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公开(公告)号：CN105191029B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201480013121.8
申请日：2014-02-25
申请人： 国立研究开发法人科学技术振兴机构
IPC分类号： H01S5/18
CPC分类号： H01S5/18 , H01S3/0085 , H01S3/10 , H01S5/0425 , H01S5/105 , H01S5/1215 , H01S2301/18
摘要： 本发明提供能增大倾斜角、光的损失少、射出倾斜光束的二维光子晶体面发光激光器。其具有层叠有二维光子晶体(2DPC)层(11)和活性层(12)的结构，所述二维光子晶体(2DPC)层(11)通过在板状的母材(114)上二维地配置空位(111)而形成有折射率分布，活性层(12)通过电流的注入而产生波长λL的光，所述激光器沿着与2DPC层(11)的法线成倾斜角θ的方向使激光束振荡，2DPC层(11)中，各空位(111)经调制地配置于具有周期性的简单二维点格的各晶格点，所述简单二维点格通过形成二维驻波而形成波长λL的光的共振状态且固定该光以使其不会射出至外部，该调制的相位Ψ使用倒易矢量G’↑和各晶格点的位置矢量r↑、由Ψ＝r↑·G’↑表示，所述倒易矢量G’↑使用2DPC层(11)内的波长λL的光的波数矢量k↑＝(kx,ky)、2DPC层(11)的有效折射率neff、及与简单二维点格的规定的基准线所成的方位角来表示，倒易矢量。
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公开(公告)号：CN107257086A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710532448.1
申请日：2008-09-16
申请人： 奥斯坦多科技公司
发明人： H.S.艾尔-古鲁里 , R.G.W.布朗 , D.A.麦克奈尔 , H.登贝尔 , A.J.兰佐内
IPC分类号： H01S5/40 , B82Y20/00 , H04N9/31 , H01S5/022 , H01S5/10 , H01S5/18 , H01S5/20 , H01S5/30 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/4043 , B82Y20/00 , G09G3/2018 , G09G3/32 , G09G2300/0842 , G09G2310/0235 , G09G2340/06 , H01S5/02276 , H01S5/18 , H01S5/2009 , H01S5/3063 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/4093 , H04N9/3161 , H01S5/105
摘要： 由数字可寻址多色像素的空间阵列构成的发射量子光子成像器。每个像素是多个半导体激光二极管的垂直堆叠，每个半导体激光二极管可以产生不同颜色的激光。在每个多色像素内，从二极管的堆叠产生的光垂直于成像器器件的平面通过多个垂直波导发射，该垂直波导耦合于构成成像器器件的多个激光二极管中的每个的光学限制区域。构成单个像素的激光二极管中的每个是单独可寻址的，使每个像素能够以每个颜色的任何需要的开关占空比同时发射与激光二极管关联的颜色的任何组合。每个个体多色像素可以通过控制它们相应激光二极管的开关占空比同时发射需要的颜色和亮度值。
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公开(公告)号：CN101874330B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN200880118773.2
申请日：2008-09-16
申请人： 奥斯坦多科技公司
发明人： H·S·艾尔-古鲁里 , R·G·W·布朗 , D·A·麦克奈尔 , H·登贝尔 , A·J·兰佐内
CPC分类号： H01S5/4043 , B82Y20/00 , G09G3/2018 , G09G3/32 , G09G2300/0842 , G09G2310/0235 , G09G2340/06 , H01S5/02276 , H01S5/105 , H01S5/18 , H01S5/2009 , H01S5/3063 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/4093 , H04N9/3161
摘要： 由数字可寻址多色像素的空间阵列构成的发射量子光子成像器。每个像素是多个半导体激光二极管的垂直堆叠，每个半导体激光二极管可以产生不同颜色的激光。在每个多色像素内，从二极管的堆叠产生的光垂直于成像器器件的平面通过多个垂直波导发射，该垂直波导耦合于构成成像器器件的多个激光二极管中的每个的光学限制区域。构成单个像素的激光二极管中的每个是单独可寻址的，使每个像素能够以每个颜色的任何需要的开关占空比同时发射与激光二极管关联的颜色的任何组合。每个个体多色像素可以通过控制它们相应激光二极管的开关占空比同时发射需要的颜色和亮度值。
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公开(公告)号：CN106848836A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710187551.7
申请日：2017-03-27
申请人： 华中科技大学
CPC分类号： H01S5/18 , H01S5/1228
摘要： 本发明公开了一种高阶表面光栅面发射半导体激光器，包括依次设置的表面金属电极层，脊波导层，p型掺杂包层，光栅层，p型掺杂光限制层，量子阱或量子点有源区，n型掺杂光限制层和衬底层；在光栅层分布有一阶光栅；在一阶光栅上方且在谐振腔中央分布有用于将沿着水平方向谐振的光能量耦合到垂直方向上输出的高阶表面光栅。位于光栅层上方，激光器谐振腔中央的长度为(9‑100)微米的高阶表面光栅。高阶表面光栅将激光器谐振腔中的行波模耦合成为辐射模，实现激光的表面输出。激光器表面输出光与标准单模光纤纤芯进行直接耦合。并在高阶表面光栅中央引入一段中央相移，可以使高阶表面光栅面发射激光器与标准单模光纤具有超过50％的耦合效率。
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公开(公告)号：CN106451075A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610928707.8
申请日：2016-10-31
申请人： 苏州长光华芯光电技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体激光器芯片及其制备方法。所述制备方法先将半导体激光器芯片靠近腔面处的高掺杂低阻层腐蚀出一条平行于腔面的沟槽；在沟槽及边缘区域制作SiO2绝缘层，在高掺杂低阻层再制作P面金属层且P面金属层覆盖SiO2绝缘层，使在SiO2绝缘层的窗口内注入的电流不会直接通过高掺杂低阻层扩散到出腔面处，而是在沟槽处被阻挡。本发明制作的半导体激光器芯片从器件工艺结构角度出发，通过减少腔面附近注入载流子浓度，可减少非辐射复合吸收，达到提高COMD发生电流的效果，能抑制半导体激光器的腔面注入电流密度过大的缺陷。
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公开(公告)号：CN103098321B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201180043757.3
申请日：2011-09-14
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： H01S5/18
CPC分类号： H01S5/105 , B82Y20/00 , H01S5/18 , H01S5/187 , H01S5/2009 , H01S5/34 , H01S5/34333 , H01S2301/185
摘要： 提供在包括活性层和设置在活性层附近的具有二维周期性折射率轮廓的二维光子晶体的二维光子晶体表面发射激光器中实现的、通过使用面内的初基矢量的长度不同的晶格结构的光子晶体使得能够容易地实现具有二维对称的强度分布的激光振荡的二维光子晶体表面发射激光器。二维光子晶体具有面内的两个初基矢量具有不同的长度的晶格结构，包含于晶格结构的单位单元中的形成晶格点的部件的形状关于两个初基矢量的方向具有各向异性，并且，部件的形状的各向异性允许耦合系数的差值比部件的形状具有各向同性的情况小。
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公开(公告)号：CN103199433A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310111332.2
申请日：2008-12-12
申请人： 未来之光有限责任公司
CPC分类号： H01S5/32341 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01S5/0202 , H01S5/0203 , H01S5/18 , H01S5/2231 , H01S5/3203 , H01S5/4031
摘要： 本发明提供一种氮化物类半导体激光元件，其特征在于，包括：氮化物类半导体元件层，其形成于基板的主表面上，且具有发光层；第一共振器端面，其形成于所述氮化物类半导体元件层的包含所述发光层的端部；和反射面，其形成于与所述第一共振器端面相对的区域，至少由相对于所述主表面倾斜规定角度而延伸的（000－1）面、或{A+B、A、－2A－B、2A+B}面构成，在此，A≧0以及B≧0，且A和B中至少任一个是不为0的整数。
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公开(公告)号：CN101369715B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200810145337.6
申请日：2008-08-07
申请人： 佳能株式会社
CPC分类号： H01S5/18 , H01S5/105 , H01S5/20 , H01S5/42 , H01S2301/14
摘要： 一种具有二维光子晶体的构造体，在该构造体中，具有不同折射率的结构以二维周期布置，所述构造体包括沿着与在所述二维光子晶体的平面内方向上传播的光的共振方向垂直的方向发射的结构，其中该构造体包括一维光子晶体，在所述一维光子晶体中，具有不同折射率的构造以一维周期排列，并且，沿着所述二维光子晶体的平面内方向传播的光被所述一维光子晶体的光子带边反射。
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公开(公告)号：CN102629733A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210025101.5
申请日：2012-02-01
申请人： 安华高科技光纤IP(新加坡)私人有限公司
发明人： 方瑞雨 , 盖德·艾伯特·罗格若 , 朱莉安娜·莫若罗 , 罗伯拓·帕沃勒特 , 迈克勒·埃戈斯特
摘要： 本发明涉及其中边发射激光器与反射器集成以形成面发射半导体激光器件的半导体激光器件。该面发射半导体激光器件被设置包括形成在布置于半导体衬底上的各层半导体材料中的边发射激光器、被布置在衬底上与其中形成有边发射激光器的层横向相邻的聚合物材料、以及形成在聚合物材料的大致面对激光器的出射端面的斜侧面中或上的反射器。离开出射端面的激光在被反射器沿与衬底的上表面大致垂直的方向反射离开器件之前传播通过聚合物材料。
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公开(公告)号：CN101553962B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200680039345.1
申请日：2006-08-24
申请人： 宾奥普迪克斯股份有限公司
CPC分类号： H01S5/0207 , G11B7/127 , G11B7/22 , H01S5/0042 , H01S5/0201 , H01S5/026 , H01S5/1039 , H01S5/18 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/4056 , H01S2301/18
摘要： 一种用于制造例如光存储所需要的具有好的光学波阵面特性的激光器的方法和结构，包括提供一种激光器，其中从激光器前腔面形成的输出光束不被半导体薄片的边缘所阻挡，来防止有害的光束畸变。半导体激光器结构外延生长在基底上，且至少具有下熔覆层、激活层、上熔覆层和接触层。穿过由光刻确定的掩模的干法刻蚀制造具有长度为lc、宽度为bm的激光器台面。另一种光刻和刻蚀用于形成台面顶部宽度为w的脊形结构。刻蚀步骤也在激光器波导结构的末端形成镜面或腔面。薄片的长度ls和宽度bs可以被选择为等于或长于波导长度lc和台面宽度bm的方便的数值。波导长度和宽度被选择，以使对于给定的缺陷密度D，产率大于50％。
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