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公开(公告)号：CN103078038A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201210397869.5
申请日：2012-10-18
申请人： 索尼公司
摘要： 本发明涉及发光元件、制造该发光元件的方法以及包含该发光元件的发光装置。发光元件包括：层叠体，其依次包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层，所述第二导电半导体层具有光提取表面；以及复合抑制结构，其设置在所述有源层的端面附近，所述复合抑制结构的带隙大于所述有源层的带隙。根据本发明，能够抑制有源层的端面处的非发光复合并提高发光效率。
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公开(公告)号：CN1046813C
公开(公告)日：1999-11-24
申请号：CN94191740.1
申请日：1994-12-22
申请人： 索尼公司
CPC分类号： G11B7/127 , G02B6/4246 , G02B2006/12104 , G02B2006/12121 , G02B2006/12123 , G11B7/0912 , G11B7/123 , G11B7/133 , H01S5/0262 , H01S5/18
摘要： 本发明的光学装置具有将发光部1与光接收部4邻接配置在共同的衬底9上、由光接收部4对从发光部1来的发射光L的由被照射部件反射的反射光LR进行光接收检测的光学元件21，上述反射光对光接收部4的光接收面的入射角α为0°＜α＜90°。
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公开(公告)号：CN103078038B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201210397869.5
申请日：2012-10-18
申请人： 索尼公司
摘要： 本发明涉及发光元件、制造该发光元件的方法以及包含该发光元件的发光装置。发光元件包括：层叠体，其依次包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层，所述第二导电半导体层具有光提取表面；以及复合抑制结构，其设置在所述有源层的端面附近，所述复合抑制结构的带隙大于所述有源层的带隙。根据本发明，能够抑制有源层的端面处的非发光复合并提高发光效率。
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公开(公告)号：CN1311553A
公开(公告)日：2001-09-05
申请号：CN01110857.6
申请日：2001-02-28
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01S5/164 , H01L33/0062 , H01S5/0207 , H01S5/1064 , H01S5/2081
摘要： 一种能容易获得窗口结构而无需依赖先进工艺的半导体发光器件的制造方法。在本发明的方法中,使在衬底上形成的第一多层膜构成图案而形成凹槽图案,后者有加宽部分和在此加宽部分两旁的变窄部分。然后在此衬底上,通过相继生长n型第二下复层,第二活性层,p型第二上复层和p型盖层,从而外延生长第二多层膜来覆盖凹槽图案。然后使盖层形成图案,从而在凹槽图案内的第二多层膜上形成电流注入层,使得电流注入层沿着这凹槽图案的纵向延伸。
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公开(公告)号：CN1120870A
公开(公告)日：1996-04-17
申请号：CN94191740.1
申请日：1994-12-22
申请人： 索尼公司
CPC分类号： G11B7/127 , G02B6/4246 , G02B2006/12104 , G02B2006/12121 , G02B2006/12123 , G11B7/0912 , G11B7/123 , G11B7/133 , H01S5/0262 , H01S5/18
摘要： 本发明光学装置具有将发光部1与光接收部4邻接配置在共同的基板9上、由光接收部4对从发光部1来的发射光L的由被照射部件反射的反射光LR进行光接收检测的光学元件21，上述反射光对光接收部4的光接收面的入射角α为0°＜α＜90°。
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