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公开(公告)号：CN101609837A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910151044.3
申请日：2009-06-09
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L31/08 , H04N5/335
Abstract: 本发明公开了一种固体摄像器件、它的驱动方法以及使用它的电子装置。这种固体摄像器件包括：在基板的单位像素区域中在不同深度处形成的多个光电二极管；以及从所述基板的一个表面侧在深度方向上形成的多个纵向晶体管，所述多个纵向晶体管的栅极部被形成在与各个所述光电二极管对应的深度处，所述栅极部用于读出通过在所述多个光电二极管中进行光电转换而获得的信号电荷。采用本发明的固体摄像器件，饱和电荷量(Qs)得以增大，灵敏度得以提高且易于使像素尺寸减小。本发明的使用该固体摄像器件的电子装置具有较高图像质量。根据本发明的固体摄像器件的驱动方法，能够减小伪色、残像、噪声和混色且能够提高灵敏度。
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公开(公告)号：CN101609837B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN200910151044.3
申请日：2009-06-09
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种固体摄像器件、它的驱动方法以及使用它的电子装置。这种固体摄像器件包括：在基板的单位像素区域中在不同深度处形成的多个光电二极管；以及从所述基板的一个表面侧在深度方向上形成的多个纵向晶体管，所述多个纵向晶体管的栅极部被形成在与各个所述光电二极管对应的深度处，所述栅极部用于读出通过在所述多个光电二极管中进行光电转换而获得的信号电荷。采用本发明的固体摄像器件，饱和电荷量(Qs)得以增大，灵敏度得以提高且易于使像素尺寸减小。本发明的使用该固体摄像器件的电子装置具有较高图像质量。根据本发明的固体摄像器件的驱动方法，能够减小伪色、残像、噪声和混色且能够提高灵敏度。
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公开(公告)号：CN101276830B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810088071.6
申请日：2008-03-31
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L31/0224
Abstract: 本发明提供不因回蚀处理而降低自对准硅化物阻挡膜的能力并可均匀地进行晶体管的源极/漏极注入的固态摄像元件的制造方法。在栅极电极(11、21)的侧表面形成的侧壁(32、33)作为掩模，形成晶体管的源极/漏极区域(14、24)。然后覆盖栅极电极(11、21)、侧壁(32、33)、源极/漏极区域(14、24)以及受光区域而形成供氢膜(33)和自对准硅化物阻挡膜(34)。在去除硅化区域的自对准硅化物阻挡膜(34)后，形成金属膜(38)并进行热处理，在硅化区域的栅极电极(21)和源极/漏极区域(24)的上部形成金属硅化膜(25、26)，由此来制造固态摄像元件。
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公开(公告)号：CN101276830A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810088071.6
申请日：2008-03-31
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L31/0224
Abstract: 本发明提供不因回蚀处理而降低自对准硅化物阻挡膜的能力并可均匀地进行晶体管的源极/漏极注入的固态摄像元件的制造方法。在栅极电极(11、21)的侧表面形成的侧壁(32、33)作为掩模，形成晶体管的源极/漏极区域(14、24)。然后覆盖栅极电极(11、21)、侧壁(32、33)、源极/漏极区域(14、24)以及受光区域而形成供氢膜(33)和自对准硅化物阻挡膜(34)。在去除硅化区域的自对准硅化物阻挡膜(34)后，形成金属膜(38)并进行热处理，在硅化区域的栅极电极(21)和源极/漏极区域(24)的上部形成金属硅化膜(25、26)，由此来制造固态摄像元件。
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