公开(公告)号：CN106465022B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201580018069.X

申请日：2015-03-31

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： B.M.戴蒙德 ,  J.M.穆萨 ,  J.W.齐恩

IPC: H04R19/00

CPC classification number: H04R19/005 ,  H04R1/04 ,  H04R19/04 ,  H04R31/003 ,  H04R31/006 ,  H04R2201/003

Abstract: 用于防止MEMS麦克风中的漏电的系统和方法。在一个实施例中，MEMS麦克风包括半导体基板、电极、第一绝缘层和经掺杂的区。第一绝缘层被形成在电极与半导体基板之间。经掺杂的区被注入在其中半导体基板与第一绝缘层接触的半导体基板的至少一部分中。经掺杂的区还被电耦合到电极。

公开(公告)号：CN106465022A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580018069.X

申请日：2015-03-31

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： B.M.戴蒙德 ,  J.M.穆萨 ,  J.W.齐恩

IPC: H04R19/00

CPC classification number: H04R19/005 ,  H04R1/04 ,  H04R19/04 ,  H04R31/003 ,  H04R31/006 ,  H04R2201/003

Abstract: 用于防止MEMS麦克风中的漏电的系统和方法。在一个实施例中，MEMS麦克风包括半导体基板、电极、第一绝缘层和经掺杂的区。第一绝缘层被形成在电极与半导体基板之间。经掺杂的区被注入在其中半导体基板与第一绝缘层接触的半导体基板的至少一部分中。经掺杂的区还被电耦合到电极。