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公开(公告)号：CN118945498A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411292410.8
申请日：2020-11-09
申请人： 爱思开海力士有限公司
摘要： 公开了一种图像感测装置的操作方法，该操作方法包括以下步骤：在第一帧周期期间，基于从至少一个深度感测像素读出的像素信号确定所述至少一个深度感测像素是否饱和；在所述第一帧周期期间，存储被确定为饱和的深度感测像素的补偿信息；以及在所述第一帧周期之后的第二帧周期期间，通过基于所述补偿信息而向所述被确定为饱和的深度感测像素中的浮置扩散节点提供与背景光相对应的补偿电流来从该深度感测像素去除所述背景光。
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公开(公告)号：CN118899324A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410919307.5
申请日：2022-06-10
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N25/59 , H04N25/771
摘要： 本技术涉及均能够在不降低光电二极管的饱和电荷量的情况下扩大动态范围的摄像器件和电子设备。提供了将光转换为电荷的光电转换单元、临时存储电荷的多个存储部、向存储部传输电荷的多个传输单元、以及分离像素的贯通沟槽。多个存储部中的至少一者是电容元件。多个存储部中的至少一者存储从光电转换单元溢出的电荷。例如，本技术可应用于用于拍摄图像的摄像器件。
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公开(公告)号：CN114208158B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202080055560.0
申请日：2020-08-04
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H04N25/76 , H04N25/59 , G06N3/0464
摘要： 提供信息处理装置、信息处理方法和信息处理程序，其能够降低卷积神经网络(CNN)中的卷积处理的负荷。根据本公开的信息处理装置(1)包括设定单元(51)和控制单元(52)。设定单元(51)将包括二维排列的多个成像像素的成像单元(2)中的每个成像像素的曝光时间设定为与CNN的第一层的卷积系数相对应的曝光时间。控制单元(52)使信号电荷从已曝光的成像像素传输到浮动扩散(FD)，从而执行卷积处理。
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公开(公告)号：CN118612564A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410689542.8
申请日：2024-05-30
申请人： 上海炬佑智能科技有限公司
IPC分类号： H04N25/77 , H04N25/78 , H04N25/706 , H04N25/59
摘要： 本申请公开一种全局快门飞行时间像素电路及传感系统，包括感光模块和n个读出通道，n≥3；所述感光模块用于获取各个读出通道对应的光信号，并将所述光信号转换为对应的电信号；第i读出通道包括用于存储光信号对应的电荷的电容，用于接入复位信号RST、选择信号SEL和第i个转移信号TXi，在TXi＝1、RST＝0、SEL＝1时传输对应的电信号，在TXi＝1、RST＝1、SEL＝1时清空对应电容处的电信号；其中各个读出通道对应的转移信号的高电平持续时间互不相同；1≤i≤n。本申请能够节省控制信号的个数，减少信号连接信号，达到简化对应电路、降低功耗和成本的目的。
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公开(公告)号：CN111627944B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202010110632.9
申请日：2020-02-24
申请人： 佳能株式会社
发明人： 筱原真人
IPC分类号： H01L27/146 , H04N25/59 , H04N25/63 , H04N25/47
摘要： 公开了光电转换设备、成像系统、放射线成像系统和可移动物体。一种光电转换设备包括：光电转换单元，生成第一极性的信号电荷；以及电荷转换电路，将信号电荷转换成信号电压。光电转换单元包括设置在半导体基板的表面侧的第一导电类型的第一半导体区域和第二导电类型的第二半导体区域、设置在第一深度处的第一导电类型的第三半导体区域、设置在第二深度处并且在平面图中与第二半导体区域重叠的第二导电类型的第四半导体区域以及设置在第三深度处的第一导电类型的第五半导体区域，并且在平面图中第三半导体区域和第五半导体区域与第一半导体区域、第二半导体区域和第四半导体区域重叠。
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公开(公告)号：CN114222080B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202111533033.9
申请日：2021-12-15
申请人： 上海韦尔半导体股份有限公司
IPC分类号： H04N25/76 , H04N25/57 , H04N25/59 , H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种高动态像素结构，至少包括置于半导体基体中的光电二极管(PD)、传输管(TX)、悬浮节点(FD)、复位管(RESET)、源跟随器(SF)、行选通管(SELECT)、电源(VDD)以及pixel输出(VOUT)。FD包含三个不同面积、不同离子注入浓度的区域。通过对FD面积的控制，形成可变的FD电容和FD转换增益,通过对掺杂浓度的控制形成电势梯度。弱光下，高电势的FD1起作用，FD1对应高转换增益，能够把少量的电子转换为较强的电压信号，避免了因为光照弱而无法量化光电信号的问题。强光下，FD1、FD2和FD3同时起作用，其转换增益较小，FD能够收集很多的光电子，避免了强光下FD过早饱和的问题，有效的拓展了光强范围，从而扩展了像素的动态范围。
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公开(公告)号：CN112075073B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201980029993.6
申请日：2019-06-17
申请人： 松下知识产权经营株式会社
IPC分类号： H04N25/76 , H04N25/77 , H04N25/779 , H04N25/78 , H04N25/59 , H04N25/709 , H04N25/587 , H04N25/589 , H01L27/146
摘要： 摄像装置(100)具备像素阵列(PA)。在1个帧中，第1期间、第3期间和第2期间按照该第1期间、第3期间和第2期间的顺序出现。在第1期间中，进行像素阵列(PA)中的第1至少1个行的像素信号读出。在第2期间中，进行像素阵列(PA)中的第2至少1个行的像素信号读出。第1至少1个行及第2至少1个行的至少一方包含像素阵列(PA)中的2个行。在第3期间中，不进行像素阵列(PA)的任何行的像素信号读出。第1期间及第2期间是高灵敏度曝光期间及低灵敏度曝光期间中的一方。第3期间是高灵敏度曝光期间及低灵敏度曝光期间中的另一方。
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公开(公告)号：CN118301493A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410284576.9
申请日：2018-12-04
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H04N25/77 , H04N25/701 , H04N25/773 , H04N25/50 , H04N25/59 , H04N23/71 , H01L27/146
摘要： 本发明降低了检测弱光的光检测传感器的功耗。该光检测传感器包括：光电二极管，其被构造为将入射光转换为电荷；电阻器，其被构造为基于所述电荷使所述光电二极管的电位下降；光子计数器，其被构造为基于所述光电二极管的所述电位的下降频率来测量所述入射光的照度；以及电源控制器，其被构造为基于所述照度与彼此不同的多个阈值之间的比较来控制电源电位。
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公开(公告)号：CN118102134A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202211501589.4
申请日：2022-11-28
IPC分类号： H04N25/59 , H01L27/146
摘要： 一种图像传感器结构以及获得像素增益的方法，方法包括：对像素掺杂区进行模拟曝光处理，用于模拟像素掺杂区达到满阱的状态；模拟曝光处理包括：对像素掺杂区施加基准电位，且使传输晶体管关断；对传输漏极进行重置处理，用于对传输漏极施加工作电压且使传输晶体管关断；进行电荷传输处理，并获得在电荷传输处理的过程中，选择源极产生的电压降；电荷传输处理包括：使传输晶体管开启，并使像素掺杂区和传输漏极以及放大栅极处于浮接状态，且使放大漏极和选择栅极接入工作电压；基于选择源极产生的电压降和满阱容量，获得图像传感器结构的像素增益。本发明实施例能够进行线上测试以获得像素增益的数据，并缩短开发周期、降低研发成本。
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公开(公告)号：CN118055336A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410229666.8
申请日：2021-05-27
申请人： 原相科技股份有限公司
摘要： 一种可进行模拟运算的像素电路，包含光二极管、第一时间电路、第二时间电路以及运算电路。在第一期间中，光二极管检测的第一光能量储存于第一时间电路。在第二期间中，光二极管检测的第二光能量储存于第二时间电路。在运算期间中，第一时间电路根据第一光能量输出第一脉冲长度的第一检测信号且第二时间电路根据第二光能量输出第二脉冲长度的第二检测信号，以供运算电路进行计算。
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