公开(公告)号：CN115152022A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202180015763.1

申请日：2021-03-26

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 松元晃 ,  财津光一郎 ,  西田庆次 ,  西田水辉 ,  厳樫一孝 ,  伊藤大介 ,  三好康史 ,  山元纯平 ,  田中裕介 ,  浜本宁

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/10 ,  H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L21/265 ,  H01L21/76 ,  H04N5/369

摘要： 提供了一种配备有多个摄像元件(100)的摄像装置(1)。所述多个摄像元件中的每一者具有：包含第一导电类型的杂质的多个像素(300a、300b)；设置为包围所述多个像素并且贯通半导体基板(10)的元件分离壁(310)；以由所述多个像素共享的方式设置在所述半导体基板的光接收表面(10a)上方的片上透镜(200)；以及设置在由所述元件分离壁包围的区域中以将所述多个像素分离的第一分离部(304)。所述第一分离部以在所述半导体基板的厚度方向上延伸的方式设置。在位于所述第一分离部周围且在所述半导体基板的厚度方向上延伸的区域中，设置有包含与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质的第一扩散区域(306)。

公开(公告)号：CN109155325B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN201880002008.8

申请日：2018-03-20

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 小木纯 ,  田代睦聡 ,  豊岛隆寛 ,  坂野頼人 ,  大池祐辅 ,  朱弘博 ,  中泽圭一 ,  武谷佑花里 ,  奥山敦 ,  三好康史 ,  松本良辅 ,  堀内淳

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/107

摘要： [目的]为了实现像素的小型化、噪声的减小和高量子效率，以及在抑制像素间干扰和各像素差异的同时提高短波灵敏度。[方案]根据本发明，提出一种摄像装置，其包括：第一半导体层，其形成在半导体基板上；第二半导体层，其形成在第一半导体层上且具有与第一半导体层的导电类型相反的导电类型；像素分隔部，其限定包括第一半导体层和第二半导体层的像素区域；第一电极，其从半导体基板的一个表面侧连接至第一半导体层；和第二电极，其从作为半导体基板的另一表面的光照射面侧连接至第二半导体层，并且被形成为与像素分隔单元的位置对应。

公开(公告)号：CN110073475B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN201780063625.4

申请日：2017-10-10

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 平田瑛子 ,  木村忠之 ,  三好康史 ,  平松克规

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/00

摘要： 本技术涉及一种能够在将两个基板接合时，抑制接合强度降低且防止电气连接不良或剥离的半导体器件、制造方法和固态成像器件。提出一种半导体器件，其包括：第一基板，具有由金属形成的第一电极；和第二基板接合，接合至第一基板且具有由金属形成的第二电极。锐角凹凸部形成在形成有第一电极的凹槽的侧面和形成有与第一电极金属接合的第二电极的凹槽的侧面。本技术例如能够应用于诸如CMOS图像传感器等固态成像器件。

公开(公告)号：CN118103983A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280069098.9

申请日：2022-11-25

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 水田恭平 ,  蛯子芳树 ,  三好康史 ,  竹尾建治 ,  金口时久 ,  三木保久登 ,  白数佳纪 ,  塩山正真 ,  林利彦 ,  佐藤尚之

IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N25/70

摘要： 根据本发明，改善了像素特性。本发明的光电检测装置包括：半导体层和设置在所述半导体层中的第一和第二分离区域。第一分离区域包括折射率低于所述半导体层的折射率并且填充在所述半导体层的厚度方向上延伸的第一挖掘部的绝缘膜。第二分离区域包括填充在所述半导体层的厚度方向上延伸的第二挖掘部的导电膜。

公开(公告)号：CN112714953A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201980059426.5

申请日：2019-08-20

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 押山到 ,  纳土晋一郎 ,  三好康史

IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N5/369

摘要： 在相邻的光电转换部之间设置有凹槽部，并且凹槽部的侧壁面和底面覆盖有第一固定电荷膜，并且所述凹槽部的开口端被第二固定电荷膜封闭且所述凹槽部内留有空隙。

公开(公告)号：CN110073475A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201780063625.4

申请日：2017-10-10

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 平田瑛子 ,  木村忠之 ,  三好康史 ,  平松克规

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/00

摘要： 本技术涉及一种能够在将两个基板接合时，抑制接合强度降低且防止电气连接不良或剥离的半导体器件、制造方法和固态成像器件。提出一种半导体器件，其包括：第一基板，具有由金属形成的第一电极；和第二基板接合，接合至第一基板且具有由金属形成的第二电极。锐角凹凸部形成在形成有第一电极的凹槽的侧面和形成有与第一电极金属接合的第二电极的凹槽的侧面。本技术例如能够应用于诸如CMOS图像传感器等固态成像器件。

公开(公告)号：CN109155325A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201880002008.8

申请日：2018-03-20

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 小木纯 ,  田代睦聡 ,  豊岛隆寛 ,  坂野頼人 ,  大池祐辅 ,  朱弘博 ,  中泽圭一 ,  武谷佑花里 ,  奥山敦 ,  三好康史 ,  松本良辅 ,  堀内淳

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/107 ,  H04N5/225 ,  H04N5/369

摘要： [目的]为了实现像素的小型化、噪声的减小和高量子效率，以及在抑制像素间干扰和各像素差异的同时提高短波灵敏度。[方案]根据本发明，提出一种摄像装置，其包括：第一半导体层，其形成在半导体基板上；第二半导体层，其形成在第一半导体层上且具有与第一半导体层的导电类型相反的导电类型；像素分隔部，其限定包括第一半导体层和第二半导体层的像素区域；第一电极，其从半导体基板的一个表面侧连接至第一半导体层；和第二电极，其从作为半导体基板的另一表面的光照射面侧连接至第二半导体层，并且被形成为与像素分隔单元的位置对应。