制绒、P1.5SC1液清洗、P1.6SC2液清洗、P1.7氢氟酸洗、P1.8慢提拉、P1.9烘干。该返工工艺先经硝酸及氢氟酸混合液的酸洗去除表面的非晶硅薄膜层，再经预清洗、制绒、SC1/SC2液的重新制绒清洗后，在返工硅片表面重新形成绒面。因此，该返工工艺可对镀非晶硅薄膜层后的不良片进行批量返工后重新投入生产，且生产的电池片电性能与正常流程片相当，A级良率高达98％。再者，工艺过程步骤简单，重新制绒时无多余化学品消耗，既提高生产良率，又减少化学品的消耗，实现了非晶硅不良片二次使用，全面降低了硅片原材料的消耗。
-
公开(公告)号：CN115608693A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202110805637.8
申请日：2021-07-16
Applicant: 福建钜能电力有限公司
Abstract: 本发明提供一种制绒新花篮预处理方法，其包含步骤：P1使用酒精擦拭新花篮主体；P2将花篮放入制绒清洗机中的槽体中浸泡双氧水药液，浸泡时间大于24h；P3用水枪使用纯水充分冲洗浸泡后的花篮；P4再将花篮放在一定浓度的氧化性酸液中浸泡5‑30min；P5用水枪使用纯水充分冲洗浸泡后的花篮；P6擦拭并对花篮进行干燥。该制绒新花篮预处理方法，只使用1％‑8％双氧水和10％‑60％氧化性酸，即直接使用生产废液对新花篮进行处理，是一种简洁有效的新花篮预处理方式，不会增加过多的化学品消耗，同时浸泡后的新花篮经纯水冲洗后无需空跑即可投入生产使用，可节省大量的时间成本。
-
公开(公告)号：CN115621358A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202110805663.0
申请日：2021-07-16
Applicant: 福建钜能电力有限公司
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种HJT电池不良片的返工工艺，该返工工艺包含步骤：P1收集不良片进入专门返工的清洗机，去除表面薄膜，P2.将P1所得到的硅片进入清洗机重新制绒。该HJT电池不良片的返工工艺适用于已镀ITO、ATO或Cu等半导体或金属类膜层后产生的不良片的返工。首先使用盐酸和双氧水的混合溶液去除电池片表面薄膜及电池栅线；再使用硝酸和氢氟酸的混合液对非晶硅薄膜进行处理去除非晶硅膜层，再重新对硅片进行制绒得到返工后可重新投产的硅片。因此，该返工工艺有效解决了HJT电池生产中产生的多种不良片的返工问题；可对HJT电池不良片批量化生产，返工后A级良率可达到98％，且电池片效率与正常流程电池片相当；有效提高生产良率，节约＞50％以上硅片原材料成本。
-
公开(公告)号：CN115621337A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202110805651.8
申请日：2021-07-16
Applicant: 福建钜能电力有限公司
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18 , C30B33/08 , C30B33/00 , C30B29/06 , C11D3/39 , C11D7/06 , C11D7/08 , C11D7/60
Abstract: 本发明公开了一种HJT电池生产中的单晶制绒工艺，所述方法包括如下步骤：硅片用纯水进行水洗，洗去表面脏污；对硅片进行预清洗；纯水水洗后对已经预处理后的硅片进行制绒，形成均匀的绒面；纯水水洗后用氢氧化钾与双氧水的混合溶液对制绒后的硅片进行一次清洗；纯水水洗后用盐酸与双氧水混合液对制绒后的硅片进行二次清洗；纯水水洗后使用氢氟酸溶液清洗硅片，达到脱水目的后再纯水水洗；硅片用纯水进行慢提拉，进行预烘干；将所得硅片进行烘干。本发明使用的制绒清洗工艺较传统单晶制绒工艺相比，工艺流程减少，清洗液不存在含氮物质，无需臭氧发生器进而杜绝改种物质对环境的污染影响，使用的的化学品种类较少，减少了使用的原材料成本。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.022 seconds)
