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公开(公告)号：CN1130442A
公开(公告)日：1996-09-04
申请号：CN95190414.0
申请日：1995-03-27
Applicant: 精工电子工业株式会社
IPC: H01L31/112 , H01L31/119
CPC classification number: H01L27/1443 , H01L27/14658
Abstract: 为了提供用于探测光和辐射并把它们转变为电信号的高速低功耗的半导体探测器，用具有衬底背偏的PMOS晶体管作为探测单元，并排列在具有比N型衬底浓度高的n-井中，用于形成耗尽层的P+层排列在与形成PMOS晶体管半导体探测器相同的表面上。
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