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公开(公告)号：CN119069495A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411069531.6
申请日：2019-07-25
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H10K39/32 , H04N25/76 , H04N25/778 , H04N25/17 , H04N25/79
Abstract: 本公开提供一种固态摄像元件，其包括半导体基板(300)和用于将光转换成电荷的第一和第二光电转换部(500、600)。第一和第二光电转换部(500、600)均具有层叠结构，所述层叠结构包括上部电极(502、602)、下部电极(508、608)、夹在所述上部电极和所述下部电极之间的光电转换膜(504、604)和经由所述光电转换膜和绝缘膜面对所述上部电极的累积电极(510、610)。第一和第二光电转换部(500、600)的下部电极(508、608)经由共用贯通电极(460)与共用电荷累积部(314)电气连接，所述共用贯通电极设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用并且贯通所述半导体基板(300)，所述共用电荷累积部在所述半导体基板(300)内设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用。
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公开(公告)号：CN112424939B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN201980047479.5
申请日：2019-07-25
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H10K39/32 , H04N25/70 , H04N25/76
Abstract: 本公开提供一种固态摄像元件，其包括半导体基板(300)和用于将光转换成电荷的第一和第二光电转换部(500、600)。第一和第二光电转换部(500、600)均具有层叠结构，所述层叠结构包括上部电极(502、602)、下部电极(508、608)、夹在所述上部电极和所述下部电极之间的光电转换膜(504、604)和经由所述光电转换膜和绝缘膜面对所述上部电极的累积电极(510、610)。第一和第二光电转换部(500、600)的下部电极(508、608)经由共用贯通电极(460)与共用电荷累积部(314)电气连接，所述共用贯通电极设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用并且贯通所述半导体基板(300)，所述共用电荷累积部在所述半导体基板(300)内设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用。
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公开(公告)号：CN113206116B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110367163.3
申请日：2017-03-01
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , H10K39/30 , H10K30/30 , H10K30/82
Abstract: 本发明涉及成像器件及其驱动方法以及电子装置。所述成像器件包括：多个像素，每个像素包括：布置在基板中的第一光电转换单元，和布置在所述基板上方且位于所述基板的光入射侧的第二光电转换单元，所述第二光电转换单元包括：第一电极，层叠层结构，包括所述第一电极上方的多个层，第一层是氧化物半导体层，第二层是光电转换层，位于所述层叠层结构上方的第二电极，第三电极，所述第三电极与所述第一电极被布置在相同的层，以及绝缘材料，所述绝缘材料位于所述第三电极与所述层叠层结构之间，其中，所述绝缘材料的一部分位于所述第一电极与所述第三电极之间，并且其中，所述绝缘材料的至少一部分布置在所述第一电极上方。
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公开(公告)号：CN113658965A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110747459.8
申请日：2017-03-01
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , H01L27/30 , H01L51/42 , H01L51/44
Abstract: 本发明提供了光检测器件及其驱动方法以及电子装置。光检测器件包括：布置在基板中的第一光电转换区域；和布置在基板上方且位于基板的光入射侧的光电转换单元，光电转换单元包括：第一电极；层叠层结构，包括第一电极上方的多个层，其中，层叠层结构的第一层是氧化物半导体层，并且层叠层结构的第二层是光电转换层；位于层叠层结构上方的第二电极；第三电极，与第一电极被布置在相同的层；以及绝缘材料，位于第三电极与层叠层结构之间，其中，绝缘材料的一部分位于第一电极与第三电极之间，其中，层叠层结构的第二层布置在层叠层结构的第一层与第二电极之间，并且其中，在平面图中，第一光电转换区域的至少一部分与光电转换单元重叠。
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公开(公告)号：CN107104118B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201710073089.8
申请日：2012-07-05
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/378
Abstract: 本发明涉及固体摄像器件以及电子设备。其中，固体摄像器件包括：半导体基板，其包括接收入射光的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；光电二极管区，其形成在所述半导体基板中，所述光电二极管区包括：第一n型半导体区，第一p型半导体区，第二n型半导体区，第二p型半导体区；以及栅极，其在所述半导体基板中从所述第二表面沿深度方向延伸，其中，所述第一n型半导体区、所述第一p型半导体区、所述第二n型半导体区和所述第二p型半导体区从所述半导体基板的第二表面侧按此顺序在所述深度方向上设置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110459551B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910573271.9
申请日：2017-03-01
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , H01L27/30 , H01L51/42 , H01L51/44
Abstract: 本发明提供了一种成像器件。所述成像器件包括：多个像素，所述多个像素中的每个像素包括：布置在基板中的第一光电转换单元，和布置在所述基板上方且位于所述基板的光入射侧的第二光电转换单元，所述第二光电转换单元包括：第一电极，层叠层结构，所述层叠层结构包括所述第一电极上方的多个层，其中，所述层叠层结构的第一层是氧化物半导体层，并且其中，所述层叠层结构的第二层是光电转换层，位于所述层叠层结构上方的第二电极，第三电极，所述第三电极与所述第一电极被布置在相同的层，以及绝缘材料，所述绝缘材料位于所述第三电极与所述层叠层结构之间，其中，所述绝缘材料的一部分位于所述第一电极与所述第三电极之间。
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公开(公告)号：CN112640108A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980047540.6
申请日：2019-07-23
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H04N5/369
Abstract: 本提供一种固态图像传感器(100)，其包括半导体基板(500)、布置在所述半导体基板(500)中并累积电荷的电荷累积器、设置在所述半导体基板(500)上方并将光转换成电荷的光电转换器(200)以及穿过所述半导体基板(500)并将所述电荷累积器与所述光电转换器(200)电连接的贯通电极(600)。在所述贯通电极(600)的在所述光电转换器这一侧的端部处，位于所述贯通电极(600)的中心处的导体(602)在于所述贯通电极(600)的贯通方向正交的切割截面中的横截面面积(602)沿着所述贯通方向朝向所述光电转换器逐渐增大。
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公开(公告)号：CN112424939A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201980047479.5
申请日：2019-07-25
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/30 , H04N5/369 , H04N5/378
Abstract: 本公开提供一种固态摄像元件，其包括半导体基板(300)和用于将光转换成电荷的第一和第二光电转换部(500、600)。第一和第二光电转换部(500、600)均具有层叠结构，所述层叠结构包括上部电极(502、602)、下部电极(508、608)、夹在所述上部电极和所述下部电极之间的光电转换膜(504、604)和经由所述光电转换膜和绝缘膜面对所述上部电极的累积电极(510、610)。第一和第二光电转换部(500、600)的下部电极(508、608)经由共用贯通电极(460)与共用电荷累积部(314)电气连接，所述共用贯通电极设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用并且贯通所述半导体基板(300)，所述共用电荷累积部在所述半导体基板(300)内设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用。
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公开(公告)号：CN104380468A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201380032910.1
申请日：2013-06-18
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/361 , H04N5/369
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14605 , H01L27/14609 , H01L27/14623 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14647 , H04N5/361 , H04N5/378
Abstract: 一种固态成像装置，包括：半导体基底；光电转换元件，提供在半导体基底中；光电转换膜，设置在半导体基底的光接收表面侧；接触部分，提供在半导体基底中，光电转换膜中产生的信号电荷由该接触部分读取，所述接触部分；第一膜构件，从上覆盖光电转换元件；以及第二膜构件，提供在接触部分上。
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公开(公告)号：CN102881698A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210232192.X
申请日：2012-07-05
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/1461 , H01L27/14616 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14689 , H04N5/378
Abstract: 本发明提供能增加饱和电荷量的固体摄像器件及其制造方法以及电子设备，该固体摄像器件包括：第一光电二极管，其包括形成于半导体基板的第一主面侧的第一个第一导电型半导体区和与第一个第一导电型半导体区相邻形成于半导体基板内的第一个第二导电型半导体区；第二光电二极管，其包括形成于半导体基板的第二主面侧的第二个第一导电型半导体区和与第二个第一导电型半导体区相邻形成于半导体基板内的第二个第二导电型半导体区；和栅极，其形成于半导体基板的第一主面侧，第二个第一导电型半导体区和第二个第二导电型半导体区之间的连接面的杂质浓度等于或大于第二个第二导电型半导体区的与第二个第一导电型半导体区相反侧的层的连接面的杂质浓度。
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