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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105612427B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201480055915.0
申请日：2014-09-03
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： I·S·G·凯利-摩根 , V·N·法伊费尔 , J·A·里尔 , B·沙鲁克 , R·尼费尼格
Abstract: 本发明揭示用于提供p‑n结的测量并考虑到横向电流以改进准确度的方法及设备。可控制所述横向电流，从而允许减小或基本上消除电流散布。替代地或此外，可测量所述横向电流，从而允许通过补偿经测量散布来计算更准确的法向电流。此外，也可联合地实施用于控制所述横向电流的技术及用于测量所述横向电流的技术。
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公开(公告)号：CN118302837B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202380014704.1
申请日：2023-05-17
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01J37/04 , H01J37/14 , H01J37/147 , H01J37/317
Abstract: 形成数百个小射束的多电子束系统可聚焦所述小射束，降低库仑相互作用效应，且改进所述小射束的分辨率。具有静电及磁偏转场的维恩过滤器可将二次电子束与初级电子束分离且可同时校正所有所述小射束的像散及源能量分散模糊。
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公开(公告)号：CN105612427A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201480055915.0
申请日：2014-09-03
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： I·S·G·凯利-摩根 , V·N·法伊费尔 , J·A·里尔 , B·沙鲁克 , R·尼费尼格
Abstract: 本发明揭示用于提供p-n结的测量并考虑到横向电流以改进准确度的方法及设备。可控制所述横向电流，从而允许减小或基本上消除电流散布。替代地或此外，可测量所述横向电流，从而允许通过补偿经测量散布来计算更准确的法向电流。此外，也可联合地实施用于控制所述横向电流的技术及用于测量所述横向电流的技术。
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公开(公告)号：CN118251746A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202380014500.8
申请日：2023-05-31
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01J37/073 , H01J37/04 , H01J37/28
Abstract: 一种电子束装置包含激光器及光电阴极薄膜。所述光电阴极薄膜具有正面及背面，且在使用所述激光器从所述背面照明时发射多个电子小射束。所述电子束装置还包含电极，所述电极用以从所述光电阴极薄膜的所述正面提取所述多个电子小射束及用以控制所述多个电子小射束的形状。
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公开(公告)号：CN118302837A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202380014704.1
申请日：2023-05-17
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01J37/04 , H01J37/14 , H01J37/147 , H01J37/317
Abstract: 形成数百个小射束的多电子束系统可聚焦所述小射束，降低库仑相互作用效应，且改进所述小射束的分辨率。具有静电及磁偏转场的维恩过滤器可将二次电子束与初级电子束分离且可同时校正所有所述小射束的像散及源能量分散模糊。
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