公开(公告)号：CN116034480A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202180033005.2

申请日：2021-05-13

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 纳土晋一郎 ,  马场友彦 ,  中田征志 ,  戸田淳

IPC分类号： H01L27/146 ,  G06T1/00 ,  H04N25/70

摘要： 在一个像素中包括多个子像素。成像装置包括子像素、像素和像素阵列。子像素包括接收以预定角度入射的光并基于所接收的光的强度输出模拟信号的光电转换元件。像素包括多个子像素、将从外部入射的光会聚在子像素上的透镜以及不将关于在光电转换元件中获取的光的强度的信息传播到相邻光电转换元件的光电转换元件隔离部，并且还包括用于遮蔽入射到另一像素的透镜上的光的遮光壁。像素阵列包括多个像素。

公开(公告)号：CN118901138A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202380022037.1

申请日：2023-03-13

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 重岁卓志 ,  坂元俊起 ,  纳土晋一郎 ,  桀田佳明 ,  田口由香里 ,  河野广行

IPC分类号： H01L27/146 ,  G02B3/00 ,  G02B3/08 ,  H04N25/70

摘要： 本公开涉及：能够在各像素中改善微透镜的聚光效果并且改善光学特性的光检测装置；用于所述光检测装置的制造方法；以及电子设备。该光检测装置包括像素，各像素具有：对入射光进行光电转换的光电转换部、使所述入射光聚集在所述光电转换部上的微透镜；以及形成在所述微透镜上的多个突起。各个像素具有两个以上突起，所述突起的宽度、高度或密度中的至少一者是不同的。本公开可以应用于例如固体摄像装置等。

公开(公告)号：CN117413363A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202280039336.1

申请日：2022-05-23

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 桝田佳明 ,  宫永隆史 ,  冲田晃史 ,  纳土晋一郎 ,  浜口慎吾 ,  戸田淳 ,  朝妻智彦 ,  山下直生

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明涉及允许以更好的质量摄取图像的摄像元件封装体和电子设备。沿着设置有光电二极管的半导体基板的外周设置有支撑部，所述支撑部被构造成支撑用于保护所述半导体基板的光接收面的盖玻璃，此外，至少在设置有所述支撑部的区域中在所述支撑部与所述半导体基板之间设置有防反射层。所述防反射层被设置得遍及所述半导体基板的所述光接收面的整个面，并且所述支撑部被层叠在该防反射层上。例如，本发明可以应用于CMOS图像传感器。

公开(公告)号：CN115968449A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202180051617.4

申请日：2021-10-04

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 马场友彦 ,  纳土晋一郎

IPC分类号： G02B3/00

摘要： 本公开涉及一种能够获得更好的画质的受光装置和电子设备。所述受光装置包括：半导体基板，其中第一光电检测器和第二光电检测器至少布置在大致同一受光面内；和光学部件，其设置有使光入射到所述第一光电检测器的第一光学系统和使光入射到所述第二光电检测器的第二光学系统。使光经由所述第一光学系统在所述第一光电检测器上形成图像的第一像素与使光经由所述第二光学系统在所述第二光电检测器上形成图像的第二像素具有不同的物体侧的主光线取向。本技术例如可以适用于各种认证设备。

公开(公告)号：CN111512443A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN201880081221.2

申请日：2018-11-02

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 纳土晋一郎

IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N5/357 ,  H04N5/369

摘要： 本发明的目的是通过防止已经透过像素中的光电转换单元的入射光影响电荷保持单元或相邻像素等来防止图像质量下降。本发明提供了一种包括像素、配线层和入射光衰减单元的摄像元件。各个像素包括光电转换单元和像素电路，光电转换单元被形成在半导体基板上并且执行入射光的光电转换，像素电路用于生成与由光电转换生成的电荷对应的图像信号。配线层被布置在半导体基板的与入射光入射的表面不同的表面上，并且传输图像信号或待施加到像素电路的信号。入射光衰减单元使透过光电转换单元的入射光衰减。

公开(公告)号：CN117795689A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202280055065.9

申请日：2022-03-24

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 出木场透 ,  纳土晋一郎 ,  小岛尚 ,  小野雄马 ,  大庭义行

IPC分类号： H01L31/10 ,  G01J1/02 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146

摘要： 根据本发明一个实施方案的光接收器件包括：金属氧化物膜(25)，在从200nm至380nm的波长范围内所述金属氧化物膜(25)的消光系数的最大值为0.1以上；以及光接收部(12)，其接收透过所述金属氧化物膜(25)的紫外光。

公开(公告)号：CN116888738A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202280015853.5

申请日：2022-02-09

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 桝田佳明 ,  畑野启介 ,  关大一 ,  户田淳 ,  纳土晋一郎 ,  大池祐辅 ,  大冈丰 ,  佐佐木直人 ,  坂元俊起 ,  森川隆史

IPC分类号： H01L27/146

摘要： [问题]提供一种能够抑制光斑影响的摄像装置。[解决方案]本公开的摄像装置包括：像素区域，在所述像素区域中布置有执行光电转换的多个像素；片上透镜，所述片上透镜设置在所述像素区域上；保护构件，所述保护构件设置在所述片上透镜上；和树脂层，所述树脂层粘附在所述片上透镜和所述保护构件之间，其中，当所述树脂层和所述保护构件的厚度为T，从光的入射方向观察时所述像素区域的对角线的长度为L，并且所述保护构件的临界角为θc时，满足T≥L/2/tanθc(式2)或T≥L/4/tanθc(式3)。

公开(公告)号：CN116636018A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202180089231.2

申请日：2021-08-13

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 纳土晋一郎 ,  山崎知洋 ,  蛯子芳树 ,  横川创造 ,  荻田知治 ,  松谷弘康 ,  守屋雄介

IPC分类号： H01L31/0232

摘要： 根据本公开的固态成像装置包括多个像素(100)，每个所述像素包括：基板(140)，其具有用作光入射面的第一表面；光电转换部(121)，位于所述基板内部；遮光部(130)，其设置在所述第一表面一侧并且具有允许光入射到所述光电转换部的孔部(160)；和第一透镜(123a)，其由硅构成，其被设置在所述遮光部上并且将入射光朝着所述孔部会聚。

公开(公告)号：CN117616576A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202280049236.7

申请日：2022-07-19

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 纳土晋一郎 ,  岩濑寿仁 ,  横地界斗 ,  铃木理之 ,  戸田淳 ,  蛯子芳树 ,  山本笃志 ,  名取太知 ,  竹内幸一

IPC分类号： H01L27/146 ,  G02B5/18 ,  H04N25/70

摘要： 本发明提供了一种光电探测器，其提高了视角端处的光的倾斜入射引起的光学特性。该光电探测器包括在半导体基板上以矩阵状配置的多个像素。多个像素的每个像素包括对入射光进行光电转换的光电转换部以及配置在光电转换部的光入射表面侧上的偏转部，并且该偏转部在像素中具有多个柱状物，该柱状物具有不同的厚度、间距或形状。柱状物以棱镜角将针对各图像高度以不同角度入射的主光线引导到光电转换部，在该棱镜角，光针对每个像素相对于主光线不同地弯曲。

公开(公告)号：CN116075847A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202180061770.5

申请日：2021-09-01

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 宫谷佳孝 ,  纳土晋一郎 ,  中田征志

IPC分类号： G06T1/00

摘要： [问题]实现更精确的认证。[解决方案]一种固态成像装置，设置有光接收单元和控制单元。光接收单元设置有用于基于阈值输出事件发生的事件驱动像素。控制单元控制光接收单元，使得为事件驱动像素设置第一阈值，并且如果已经检测到基于第一阈值的事件，则为事件驱动像素设置小于第一阈值的第二阈值。