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公开(公告)号:CN111434105B
公开(公告)日:2023-05-12
申请号:CN201880078181.6
申请日:2018-12-14
申请人: 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号: H04N25/77 , G01J1/02 , G01J1/42 , H04N25/53 , H04N25/772
摘要: 本发明降低了测量时间的固态成像元件的功耗。该固态成像元件设置有计数单元、计数控制单元、计时单元和估计单元。所述计数单元对预定曝光时段内光子的入射次数进行计数,并输出计数值。如果在所述预定曝光时段过去之前所述计数值达到预定值,则所述计数控制单元执行控制以停止所述计数单元并请求时间信息。所述计时单元测量时间并响应于所述请求输出所述时间信息。所述估计单元基于所述输出的时间信息估计所述预定曝光时段内光子的入射次数。
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公开(公告)号:CN111434105A
公开(公告)日:2020-07-17
申请号:CN201880078181.6
申请日:2018-12-14
申请人: 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号: H04N5/341 , G01J1/02 , G01J1/42 , H04N5/3745
摘要: 本发明降低了测量时间的固态成像元件的功耗。该固态成像元件设置有计数单元、计数控制单元、计时单元和估计单元。所述计数单元对预定曝光时段内光子的入射次数进行计数,并输出计数值。如果在所述预定曝光时段过去之前所述计数值达到预定值,则所述计数控制单元执行控制以停止所述计数单元并请求时间信息。所述计时单元测量时间并响应于所述请求输出所述时间信息。所述估计单元基于所述输出的时间信息估计所述预定曝光时段内光子的入射次数。
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公开(公告)号:CN114616670A
公开(公告)日:2022-06-10
申请号:CN202080074083.2
申请日:2020-11-10
申请人: 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号: H01L27/146 , H01L31/107 , H04N5/369
摘要: 根据实施例的固态摄像装置设有:光电转换区域,其设置在半导体基板中由沟槽限定的元件区域中;第一半导体区域,其包围光电转换区域;第一触点,其在沟槽的底部处与第一半导体区域接触;第一电极,其与第一沟槽中的第一触点接触;第二半导体区域,其设置在与第一半导体区域接触的区域中,并且具有与第一半导体区域的导电类型相同的第一导电类型;第三半导体区域,其邻接第二半导体区域,设置在第二半导体区域和第一表面之间,并且具有与第一导电类型相反的第二导电类型;第二触点,其设置在第一表面上以与第三半导体区域接触;和第二电极,其与第二触点接触。所述第一触点和所述第一电极相接触所处的第二表面相对于所述第一表面倾斜。
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