公开(公告)号：CN1309407A

公开(公告)日：2001-08-22

申请号：CN00120667.2

申请日：2000-12-21

Applicant: 索尼公司

Inventor： 室山雅和 ,  斋藤一郎 ,  井上浩司 ,  八木贵郎

IPC: H01J1/30 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/319

Abstract: 冷阴极场发射器件包括(a)支承基底上形成的阴极,和(b)阴极上形成的有开口的栅极,和还包括(c)开口部分底部中的阴极部分表面上形成的碳膜构成的电子发射部件。

公开(公告)号：CN1296632A

公开(公告)日：2001-05-23

申请号：CN00800293.2

申请日：2000-03-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 和田直树 ,  则兼哲也 ,  中井正

IPC: H01J1/30 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/3042 ,  H01J2201/319

Abstract: 一种场发射器件(FED)包括无定形衬底;杂质扩散防止层;在无定形硅或多晶硅制成的半导体层的一个形成表面上形成的FET;通过蚀刻FET漏区的半导体层制成的一个或多个发射极;以及集电极。半导体层由CVD工艺制成。在环形或多边形FET漏区内形成发射极阵列,该阵列被环形或多边形栅极和源极所包围。整个FET区由绝缘层和金属层覆盖。此结构在发射极芯片中提供了均匀的电流发射特性,实现了沿所有方向的均匀电子发射。把本FED应用于平板显示器件实现了高的画面质量、低功耗和低制造成本。

公开(公告)号：CN1192288A

公开(公告)日：1998-09-02

申请号：CN96196039.6

申请日：1996-08-02

Applicant: 可印刷发射体有限公司

Inventor： R·A·塔克 ,  R·V·莱瑟姆 ,  W·泰勒

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J1/3042 ,  H01J2201/319

Abstract: 一种场电子发射材料,包括导电衬底(13,14)以及位于所述衬底上掩埋入、形成为或被一层无机绝缘材料(12)(例如,玻璃)涂敷的导电粒子(11)。绝缘材料的第一厚度限制在每个粒子(11)和衬底(13,14)之间,绝缘材料的第二厚度限制在粒子(11)和设置材料的环境中。第一和第二厚度(15)之间每个粒子(11)的尺寸明显大于每个厚度(15)。在加上足够的电场后,每个厚度(15)提供一导电沟道,以提供来自粒子(11)的电子发射。利用无机绝缘材料(12),已获得令人惊异的良好稳定性和性能。粒子(11)可相当小,从而可通过各种方法(包括印刷)非常廉价地把电子发射材料(11,12)加到衬底(13,14)上。该材料可用于各种装置,包括显示器和照明装置。

公开(公告)号：CN1096398A

公开(公告)日：1994-12-14

申请号：CN94103552.2

申请日：1994-04-04

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 鲈英俊 ,  长田芳幸 ,  野村一郎 ,  小野武夫 ,  河出一佐哲 ,  山口英司 ,  武田俊彦 ,  户岛博彰 ,  浜元康弘 ,  岩琦达哉 ,  矶野青儿 ,  铃木朝岳 ,  处处泰之 ,  奥田昌弘 ,  新庄克彦

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/30 ,  H01J29/46 ,  H01J31/00

CPC classification number: H01J1/316 ,  G09G3/22 ,  G09G2300/0885 ,  G09G2310/06 ,  H01J9/027 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/3165 ,  H01J2201/319 ,  H01J2329/00

Abstract: 一种制造电子源的方法，包括多个表面传导电子发射器件的电子发射部分的电赋能，该电子源具有在一块基片上在行与列方向安排的多个表面传导电子发射器件。这个电赋能是在将它们分为多个组时使电流通过多个表面传导电子发射器件。一个图象形成装置使电流通过多个电子源，这些电子源是在一块基片上形成的，并且根据图象信号以矩阵的形式排列，并响应从多个电子源的发射的电子，通过光发射形成一个图象。

公开(公告)号：CN1069825A

公开(公告)日：1993-03-10

申请号：CN92105455.6

申请日：1992-07-06

Applicant: 莫托罗拉公司

Inventor： 罗伯特·C·肯 ,  詹姆斯·E·詹斯特

IPC: H01J1/30 ,  H01J9/02 ,  H01J29/46

CPC classification number: H01J1/3042 ,  H01J3/022 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2201/319

Abstract: 一种具有金刚石半导体电子发射极(102)的场致发射器件，发射极有一个暴露面(120)，呈现出低的/负的电子亲和能，该器件通过调整结耗尽区(110)加以控制。向器件的栅极(104)施加一个合适的工作电压(106)就能调整结耗尽区宽度，从而控制穿过电子发射极(102)主体以便在暴露面(120)发射的电子。

公开(公告)号：CN101569529B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200910139337.X

申请日：2009-04-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 邹昀 ,  M·E·维尔米利 ,  L·P·因津纳 ,  A·卡亚法

IPC: A61B6/00

CPC classification number: H01J3/021 ,  H01J1/30 ,  H01J1/3048 ,  H01J3/027 ,  H01J35/065 ,  H01J35/14 ,  H01J2201/319 ,  H01J2203/0204 ,  H01J2235/062 ,  H01J2235/068

Abstract: 本发明的名称为“用于多点X射线源的虚拟矩阵控制方案”。公开用于对发射体阵列(250)中的各个电子发射体(254)进行寻址的系统(252)和方法。系统包括其中包含排列成非矩阵布局并且配置成产生至少一个电子束(28)的多个发射体元件)的发射体阵列，以及设置成与发射体阵列相邻的多个引出栅格(256)，各引出栅格与至少一个发射体元件关联以便从其引出至少一个电子束。场发射体阵列系统还包括多个电压控制通道(260)，它与多个发射体元件和多个引出栅格连接，使得发射体元件的每个和引出栅格的每个是可单个寻址的。在场发射体阵列系统中，电压控制通道的数量等于其乘积等于发射体元件的数量的值最接近的一对整数之和。

公开(公告)号：CN1266731C

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN02147459.1

申请日：2002-10-30

Applicant: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 ,  鸿海精密工业股份有限公司

Inventor： 陈杰良

IPC: H01J31/12 ,  H01J29/02 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/319

Abstract: 一种场发射显示装置，其包括一阴极板、一电阻缓冲层、一组电子发射单元及一阳极板。该电阻缓冲层与该阴极板接触，多个电子发射单元形成在该电阻缓冲层上，该阳极板与该电阻缓冲层之间有一空间区域。每一电子发射单元皆由第一部分和第二部分构成，该电阻缓冲层与所述第一部分由氧化硅(SiOx)制成。且该电阻缓冲层与该第一部分的电阻率为渐变分布，越接近阴极电阻率越大，越接近阳极电阻率越小，所述第二部分的材质为金属钼。当在阴极板与阳极板之间施加发射电压时，从第二部分发射的电子经由电场加速横穿所述空间区域后为阳极板接收并发光，因该电阻缓冲层与该第一部分的电阻率呈渐变分布，因而，发射电子所需的发射电压较低。

公开(公告)号：CN1201364C

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN99102209.2

申请日：1994-04-04

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 鲈英俊 ,  长田芳幸 ,  野村一郎 ,  小野武夫 ,  河出一佐哲 ,  山口英司 ,  武田俊彦 ,  户岛博彰 ,  浜元康弘 ,  岩崎达哉 ,  矶野青儿 ,  铃木朝岳 ,  外处泰之 ,  奥田昌弘 ,  新庄克彦

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/30 ,  H01J29/46 ,  H01J31/00

CPC classification number: H01J1/316 ,  G09G3/22 ,  G09G2300/0885 ,  G09G2310/06 ,  H01J9/027 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/3165 ,  H01J2201/319 ,  H01J2329/00

Abstract: 一种制造电子源的方法，该电子源具有多个表面传导电子发射器件，它们与一个基片上的多条接线相连，该方法的特征在于包括以下步骤：从设置为在每条接线(352；362；393)的多个位置与每条接线(352；362；393)接触的电连接部分(354；377，378，395，397)向与多条接线(65，66；272，273)中的每条接线(352；362；393)连接的多个导电膜(64；271)提供电功率。

公开(公告)号：CN1123037C

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN94117600.2

申请日：1994-10-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 矶野青儿 ,  长田芳幸 ,  鲈英俊 ,  山口英司 ,  武田俊彦 ,  户岛博彰 ,  铃木朝岳 ,  外处泰之

IPC: H01J9/02 ,  H01J31/12 ,  H01J13/16

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G09G3/22 ,  G09G2300/0885 ,  G09G2310/06 ,  H01J1/316 ,  H01J9/027 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/3165 ,  H01J2201/319

Abstract: 本发明涉及一种具有以阵列形式排列的表面传导型电子发射元件和与之串联的非线型元件的电子源，具有该电子源的成像器，以及它们的制造方法和所述电子源的驱动方法。所述制造方法中表面传导型电子元件的激发形成处理步骤用经由与薄膜串联并具有非线性电压-电流特性的非线性元件对形成电子发射部分的薄膜加一电压的方法来进行。

公开(公告)号：CN1216161A

公开(公告)日：1999-05-05

申请号：CN98800003.2

申请日：1998-01-05

Applicant: 摩托罗拉公司

Inventor： 罗德尔夫·鲁瑟若 ,  罗伯特·T·史密斯 ,  劳伦斯·N·德沃斯基

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01J1/16 ,  H01J1/30 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/3042 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/319

Abstract: 电荷耗散场发射器件(200,300,400)包括一个支撑衬底(210,310,410),一个形成其上的阴极(215,315,415),一层形成在阴极(215,315,415)上的具有发射阱(260,360,460)的介质层(240,340,440),以及一个暴露于电荷收集面(248,348,448,449)的电荷耗散阱(252,352,452,453);为了流走电荷耗散场发射器件(200,300,400)工作过程中产生的气态正电荷,在每个发射阱(260,360,460)中做一个电子发射极(270,370,470),并且与介质层(240,340,440)隔离的阳极(280,380,480)用来收集电子发射极(270,370,470)发射的电子。