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公开(公告)号：CN1393032A
公开(公告)日：2003-01-22
申请号：CN01802773.3
申请日：2001-06-12
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L27/1281 , H01L27/1296 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明旨在实现在较低的温度下制造优质薄膜半导体装置。在设置局部加热机构后形成活性半导体膜，对活性半导体膜照射脉冲激光进行熔融结晶化。
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公开(公告)号：CN1304548A
公开(公告)日：2001-07-18
申请号：CN00800825.6
申请日：2000-03-08
IPC: H01L21/268 , H01L21/20
Abstract: 把由波长350nm以上至800nm以下的脉冲激光光源(101)发生的聚光激光光束(102)成形为具有宽度(WO)和长度(LO)的线状光束(300),对形成于基板(203)的膜材料(201)照射线状光束(300),对非晶质或者多结晶的硅膜材料进行激光热处理。
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公开(公告)号：CN100355026C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN00816776.1
申请日：2000-10-06
Abstract: 一种多晶态硅膜的制造方法，包括下列步骤：在玻璃衬底(31)上形成具有第一区(33a)和与该第一区(33a)相接的第二区(33b)的非晶态硅膜(33)的步骤；在上述非晶态硅膜(33)的第一区(33a)上照射波长为390nm以上、640nm以下的激光(35)，形成第一多晶态部分(34a)的步骤；以及在非晶态硅膜(33)的第二区(33b)和与该第二区(33b)相接的上述第一多晶态部分(34a)的一部分区域上照射设置为390nm以上、640nm以下的激光(35)，与第一多晶态部分(34a)相接地形成第二多晶态部分(34b)的步骤。
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公开(公告)号：CN1218367C
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN01141002.7
申请日：2001-06-12
IPC: H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 在形成非晶半导体膜后，在固相状态使其结晶，其后，照射非晶硅中的吸收系数比多晶硅中吸收系数大、其照射能量密度为至少使固相生长半导体膜表面熔化的强度以上、且其波长为370nm～710nm的脉冲激光，使半导体膜的一部分熔化。
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公开(公告)号：CN1179401C
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：CN00800825.6
申请日：2000-03-08
IPC: H01L21/268 , H01L21/20
Abstract: 把由波长350nm以上至800nm以下的脉冲激光光源(101)发生的聚光激光光束(102)成形为具有宽度(WO)和长度(L0)的线状光束(300)，对形成于基板(203)的膜材料(201)照射线状光束(300)，对非晶质或者多结晶的硅膜材料进行激光热处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1156894C
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN00800777.2
申请日：2000-01-14
IPC: H01L21/20 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02683 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757
Abstract: 一种以在基板上被形成的硅作为主体的结晶性半导体膜作为有源层来使用的半导体装置的制造方法，包括：在基板上形成成为基底保护膜的氧化硅膜的基底保护膜形成工序；在该基底保护膜上形成以硅作为主体的半导体膜的第一工序；以及对半导体膜照射脉冲激光的第二工序，脉冲激光的波长定为370nm以上至710nm以下。由此，采用低温工艺可容易地且稳定地制造高性能的薄膜半导体装置。
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公开(公告)号：CN1338770A
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：CN01141002.7
申请日：2001-06-12
IPC: H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 用比较低的温度制造优良的多晶薄膜半导体器件。在形成非晶半导体膜后,在固相状态使其结晶,其后,照射非晶硅中的吸收系数比多晶硅中吸收系数大的脉冲激光,使半导体膜的一部分熔化。
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公开(公告)号：CN1304547A
公开(公告)日：2001-07-18
申请号：CN00800777.2
申请日：2000-01-14
IPC: H01L21/20 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02683 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757
Abstract: 一种以在基板上被形成的硅作为主体的结晶性半导体膜作为有源层来使用的半导体装置的制造方法,包括:在基板上形成成为基底保护膜的氧化硅膜的基底保护膜形成工序;在该基底保护膜上形成以硅作为主体的半导体膜的第一工序;以及对半导体膜照射脉冲激光的第二工序,脉冲激光的波长定为370nm以上至710nm以下。由此,采用低温工艺可容易地且稳定地制造高性能的薄膜半导体装置。
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公开(公告)号：CN1197127C
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN01802773.3
申请日：2001-06-12
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L27/1281 , H01L27/1296 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明旨在实现在较低的温度下制造优质薄膜半导体装置。在设置局部加热单元后形成有源半导体膜，对有源半导体膜照射脉冲激光进行熔融结晶化。
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公开(公告)号：CN1448753A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN03108378.1
申请日：2003-03-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02B27/10 , G02B27/28 , H01L21/324 , H01S3/00
Abstract: 激光束均匀照射的光学系统，包括：把来自光源的激光束在空间上分割为分割束的波导；把分割束重合照射在照射面上的重合用透镜；使照射面上的光束强度均匀的延迟板。波导使分割束宽度为激光束截面上的空间干涉距离的1/2倍以上；延迟板使分割出的彼此相邻的分割束间延迟比该激光束的时间的干涉距离还长，减轻照射面上的干涉。另一光学系统包括：把激光束分割为分割束的激光束分割部件；把分割束重合照射在照射面上的重合照射部件；使照射面上的光束强度均匀的均匀化部件。均匀化部件包括：使分割出的彼此相邻的分割束之间延迟比该激光束的时间的干涉距离还长的光学延迟部件，还可包括：使分割出的彼此相邻的分割束之间偏振方向实质上正交的旋光部件。
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