公开(公告)号：CN1741973A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200380109233.5

申请日：2003-12-08

Applicant: 米歇尔技术公司

Inventor： J·B·麦克莱恩 ,  J·P·德扬 ,  S·M·格罗斯 ,  M·I·沃纳

IPC: C03C23/00 ,  B08B3/00 ,  B08B5/00

Abstract: 一种将超临界流体从压力容器(例如在微电子生产工艺中)中置换出来的方法，其包括以下步骤：提供密闭压力容器，其中含有第一超临界流体(所述超临界流体优选包括二氧化碳)；向所述容器中加入第二流体(典型地，也为超临界流体)，其中第二流体添加的压力高于第一超临界流体的压力，第二流体的密度低于第一超临界流体；在所述第一超临界流体和第二流体之间形成界面；在所述第二优选流体的压力下，将至少部分所述第一超临界流体从容器中置换出来，同时维持之间的界面。

公开(公告)号：CN1586003A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN02822490.6

申请日：2002-07-30

Applicant: 米歇尔技术公司

Inventor： J·P·德扬 ,  J·P·麦克莱因 ,  M·E·科尔 ,  S·L·沃姆 ,  D·E·布赖纳德

IPC: H01L21/306 ,  B08B7/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: C23G5/00 ,  B08B7/0021 ,  B81C1/00841 ,  B81C2201/117 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/67051 ,  Y10S134/902

Abstract: 一种用于清洗微电子基片的方法，它包括将基片放入压力腔。使包括密相二氧化碳的处理流体通过腔循环，使得处理流体接触基片。在循环处理流体的步骤的至少一部分期间，循环地调整二氧化碳的相。

公开(公告)号：CN1653012A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN03810914.X

申请日：2003-05-13

Applicant: 米歇尔技术公司

Inventor： J·B·麦克莱恩 ,  J·P·德扬 ,  S·M·格罗斯 ,  M·I·瓦纳

IPC: C03C23/00 ,  C23G1/00 ,  C23G1/02 ,  B08B3/00

CPC classification number: C11D7/08 ,  B08B7/0021 ,  C11D7/02 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133

Abstract: 一种清洗微电子基板的方法，其实行是通过预备清洗液，该清洗液包括在二氧化碳溶剂中的氟化氢与路易斯碱的加合物；然后通过将基板与清洗液接触足以清洁所述基板的时间清洗基板。

公开(公告)号：CN1628000A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN02804975.6

申请日：2002-02-14

Applicant: 米歇尔技术公司

Inventor： J·P·德扬 ,  S·M·格罗斯 ,  J·B·麦克莱恩 ,  M·E·科勒 ,  D·E·布赖纳德 ,  J·M·德西蒙

IPC: B08B3/00 ,  F26B3/00 ,  G03F7/42 ,  H01L21/00

CPC classification number: B08B7/0021 ,  H01L21/02063

Abstract: 本发明涉及一种在微电子器件的制造过程中清洁和去除水、滞留的溶质和颗粒物质的方法，包括以下步骤：(a)提供在基板表面上具有水和滞留的溶质的半成品集成电路、MEM器件或光电器件；(b)提供稠化二氧化碳清洁组合物，该清洁组合物含有二氧化碳和任选地、但优选地含有清洁助剂；(c)将表面部分浸渍入稠化二氧化碳干燥组合物中；然后(d)从表面部分去除所述清洁组合物。