公开(公告)号：CN103958397B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201280051913.5

申请日：2012-08-20

Applicant: 约尔格·阿布席斯

Inventor： 约尔格·阿布席斯

IPC: C01B33/027 ,  C01B33/029 ,  G01N33/483 ,  B82Y10/00

CPC classification number: G01N27/04 ,  B81B7/0006 ,  B81B2201/0214 ,  B81C1/00087 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B11/12 ,  C30B29/06 ,  C30B29/60 ,  G01N33/483 ,  G01N33/48721

Abstract: 本发明尤其描述一种用于制造导体结构的方法，所述导体结构具有至少一个硅纳米线（4），所述硅纳米线具有小于50nm的直径并且经由电极（11，13，30）经由至少两个部位接触，并且其中至少一个纳米线（4）和电极（11，13，30）设置在衬底（1，5）上的一个平面中，其特征在于，a）将直径在0.5nm至50nm的范围中的催化活性的金属纳米颗粒放置在绝缘衬底（1）的表面（2）上，b）当温度在300℃至1100℃的范围中、同时持续时间在10min至200min的范围中时，表面和放置在其上的金属纳米颗粒经受包含至少一种气态的硅组分的气流，其中形成至少一个长度在5μm至200μm的范围中的从衬底（1）伸出的纳米线（4）；c）将所述至少一个从衬底（1）的表面伸出的纳米线（4）通过安放具有与绝缘衬底（1）的表面（2）相配合的接触面（6）的次级衬底（5）而放置到一个平面中；d）放置在绝缘衬底（1）上的至少一个纳米线（4）在两个不同的部位上与电极（11，13，30）接触，或者至少一个附着在次级衬底（5）上的纳米线在两个不同的部位上与电极（11，13，30）接触。

公开(公告)号：CN103958397A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201280051913.5

申请日：2012-08-20

Applicant: 约尔格·阿布席斯

Inventor： 约尔格·阿布席斯

IPC: B82Y10/00

CPC classification number: G01N27/04 ,  B81B7/0006 ,  B81B2201/0214 ,  B81C1/00087 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B11/12 ,  C30B29/06 ,  C30B29/60 ,  G01N33/483 ,  G01N33/48721

Abstract: 本发明尤其描述一种用于制造导体结构的方法，所述导体结构具有至少一个硅纳米线（4），所述硅纳米线具有小于50nm的直径并且经由电极（11，13，30）经由至少两个部位接触，并且其中至少一个纳米线（4）和电极（11，13，30）设置在衬底（1，5）上的一个平面中，其特征在于，a）将直径在0.5nm至50nm的范围中的催化活性的金属纳米颗粒放置在绝缘衬底（1）的表面（2）上，b）当温度在300℃至1100℃的范围中、同时持续时间在10min至200min的范围中时，表面和放置在其上的金属纳米颗粒经受包含至少一种气态的硅组分的气流，其中形成至少一个长度在5μm至200μm的范围中的从衬底（1）伸出的纳米线（4）；c）将所述至少一个从衬底（1）的表面伸出的纳米线（4）通过安放具有与绝缘衬底（1）的表面（2）相配合的接触面（6）的次级衬底（5）而放置到一个平面中；d）放置在绝缘衬底（1）上的至少一个纳米线（4）在两个不同的部位上与电极（11，13，30）接触，或者至少一个附着在次级衬底（5）上的纳米线在两个不同的部位上与电极（11，13，30）接触。