公开(公告)号：CN117616576A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202280049236.7

申请日：2022-07-19

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 纳土晋一郎 ,  岩濑寿仁 ,  横地界斗 ,  铃木理之 ,  戸田淳 ,  蛯子芳树 ,  山本笃志 ,  名取太知 ,  竹内幸一

IPC分类号： H01L27/146 ,  G02B5/18 ,  H04N25/70

摘要： 本发明提供了一种光电探测器，其提高了视角端处的光的倾斜入射引起的光学特性。该光电探测器包括在半导体基板上以矩阵状配置的多个像素。多个像素的每个像素包括对入射光进行光电转换的光电转换部以及配置在光电转换部的光入射表面侧上的偏转部，并且该偏转部在像素中具有多个柱状物，该柱状物具有不同的厚度、间距或形状。柱状物以棱镜角将针对各图像高度以不同角度入射的主光线引导到光电转换部，在该棱镜角，光针对每个像素相对于主光线不同地弯曲。