公开(公告)号：CN105378114B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201480041961.5

申请日：2014-07-09

Applicant: 西门子公司

Inventor： W.冈布雷奇特

IPC: C12Q1/6869 ,  B81C1/00 ,  G01N33/487

CPC classification number: C25D5/02 ,  B81B2201/0214 ,  B81C1/00087 ,  C12Q1/6869 ,  C12Q2565/631 ,  G01N27/44791 ,  G01N33/48721 ,  C12Q2563/116 ,  C12Q2563/157 ,  C12Q2565/607

Abstract: 本发明涉及用于制造至少一个用于对生物聚合物（30）测序的具有预先确定的直径的纳米孔（28）的方法。所述方法在此包括：提供至少一个电极（10）并且在电极（10）和与电极（10）相对的限制部件（12、S1）之间的间隙（14）中提供至少两个纳米颗粒（16、16'）。接着用导电的材料至少涂布所述电极（10），并且由此在间隙（14）中机械地固定至少两个纳米颗粒（16、16'），使得形成固定的多孔装置（24）（S2）。用所述导电的材料和/或另一导电的材料对固定的多孔装置（24）填充使得能够设定至少一个孔（26）的预先确定的直径，也即构造纳米孔（28、S3）。本发明此外涉及用于借助于按照本发明的固定的多孔装置（24）对生物聚合物（30）测序的方法和相应的设备。

公开(公告)号：CN107001029A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580059305.2

申请日：2015-10-21

Applicant: 弗劳恩霍夫应用研究促进协会

Inventor： T·利塞茨 ,  E·内柏林 ,  S·库比克 ,  S·鲁普

IPC: B81C1/00

CPC classification number: G01N33/48721 ,  B01D67/0039 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/051 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0353 ,  B81C1/00087 ,  G01N27/44791

Abstract: 本发明涉及一种结构元件，其包括由能结构化的材料构成的、具有至少一个贯通开口的载体，所述开口由多孔膜封闭，其特征在于，所述多孔膜从结构元件的围绕贯通开口的面突出。在一些构型中，所述结构元件还包括载体基底，其中，所述载体基底的朝向结构元件的侧和结构元件的对置的侧优选地形成一个流体通道，其中，在优选的情况中，所述载体的至少一个贯通开口在其未封闭的侧与流体通道连通。根据本发明的结构元件适用于加入并且电化学地测量优选地在双脂质层中的跨膜蛋白。本发明也提出不同的用于制造结构元件的方法。

公开(公告)号：CN105378114A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201480041961.5

申请日：2014-07-09

Applicant: 西门子公司

Inventor： W.冈布雷奇特

IPC: C12Q1/68 ,  B81C1/00 ,  G01N33/487

CPC classification number: C25D5/02 ,  B81B2201/0214 ,  B81C1/00087 ,  C12Q1/6869 ,  C12Q2565/631 ,  G01N27/44791 ,  G01N33/48721 ,  C12Q2563/116 ,  C12Q2563/157 ,  C12Q2565/607

Abstract: 本发明涉及用于制造至少一个用于对生物聚合物（30）测序的具有预先确定的直径的纳米孔（28）的方法。所述方法在此包括：提供至少一个电极（10）并且在电极（10）和与电极（10）相对的限制部件（12、S1）之间的间隙（14）中提供至少两个纳米颗粒（16、16'）。接着用导电的材料至少涂布所述电极（10），并且由此在间隙（14）中机械地固定至少两个纳米颗粒（16、16'），使得形成固定的多孔装置（24）（S2）。用所述导电的材料和/或另一导电的材料对固定的多孔装置（24）填充使得能够设定至少一个孔（26）的预先确定的直径，也即构造纳米孔（28、S3）。本发明此外涉及用于借助于按照本发明的固定的多孔装置（24）对生物聚合物（30）测序的方法和相应的设备。

公开(公告)号：CN102958827B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180033628.6

申请日：2011-06-01

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： U.沙夫 ,  J.霍夫曼 ,  F.孙德梅尔 ,  J.梅

IPC: B81C1/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B01L3/502707 ,  B01L2200/0689 ,  B01L2300/0645 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2400/0415 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/058 ,  B81B2207/012 ,  B81C2203/032 ,  B81C2203/0785

Abstract: 本发明涉及一种集成的微流体系统的制造及所述集成的微流体系统本身。将电子基片尤其半导体芯片以倒装布置与微流体基片连接起来。为此用第一胶粘剂来连接所述两种基片的有待彼此连接的流体的连接元件并且用第二胶粘剂来连接所述两种基片的电气的触点。所述胶粘剂得到硬化，其中所述第二胶粘剂首先硬化。

公开(公告)号：CN104362143A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201410454358.1

申请日：2011-12-22

Applicant: 美国亚德诺半导体公司

Inventor： A·奥都奈尔 ,  S·艾瑞阿尔特 ,  M·J·姆菲 ,  C·莱登 ,  G·卡塞 ,  E·E·恩格利什

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/48 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0525 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L23/64 ,  B81B7/02

CPC classification number: G01N27/226 ,  B81B7/00 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0214 ,  G01N27/26 ,  G01N27/4148 ,  H01F17/00 ,  H01F17/04 ,  H01L21/82 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/38 ,  H01L23/473 ,  H01L23/481 ,  H01L23/58 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/48 ,  H01L24/94 ,  H01L25/16 ,  H01L25/167 ,  H01L27/0694 ,  H01L27/14 ,  H01L27/15 ,  H01L28/00 ,  H01L28/10 ,  H01L28/20 ,  H01L28/60 ,  H01L28/82 ,  H01L28/86 ,  H01L28/90 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0525 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/056 ,  H01L31/06 ,  H01L35/00 ,  H01L35/28 ,  H01L35/30 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48265 ,  H01L2225/06531 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19104 ,  H02S10/10 ,  H02S40/38 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/52 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明涉及垂直集成系统。本发明的实施方式提供了一种集成电路系统，包括：衬底；在所述衬底上的第一半导体管芯，所述第一半导体管芯包括制造在前侧的有源层和在背侧的部件层，其中所述部件层包括分立的无源部件；在所述衬底上的第二半导体管芯，具有与所述第一半导体管芯不同的操作电压；隔离阻挡物，配置为将所述第一和第二半导体管芯彼此电隔离；以及通信电路，配置为在所述第一和第二半导体管芯之间传输数据。

公开(公告)号：CN104362142A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201410454357.7

申请日：2011-12-22

Applicant: 美国亚德诺半导体公司

Inventor： A·奥都奈尔 ,  S·艾瑞阿尔特 ,  M·J·姆菲 ,  C·莱登 ,  G·卡塞 ,  E·E·恩格利什

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/48 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0525 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L23/64 ,  B81B7/02

CPC classification number: G01N27/226 ,  B81B7/00 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0214 ,  G01N27/26 ,  G01N27/4148 ,  H01F17/00 ,  H01F17/04 ,  H01L21/82 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/38 ,  H01L23/473 ,  H01L23/481 ,  H01L23/58 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/48 ,  H01L24/94 ,  H01L25/16 ,  H01L25/167 ,  H01L27/0694 ,  H01L27/14 ,  H01L27/15 ,  H01L28/00 ,  H01L28/10 ,  H01L28/20 ,  H01L28/60 ,  H01L28/82 ,  H01L28/86 ,  H01L28/90 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0525 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/056 ,  H01L31/06 ,  H01L35/00 ,  H01L35/28 ,  H01L35/30 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0556 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48265 ,  H01L2225/06531 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19104 ,  H02S10/10 ,  H02S40/38 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/52 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明涉及垂直集成系统。本发明的实施方式提供了一种集成电路系统，包括：第一层，包括半导体管芯的有源电路；在所述半导体管芯上的包括电路元件的第二层；将所述电路元件耦合到所述有源电路的电路径；以及与所述第一层和所述第二层垂直堆叠的第三层，所述第三层包括微机电系统(MEMS)部件，其中所述第三层与所述半导体管芯进行通信。

公开(公告)号：CN103702927A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201280023390.3

申请日：2012-03-14

Applicant: 哈佛大学校长及研究员协会

Inventor： C.J.鲁索 ,  J.A.戈洛夫钦科 ,  D.布兰顿

IPC: B81C1/00 ,  G01N33/487

CPC classification number: B81B1/002 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/056 ,  B81C1/00087 ,  G01N33/48721

Abstract: 在纳米材料中形成纳米孔的方法，在纳米材料的侧边缘内部的位置上如下来形成纳米孔成核位置：将选自离子束和中性原子束的第一能量束引导到该内部位置持续第一持续时间，其施加了第一束剂量，这导致从该内部位置上除去不超过5个内部原子以在该内部位置处产生具有多个边缘原子的纳米孔成核位置。然后通过将选自电子束、离子束和中性原子束的第二能量束引导到该纳米孔成核位置来在该纳米孔成核位置上形成纳米孔，该第二能量束具有除去该纳米孔成核位置上的边缘原子但是不从该纳米材料中除去体原子的束能量。

公开(公告)号：CN101801839B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN200880102146.X

申请日：2008-04-03

Applicant: SNU研发业务基金会

Inventor： 金龙协 ,  李廷勋 ,  姜泰俊 ,  张议允

IPC: B82B1/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/0214 ,  H01G11/40 ,  Y02E60/13 ,  Y10T428/31678 ,  Y10T428/31786 ,  Y10T428/31855

Abstract: 本发明涉及导电纳米膜以及使用该导电纳米膜的微机电系统传感器，更具体地，涉及通过堆叠聚合物电解质膜和碳纳米管层形成的导电纳米膜，以及使用该导电纳米膜的MEMS传感器。

公开(公告)号：CN101074486B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200710092363.2

申请日：2007-02-28

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 富田忠文 ,  铃木信也

IPC: C25D11/04 ,  C25D11/08 ,  C25F5/00

CPC classification number: C25D11/00 ,  B81B2201/0214 ,  B81C99/008 ,  C25D11/20 ,  C25D11/24

Abstract: 提供一种在铬酸等的环境中不使用非优选物质，在短时间内，能够得到具有规律排列的凹坑的纳米结构体的制造方法。该纳米结构体的制造方法包括：通过将具有铝基板和在上述铝基板表面上存在的阳极氧化被膜的铝部件作为阴极实施电解来使上述阳极氧化被膜和上述铝基板剥离，得到由阳极氧化被膜构成的结构体的剥离工序；其中，在上述剥离工序中，按照使电流流过上述阳极氧化被膜的表面的方式实施上述电解。

公开(公告)号：CN101970996A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200880127723.0

申请日：2008-12-23

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： 陈帆青 ,  刘刚 ,  乔纳森·A·埃尔曼

IPC: G01J3/44 ,  C12Q1/42 ,  C12Q1/48 ,  G01N33/50

CPC classification number: C12Q1/42 ,  B01J19/0046 ,  B01J2219/00382 ,  B01J2219/00527 ,  B01J2219/00576 ,  B01J2219/00585 ,  B01J2219/00596 ,  B01J2219/00605 ,  B01J2219/00612 ,  B01J2219/00621 ,  B01J2219/00626 ,  B01J2219/0063 ,  B01J2219/00635 ,  B01J2219/00637 ,  B01J2219/00648 ,  B01J2219/00659 ,  B01J2219/00677 ,  B01J2219/00702 ,  B01J2219/00725 ,  B01J2219/00734 ,  B01J2219/0074 ,  B81B2201/0214 ,  B81C1/00206 ,  B82Y30/00 ,  C12Q1/485 ,  C40B50/18 ,  C40B60/12 ,  G01N21/658 ,  G01N2500/04

Abstract: 本发明提供用于检测和/或定量一种或多种激酶和/或磷酸酶的存在和/或活性的新型组合物和方法。在一些实施方式中，本发明提供用于检测激酶和/或磷酸酶活性的器件，其中所述器件包括包含增强拉曼散射的特征的拉曼活性表面，所述表面连接有多种激酶和/或磷酸酶底物分子。