公开(公告)号：CN1348197A

公开(公告)日：2002-05-08

申请号：CN01137903.0

申请日：2001-08-30

Applicant: 索尼公司

Inventor： 井上浩司 ,  室山雅和 ,  八不贵郎

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  G09F9/00

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J3/022

Abstract: 一种冷阴极场致发射器件,包括在支撑件上形成的阴极和在阴极上形成的碳构成的锥形电子发射部分。

公开(公告)号：CN1309407A

公开(公告)日：2001-08-22

申请号：CN00120667.2

申请日：2000-12-21

Applicant: 索尼公司

Inventor： 室山雅和 ,  斋藤一郎 ,  井上浩司 ,  八木贵郎

IPC: H01J1/30 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/319

Abstract: 冷阴极场发射器件包括(a)支承基底上形成的阴极,和(b)阴极上形成的有开口的栅极,和还包括(c)开口部分底部中的阴极部分表面上形成的碳膜构成的电子发射部件。