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公开(公告)号：CN107836036A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201680040930.7
申请日：2016-07-07
申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC分类号： H01L21/52
CPC分类号： B81C1/00873 , B81B7/007 , B81B2201/0214 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , B81B2201/0292 , B81B2201/047 , B81B2207/07 , B81B2207/098 , B81C1/00333 , B81C2201/0125 , B81C2201/0132 , B81C2201/0159 , B81C2201/0181 , B81C2201/0188 , B81C2203/0136 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6836 , H01L23/3121 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2221/68359 , H01L2224/04105 , H01L2224/96 , H01L2924/351 , H01L2924/3511
摘要： 在所描述的用于以面板形式制造具有开口腔(110a)的封装的半导体器件的方法的示例中，此方法包括：将具有平坦焊盘(230)的金属块的面板大小的网格和对称放置的垂直柱体(231)放置在粘合承载胶带上；将半导体芯片(101)附加到胶带上，其中传感器系统面朝下；层压并减薄低CTE绝缘材料以填充芯片和网格之间的间隙；翻转组件以移除胶带；等离子-清洗组件正面，穿过组件溅射和图案化均匀的金属层，并可选择地电镀金属层以形成针对组件的重布迹线和延伸接触焊盘；穿过面板层压(212)绝缘增强板；在增强板中使腔开口(213)以进入传感器系统；并通过切割金属块来切单(214)封装器件。
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公开(公告)号：CN107121461A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710105978.8
申请日：2017-02-24
申请人： 恩智浦美国有限公司
发明人： 张青 , 穆罕默德·马赫布卜·乔杜里 , 古尔·泽布
IPC分类号： G01N27/22 , H01L21/8238
CPC分类号： B81B7/008 , B81B2201/0214 , B81B2207/015 , B81B2207/07 , B81C1/00246 , B81C2201/0159 , B81C2201/016 , B81C2201/019 , G01N27/223 , G01N27/225 , G01N27/227 , H01L21/8238
摘要： 本公开提供了由电容式湿度传感器组成的半导体装置、由密封的装置组成的封装和在半导体装置内形成电容式湿度传感器的方法，该电容式湿度传感器由潮湿敏感聚合物层组成，该潮湿敏感聚合物层电接枝到定位于CMOS衬底或组合的MEMS和CMOS衬底上的导电金属层且暴露于通过钝化层的开口内。
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公开(公告)号：CN107091866A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710266066.9
申请日：2017-04-21
申请人： 中国科学技术大学
CPC分类号： G01N27/26 , B81B2201/0214 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01G19/02
摘要： 本发明提供了一种氧化锡复合纳米线、其制备方法和应用；本发明提供的氧化锡复合纳米线为过渡金属氧化物与SnO2复合的纳米线，所述过渡金属氧化物选自Nb2O5和Ta2O5中的一种或多种。并且，所述复合纳米线的直径在100nm至500nm之间。本发明实施例通过将铌源和/或钽源，与锡源按一定比例配制成混合溶液，加入适量PVP后电纺，经煅烧获得所述复合纳米线。本发明复合纳米线的比表面积相对纯纳米线有相当大的提高，同时气敏传感性能有了很大的提高，还具有优异的机械性能，可用于气敏传感如检测NO2等气体或储能应用如用于锂离子电池，具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN106564853A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610945300.6
申请日：2016-11-02
申请人： 上海集成电路研发中心有限公司
CPC分类号： B81B7/00 , B81B2201/0214 , B81C1/0038 , B81C2201/0101 , B81C2201/0181
摘要： 本发明公开了一种微电子细胞分析电极的制备方法，包括：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上生长多层介质层；刻蚀所述多层介质层以在其中形成电极图形凹槽；在所述多层介质层上沉积扩散阻挡层和金属铜；去除所述多层介质层表面上方的扩散阻挡层和金属铜以形成微电子细胞分析电极；以及将所述微电子细胞分析电极整合到细胞检测板的底部。本发明制作工艺简单，成本低廉，适于大规模制造。
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公开(公告)号：CN106458575A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580024337.9
申请日：2015-05-08
申请人： 因文森斯公司
CPC分类号： B81B7/02 , B81B2201/0214 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , B81B2201/0292 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C1/0023 , B81C2203/0792 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/16152 , H04R1/04 , H04R19/04 , H04R29/004 , H04R2201/003 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本文披露一种包括至少一环境感测器以及至少一MEMS声敏感测器的集成封装件。该封装件包含一分享端口，用于将该两个感测器暴露于该环境中，其中，该环境感测器测量该环境的特性，该声敏感测器测量声波。该端口将该环境感测器暴露于气流以及将该声敏感测器暴露于声波。该声敏感测器的一个实施例为一麦克风，该环境感测器的一个实施例为湿度感测器。
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公开(公告)号：CN105977282A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201510495959.1
申请日：2015-08-13
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B81C1/00595 , B01L3/502707 , B01L2200/10 , B01L2300/0887 , B81B1/002 , B81B2201/0214 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81C1/00206 , G01N27/4145 , H01L21/2007 , H01L23/49816 , H01L23/528 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L2224/02372 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05184 , H01L2224/05569 , H01L2224/0557 , H01L2224/08225 , H01L2224/13024 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13124 , H01L2224/13147 , H01L2224/13184 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/80801 , H01L2224/8385 , H01L2924/1306 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01013 , H01L2924/01074 , H01L29/0684 , B81B7/02
摘要： 本发明实施例提供了一种生物感测半导体结构。晶体管包括沟道区和位于沟道区下面的栅极。第一介电层位于晶体管上面。第一开口延伸穿过第一介电层以暴露沟道区。生物感测层作为第一开口的衬垫并且覆盖沟道区的上表面。第二介电层作为第一开口的衬垫并且位于感测层上方。位于第一开口内的第二开口穿过第二介电层的位于沟道区上面的区域而延伸至生物感测层。本发明实施例也提供了一种用于制造生物感测半导体结构的方法。本发明实施例涉及用于制造生物传感器的微阱的方法。
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公开(公告)号：CN105424780A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510845956.6
申请日：2015-11-26
申请人： 北京代尔夫特电子科技有限公司
IPC分类号： G01N27/414
CPC分类号： G01N27/414 , B81B2201/0214
摘要： 本发明公开了一种氮化镓传感器、制备方法和多传感器系统，该传感器包括：异质半导体衬底，以及位于其上的III族氮化物基HEMT结构的晶体管；其中，所述晶体管的源极和漏极金属均设置在晶体管顶层的半导体之上，栅极表面具有经功能化处理得到的功能化膜，源极和漏极之间裸露的栅极区域形成传感区域；通过检测所述传感区域的电流变化，实现对与所述传感区域接触的待检测物的浓度检测。本发明的方案，可以克服现有技术中灵敏度低、检测范围小和便携性差等缺陷，实现灵敏度高、检测范围大和便携性好的有益效果。
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公开(公告)号：CN103025648B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201180032552.5
申请日：2011-06-29
申请人： 原子能和替代能源委员会
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： G03F7/24 , B81B2201/0214 , B81B2201/058 , B81B2201/06 , B81C1/00206 , B81C2201/0154 , F04B19/006
摘要： 本发明涉及一种用于使微机械器件中的流体管道(1b)功能化的方法，所述流体管道的壁包括不透明层。为此目的，本发明提供一种用于使设置有流体管道的微机械器件功能化的方法，所述流体管道包括外围壁(5)，所述外围壁具有在所述管道外面的表面(2)和内表面(3)，所述内表面限定流体能在其中循环的空间(1b)，所述外围壁至少部分地包括硅层(5a)。所述方法包括下列步骤：a)提供器件，所述器件的外围壁(5)至少部分地包括至少局部具有大于100nm且小于200nm，有利地为160～180nm厚度(e)的硅层(5a)；c)至少硅烷化所述流体管道的内表面；d)通过在所述壁上具有大于100nm且小于200nm，有利地为160～180nm厚度的点处使所述外围壁曝光，而至少在硅烷化器件的内表面上局部地、选择性地光去保护。
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公开(公告)号：CN101920995A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010201121.4
申请日：2010-06-09
申请人： 索尼公司
发明人： 伊藤大辅
CPC分类号： B81C1/00111 , B81B2201/0214 , B81B2201/0235 , B81B2201/0285 , B81B2201/0292 , B81B2203/0361 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C30B25/00 , C30B29/16 , C30B29/60 , H01G9/058 , H01G9/155 , H01G11/46 , H01L29/0665 , H01L29/0676 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/66439 , H01L29/66462 , H01L29/775 , Y02E60/13
摘要： 本文公开了沿着[110]方向细长生长的二氧化钒纳米线。
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公开(公告)号：CN100514098C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200710003975.X
申请日：2007-01-19
申请人： 株式会社日立制作所
CPC分类号： B81C1/0046 , B29C43/021 , B29C2043/025 , B81B2201/0214 , B81B2203/0361 , B81C2201/0153 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002
摘要： 提供在用纳米转印法制作的具有凹凸的结构体中，可以很容易地只在该凹部或该凸部的特定的部位上有选择地实施物理或化学修复的方法。通过将具有凹凸的模板按压在至少由化学成分彼此不同的2层构成的高分子基板上，一直被最表面层掩盖的、从表面开始数第2个层作为柱状物部的剖面而显露出来。通过预先将该第2个层在化学方面设为所需的成分，或者，在形成了柱状物之后将第2个层的剖面进行化学修复的方式，可以实现部位特异的柱状物的化学修复。
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