用于运行金属氧化物半导体场效应晶体管的方法

    公开(公告)号:CN107104662B

    公开(公告)日:2022-09-13

    申请号:CN201610953777.9

    申请日:2016-11-03

    IPC分类号: H03K17/13

    摘要: 提出一种用于运行金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET(54)的方法,其中MOSFET(54)以开关运行来运行,并且其中MOSFET(54)的通过S端子(源极)和D端子(漏极)来表征的区段从基本上不导通的状态(21)切换到基本上导通的状态(23)或相反地切换,并且其中馈送到MOSFET(54)的G端子(栅极)中的驱动电流(12)的值(12a;12b;12c)根据D端子和S端子之间的电压、即DS电压(14)来预先给定,并且其中驱动电流(12)根据DS电压(14)的时间变化在不同的值(12a;12b;12c)之间进行切换。在此所述值(12a;12b;12c)中的至少一个借助调节(43)来预先给定。

    用于运行金属氧化物半导体场效应晶体管的方法

    公开(公告)号:CN107104662A

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201610953777.9

    申请日:2016-11-03

    IPC分类号: H03K17/13

    摘要: 提出一种用于运行金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET(54)的方法,其中MOSFET(54)以开关运行来运行,并且其中MOSFET(54)的通过S端子(源极)和D端子(漏极)来表征的区段从基本上不导通的状态(21)切换到基本上导通的状态(23)或相反地切换,并且其中馈送到MOSFET(54)的G端子(栅极)中的驱动电流(12)的值(12a;12b;12c)根据D端子和S端子之间的电压、即DS电压(14)来预先给定,并且其中驱动电流(12)根据DS电压(14)的时间变化在不同的值(12a;12b;12c)之间进行切换。在此所述值(12a;12b;12c)中的至少一个借助调节(43)来预先给定。