公开(公告)号：CN118899324A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410919307.5

申请日：2022-06-10

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 内田哲弥 ,  宫泽信二 ,  石崎健士 ,  新宅浩聡 ,  堀越浩

IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N25/59 ,  H04N25/771

摘要： 本技术涉及均能够在不降低光电二极管的饱和电荷量的情况下扩大动态范围的摄像器件和电子设备。提供了将光转换为电荷的光电转换单元、临时存储电荷的多个存储部、向存储部传输电荷的多个传输单元、以及分离像素的贯通沟槽。多个存储部中的至少一者是电容元件。多个存储部中的至少一者存储从光电转换单元溢出的电荷。例如，本技术可应用于用于拍摄图像的摄像器件。

公开(公告)号：CN117321771A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202280033874.X

申请日：2022-06-10

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 内田哲弥 ,  宫泽信二 ,  石崎健士 ,  新宅浩聡 ,  堀越浩

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本技术涉及均能够在不降低光电二极管的饱和电荷量的情况下扩大动态范围的摄像器件和电子设备。提供了将光转换为电荷的光电转换单元、临时存储电荷的多个存储部、向存储部传输电荷的多个传输单元、以及分离像素的贯通沟槽。多个存储部中的至少一者是电容元件。多个存储部中的至少一者存储从光电转换单元溢出的电荷。例如，本技术可应用于用于拍摄图像的摄像器件。