公开(公告)号：CN114069386B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202110856048.2

申请日：2021-07-28

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  学校法人上智学院

Inventor： 加瀬谷浩康 ,  野田贵史 ,  岸野克巳

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/32

Abstract: 本发明提供一种可减少第一半导体层与第二半导体层之间的电流泄漏的发光装置。一种发光装置，包括具有多个柱状部的层叠体，所述柱状部包括第一半导体层、导电型与所述第一半导体层不同的第二半导体层、以及设置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第三半导体层，其中，所述第三半导体层具有发光层，所述第二半导体层包括：第一部分；以及第二部分，从所述第一半导体层及所述发光层的层叠方向俯视时，包围所述第一部分，且杂质浓度比所述第一部分低。

公开(公告)号：CN114069386A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110856048.2

申请日：2021-07-28

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  学校法人上智学院

Inventor： 加瀬谷浩康 ,  野田贵史 ,  岸野克巳

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/32

Abstract: 本发明提供一种可减少第一半导体层与第二半导体层之间的电流泄漏的发光装置。一种发光装置，包括具有多个柱状部的层叠体，所述柱状部包括第一半导体层、导电型与所述第一半导体层不同的第二半导体层、以及设置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第三半导体层，其中，所述第三半导体层具有发光层，所述第二半导体层包括：第一部分；以及第二部分，从所述第一半导体层及所述发光层的层叠方向俯视时，包围所述第一部分，且杂质浓度比所述第一部分低。