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    场发射器件,其制造方法及使用它的显示器件
    2.
    发明公开
    场发射器件,其制造方法及使用它的显示器件 无效

    公开(公告)号：CN1296632A

    公开(公告)日：2001-05-23

    申请号：CN00800293.2

    申请日：2000-03-08

    申请人： 松下电器产业株式会社

    发明人： 和田直树 ,  则兼哲也 ,  中井正

    IPC分类号： H01J1/30 ,  H01J9/02

    CPC分类号： H01J9/025 ,  H01J1/3042 ,  H01J2201/319

    摘要： 一种场发射器件(FED)包括无定形衬底;杂质扩散防止层;在无定形硅或多晶硅制成的半导体层的一个形成表面上形成的FET;通过蚀刻FET漏区的半导体层制成的一个或多个发射极;以及集电极。半导体层由CVD工艺制成。在环形或多边形FET漏区内形成发射极阵列,该阵列被环形或多边形栅极和源极所包围。整个FET区由绝缘层和金属层覆盖。此结构在发射极芯片中提供了均匀的电流发射特性,实现了沿所有方向的均匀电子发射。把本FED应用于平板显示器件实现了高的画面质量、低功耗和低制造成本。

    场电子发射材料和装置
    3.
    发明公开
    场电子发射材料和装置 失效

    公开(公告)号：CN1192288A

    公开(公告)日：1998-09-02

    申请号：CN96196039.6

    申请日：1996-08-02

    申请人： 可印刷发射体有限公司

    发明人： R·A·塔克 ,  R·V·莱瑟姆 ,  W·泰勒

    IPC分类号： H01J1/30

    CPC分类号： H01J1/304 ,  H01J1/3042 ,  H01J2201/319

    摘要： 一种场电子发射材料,包括导电衬底(13,14)以及位于所述衬底上掩埋入、形成为或被一层无机绝缘材料(12)(例如,玻璃)涂敷的导电粒子(11)。绝缘材料的第一厚度限制在每个粒子(11)和衬底(13,14)之间,绝缘材料的第二厚度限制在粒子(11)和设置材料的环境中。第一和第二厚度(15)之间每个粒子(11)的尺寸明显大于每个厚度(15)。在加上足够的电场后,每个厚度(15)提供一导电沟道,以提供来自粒子(11)的电子发射。利用无机绝缘材料(12),已获得令人惊异的良好稳定性和性能。粒子(11)可相当小,从而可通过各种方法(包括印刷)非常廉价地把电子发射材料(11,12)加到衬底(13,14)上。该材料可用于各种装置,包括显示器和照明装置。

    用于多点X射线源的虚拟矩阵控制方案
    6.
    发明授权
    用于多点X射线源的虚拟矩阵控制方案 有权

    公开(公告)号：CN101569529B

    公开(公告)日：2013-03-27

    申请号：CN200910139337.X

    申请日：2009-04-30

    申请人： 通用电气公司

    发明人： 邹昀 ,  M·E·维尔米利 ,  L·P·因津纳 ,  A·卡亚法

    IPC分类号： A61B6/00

    CPC分类号： H01J3/021 ,  H01J1/30 ,  H01J1/3048 ,  H01J3/027 ,  H01J35/065 ,  H01J35/14 ,  H01J2201/319 ,  H01J2203/0204 ,  H01J2235/062 ,  H01J2235/068

    摘要： 本发明的名称为“用于多点X射线源的虚拟矩阵控制方案”。公开用于对发射体阵列(250)中的各个电子发射体(254)进行寻址的系统(252)和方法。系统包括其中包含排列成非矩阵布局并且配置成产生至少一个电子束(28)的多个发射体元件)的发射体阵列，以及设置成与发射体阵列相邻的多个引出栅格(256)，各引出栅格与至少一个发射体元件关联以便从其引出至少一个电子束。场发射体阵列系统还包括多个电压控制通道(260)，它与多个发射体元件和多个引出栅格连接，使得发射体元件的每个和引出栅格的每个是可单个寻址的。在场发射体阵列系统中，电压控制通道的数量等于其乘积等于发射体元件的数量的值最接近的一对整数之和。

    场发射显示装置
    7.
    发明授权
    场发射显示装置 失效

    公开(公告)号：CN1266731C

    公开(公告)日：2006-07-26

    申请号：CN02147459.1

    申请日：2002-10-30

    申请人： 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 ,  鸿海精密工业股份有限公司

    发明人： 陈杰良

    IPC分类号： H01J31/12 ,  H01J29/02 ,  H01J1/304

    CPC分类号： H01J1/3044 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/319

    摘要： 一种场发射显示装置，其包括一阴极板、一电阻缓冲层、一组电子发射单元及一阳极板。该电阻缓冲层与该阴极板接触，多个电子发射单元形成在该电阻缓冲层上，该阳极板与该电阻缓冲层之间有一空间区域。每一电子发射单元皆由第一部分和第二部分构成，该电阻缓冲层与所述第一部分由氧化硅(SiOx)制成。且该电阻缓冲层与该第一部分的电阻率为渐变分布，越接近阴极电阻率越大，越接近阳极电阻率越小，所述第二部分的材质为金属钼。当在阴极板与阳极板之间施加发射电压时，从第二部分发射的电子经由电场加速横穿所述空间区域后为阳极板接收并发光，因该电阻缓冲层与该第一部分的电阻率呈渐变分布，因而，发射电子所需的发射电压较低。