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公开(公告)号：CN102196195A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110040541.3
申请日：2011-02-18
Applicant: 索尼公司
IPC: H04N5/335 , H04N5/341 , H01L27/146 , H01L27/30
CPC classification number: H04N5/3575 , H01L27/307 , H04N5/2353 , H04N5/353
Abstract: 本发明涉及固体摄像器件、其制造方法、其驱动方法及包括该固体摄像器件的电子装置。该固体摄像器件包括：基板；光电转换元件，其设置于所述基板的光入射侧上，所述光电转换元件包括夹持在第一电极和与所述第一电极相对设置的第二电极之间的光电转换膜，为每个像素单独设置所述第一电极，所述光电转换膜是由有机材料或无机材料制成且根据入射光的光量产生信号电荷；放大晶体管，其具有连接到所述第一电极的放大栅极；及电压控制电路，其连接到所述第二电极并向所述第二电极供应期望的电压。本发明的固体摄像器件能够在电荷存储期间抑制暗电流。
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公开(公告)号：CN112201666B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202010927549.0
申请日：2015-12-11
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N25/62 , H04N25/78 , H04N25/70 , H04N25/77
Abstract: 本发明涉及固体摄像器件和电子装置。其中，所述固体摄像器件在半导体基板内的受光面侧处可包括：电荷保持部，所述电荷保持部响应于入射光而产生电荷并保持所述电荷；溢出沟道部，在所述电荷保持部处达到饱和的所述电荷被排放到所述溢出沟道部中；势垒部，所述势垒部成为从所述电荷保持部向所述溢出沟道部流动的所述电荷的壁垒，以及第一垂直晶体管，所述第一垂直晶体管从所述半导体基板的与所述受光面相反的表面被形成，并且从所述电荷保持部读取所述电荷。
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公开(公告)号：CN107146850B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN201710116479.9
申请日：2017-03-01
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , H10K39/32 , H10K30/60 , H10K30/80
Abstract: 本发明提供了一种成像元件。所述成像元件可包括：基板，所述基板具有第一光电转换单元；以及第二光电转换单元，所述第二光电转换单元位于所述基板的光入射侧。所述第二光电转换单元可以包括：光电转换层；第一电极；位于所述光电转换层上方的第二电极；第三电极；以及位于所述第三电极与所述光电转换层之间的绝缘材料，其中，所述绝缘材料的一部分位于所述第一电极与所述第三电极之间。
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公开(公告)号：CN108886045B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201780018716.6
申请日：2017-03-17
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N25/62 , H04N25/70 , H04N25/76
Abstract: 本公开涉及一种固态成像装置和电子设备，在开口像素中出现过度曝光的情况下可以减小对OPB像素的影响。作为本公开的一个方面的固态成像装置具有第一光电转换部、形成在基板之外的上电极和下电极，第一光电转换部根据入射光执行光电转换，上电极和下电极形成为夹入第一光电转换部。固态成像装置包括：开口像素，其设置在像素阵列上，并生成正常像素信号；OPB像素，其设置在像素阵列的端部处，并且生成表示暗电流分量的像素信号；以及电荷释放部，其设置在开口像素与OPB像素之间，并释放从开口像素流出的电荷。本公开可以应用于背照式垂直分光CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN105009292B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201480011582.1
申请日：2014-05-09
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种固态摄像器件，其包括：半导体基板(21)；光电二极管(11A，11B)，其形成在所述半导体基板中；晶体管(10)，其具有部分或全部嵌入所述半导体基板中的栅极电极，所述晶体管被构造成经由所述栅极电极从所述光电二极管读取信号电荷；以及电荷传输层(13)，其设置在所述栅极电极与所述光电二极管之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113206116A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110367163.3
申请日：2017-03-01
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , H01L27/30 , H01L51/42 , H01L51/44
Abstract: 本发明涉及成像器件及其驱动方法以及电子装置。所述成像器件包括：多个像素，每个像素包括：布置在基板中的第一光电转换单元，和布置在所述基板上方且位于所述基板的光入射侧的第二光电转换单元，所述第二光电转换单元包括：第一电极，层叠层结构，包括所述第一电极上方的多个层，第一层是氧化物半导体层，第二层是光电转换层，位于所述层叠层结构上方的第二电极，第三电极，所述第三电极与所述第一电极被布置在相同的层，以及绝缘材料，所述绝缘材料位于所述第三电极与所述层叠层结构之间，其中，所述绝缘材料的一部分位于所述第一电极与所述第三电极之间，并且其中，所述绝缘材料的至少一部分布置在所述第一电极上方。
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公开(公告)号：CN112201666A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010927549.0
申请日：2015-12-11
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/359 , H04N5/369 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 本发明涉及固体摄像器件和电子装置。其中，所述固体摄像器件在半导体基板内的受光面侧处可包括：电荷保持部，所述电荷保持部响应于入射光而产生电荷并保持所述电荷；溢出沟道部，在所述电荷保持部处达到饱和的所述电荷被排放到所述溢出沟道部中；势垒部，所述势垒部成为从所述电荷保持部向所述溢出沟道部流动的所述电荷的壁垒，以及第一垂直晶体管，所述第一垂直晶体管从所述半导体基板的与所述受光面相反的表面被形成，并且从所述电荷保持部读取所述电荷。
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公开(公告)号：CN107004689B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201580066932.9
申请日：2015-12-11
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/359 , H04N5/369
Abstract: 本技术涉及能够实现来自光电二极管的稳定溢出并且能够防止Qs的减少和混色的发生的固体摄像器件和电子装置。根据本技术一个方面的固体摄像器件在半导体基板内的受光面侧处包括：电荷保持部，所述电荷保持部响应于入射光而产生电荷并保持所述电荷；OFD部，在所述电荷保持部处达到饱和的所述电荷被排放到所述OFD部中；以及势垒部，所述势垒部成为从所述电荷保持部向所述OFD部流动的所述电荷的壁垒。这里，所述OFD部包括杂质类型相同且杂质浓度不同的低浓度OFD部和高浓度OFD部，并且所述高浓度OFD部和所述势垒部被形成得间隔开。本技术例如可适用于CMOS图像传感器。
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公开(公告)号：CN110459551A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910573271.9
申请日：2017-03-01
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , H01L27/30 , H01L51/42 , H01L51/44
Abstract: 本发明提供了一种成像器件。所述成像器件包括：多个像素，所述多个像素中的每个像素包括：布置在基板中的第一光电转换单元，和布置在所述基板上方且位于所述基板的光入射侧的第二光电转换单元，所述第二光电转换单元包括：第一电极，层叠层结构，所述层叠层结构包括所述第一电极上方的多个层，其中，所述层叠层结构的第一层是氧化物半导体层，并且其中，所述层叠层结构的第二层是光电转换层，位于所述层叠层结构上方的第二电极，第三电极，所述第三电极与所述第一电极被布置在相同的层，以及绝缘材料，所述绝缘材料位于所述第三电极与所述层叠层结构之间，其中，所述绝缘材料的一部分位于所述第一电极与所述第三电极之间。
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公开(公告)号：CN105009292A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480011582.1
申请日：2014-05-09
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种固态摄像器件，其包括：半导体基板(21)；光电二极管(11A，11B)，其形成在所述半导体基板中；晶体管(10)，其具有部分或全部嵌入所述半导体基板中的栅极电极，所述晶体管被构造成经由所述栅极电极从所述光电二极管读取信号电荷；以及电荷传输层(13)，其设置在所述栅极电极与所述光电二极管之间。
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