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发明公开
光检测装置和电子设备审中-实审

公开(公告)号：CN118103983A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280069098.9

申请日：2022-11-25

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 水田恭平 , 蛯子芳树 , 三好康史 , 竹尾建治 , 金口时久 , 三木保久登 , 白数佳纪 , 塩山正真 , 林利彦 , 佐藤尚之

IPC分类号： H01L27/146 , H04N25/70

摘要： 根据本发明，改善了像素特性。本发明的光电检测装置包括：半导体层和设置在所述半导体层中的第一和第二分离区域。第一分离区域包括折射率低于所述半导体层的折射率并且填充在所述半导体层的厚度方向上延伸的第一挖掘部的绝缘膜。第二分离区域包括填充在所述半导体层的厚度方向上延伸的第二挖掘部的导电膜。